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公开(公告)号：CN104064477B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410055269.X
申请日：2014-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16055 , H01L2224/1607 , H01L2224/16113 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/17134 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN104134649A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410184296.7
申请日：2014-05-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H04W84/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子装置。本发明提供一种使用传感器的作为无线通信系统的组成元件的紧凑的电子装置。该装置的第一特征是，第一半导体芯片以芯片的形式被裸芯片安装在第一布线板的前表面上并且第二半导体芯片以芯片的形式被裸芯片安装在第二布线板上。第二特征是，配置模块的无线通信单元和数据处理单元被分离地安装。第三特征是，在板的厚度方向中堆叠第一和第二布线板以组成模块(电子装置)。
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公开(公告)号：CN111354784B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911258253.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开实施例涉及半导体器件及其制造方法。具有包括Au‑Sb合金的背电极的半导体器件的特性被改进。该半导体器件具有半导体衬底和该包括Au‑Sb合金层的背电极。背电极被形成在半导体衬底上。Au‑Sb合金层中的Sb浓度等于或大于15wt％，并且等于或小于37wt％。Au‑Sb合金层的厚度等于或大于20nm，并且等于或小于45nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354784A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911258253.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开实施例涉及半导体器件及其制造方法。具有包括Au-Sb合金的背电极的半导体器件的特性被改进。该半导体器件具有半导体衬底和该包括Au-Sb合金层的背电极。背电极被形成在半导体衬底上。Au-Sb合金层中的Sb浓度等于或大于15wt％，并且等于或小于37wt％。Au-Sb合金层的厚度等于或大于20nm，并且等于或小于45nm。
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公开(公告)号：CN104064477A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410055269.X
申请日：2014-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16055 , H01L2224/1607 , H01L2224/16113 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/17134 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN104134649B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410184296.7
申请日：2014-05-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H04W84/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子装置。本发明提供一种使用传感器的作为无线通信系统的组成元件的紧凑的电子装置。该装置的第一特征是，第一半导体芯片以芯片的形式被裸芯片安装在第一布线板的前表面上并且第二半导体芯片以芯片的形式被裸芯片安装在第二布线板上。第二特征是，配置模块的无线通信单元和数据处理单元被分离地安装。第三特征是，在板的厚度方向中堆叠第一和第二布线板以组成模块(电子装置)。
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公开(公告)号：CN103443915B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN103443915A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069392.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，作为搭载半导体芯片的布线基板，不使用层积式基板而使用贯通基板(THWB)。由此，在本发明中，通过使用仅由芯层构成的贯通基板，不再需要考虑层积层和芯层的热膨胀系数的不同，而且，因为不存在层积层，所以也不需要考虑形成于层积层的细小过孔的电切断。其结果为，根据本发明，能够实现成本降低，同时还能够实现半导体器件的可靠性提高。
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