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公开(公告)号:CN1877804B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200610087908.6
申请日:2006-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01R1/0735
Abstract: 通过使用利用半导体集成电路器件制造技术形成的膜探测器,将提高共同地对多个芯片所执行的探测的效率。探针卡通过使用多个推动器来形成,每个推动器由POGO针绝缘体、POGO针、FPC连接器、膜探测器HMS、缓冲薄片、缓冲板、芯片冷凝器YRS等等形成,其中一个或者两个POGO针按压设置为类似岛状的多个金属膜。在基本上与电连接到形成在膜探测器中的探针的布线的延伸方向平行的方向上,在膜探测器的区域中,形成与待测试芯片匹配的一个或者多个切口。
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公开(公告)号:CN101520470B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200810166540.1
申请日:2008-10-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01R3/00 , G01R1/06727 , G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R1/07378 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明提供一种探测卡、探测卡的制造方法、半导体检测装置以及半导体装置的制造方法。将硅基板作为型材,在该硅基板上采用光刻技术依次层叠金属膜以及聚酰亚胺膜等的薄膜,由此以单片梁构造形成前端具有棱锥形状或棱台形状的接触端子(4)的探测片(5),而且将固定基板(6)固定粘结在该探测片(5)上之后,将所形成的探测片(5)依次层叠在硅基板上来固定粘结基板,通过蚀刻除去硅基板以及规定的聚酰亚胺膜,一并形成单片梁构造的接触端子(4)组。
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公开(公告)号:CN1612322B
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN200410086605.3
申请日:2004-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , G01R1/06711 , G01R1/06744 , G01R1/07307 , G01R3/00 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/49171 , H01L2924/014 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种技术,该技术允许电测试具有以窄间距布置的测试焊盘的半导体集成电路器件。棱锥体或梯形棱锥体形状的探针由通过连续地层叠铑膜和镍膜形成的金属膜形成。通过互连和金属膜之间的聚酰亚胺膜中形成的通孔,互连电连接到金属膜。通过旋转配备有其他探针和通孔的其他金属膜的平面图形获得配备有一个探针和通孔的金属膜之一的平面图形。
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