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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106469708A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610693914.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据本发明，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(PKG1)包括搭载于配线基板(10)的上表面(10t)的半导体设备(半导体芯片或者半导体封装体)即存储设备(MC)。并且，在上表面(10t)，存储设备(MC)和上表面(10t)所具有的基板边(10s1)之间的间隔(SP1)小于存储设备(MC)和上表面(10t)所具有的基板边(10s2)之间的间隔(SP2)。并且，在上表面(10t)，在存储设备(M1)和基板边(10s1)之间形成有阻止部(DM)。
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公开(公告)号：CN102446779A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110208375.3
申请日：2011-07-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/04 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/06153 , H01L2224/06155 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/83051 , H01L2224/831 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，目的是提高半导体器件的可靠性。在下部封装(2)上层积了上部封装(9)的POP(1)中，通过用阻焊膜(7t2)来堵塞位于配置在下部封装(2)的布线基板(7)上表面(7a)的外缘部上的第一连接盘组和配置在中央部的第二连接盘组之间的第一区域中的阻焊膜(7t1)的开口部(7ac)，就可使开口部(7ac)难于成为裂痕的起点，由此可以抑制裂痕的出现，从而提高POP(1)的可靠性。
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公开(公告)号：CN114520202A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111320041.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括：布线基板；安装在布线基板上的半导体芯片；布置在半导体芯片上以覆盖整个半导体芯片并且具有比半导体芯片的面积更大面积的散热片；以及覆盖半导体芯片和散热片并固定散热片的盖构件。盖构件具有面对半导体芯片的第一部分、布置在第一部分的外围并且被接合并固定到布线基板上的凸缘部分、以及布置在第一部分和凸缘部分之间的第二部分。在从散热片观察的盖构件的平面图中，散热片通过接合构件被接合/固定到盖构件，该接合构件部分地布置在散热片和盖构件之间。
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公开(公告)号：CN106469708B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201610693914.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据本发明，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(PKG1)包括搭载于配线基板(10)的上表面(10t)的半导体设备(半导体芯片或者半导体封装体)即存储设备(MC)。并且，在上表面(10t)，存储设备(MC)和上表面(10t)所具有的基板边(10s1)之间的间隔(SP1)小于存储设备(MC)和上表面(10t)所具有的基板边(10s2)之间的间隔(SP2)。并且，在上表面(10t)，在存储设备(M1)和基板边(10s1)之间形成有阻止部(DM)。
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公开(公告)号：CN102446779B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110208375.3
申请日：2011-07-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/04 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/06153 , H01L2224/06155 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/83051 , H01L2224/831 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，目的是提高半导体器件的可靠性。在下部封装(2)上层积了上部封装(9)的POP(1)中，通过用阻焊膜(7t2)来堵塞位于配置在下部封装(2)的布线基板(7)上表面(7a)的外缘部上的第一连接盘组和配置在中央部的第二连接盘组之间的第一区域中的阻焊膜(7t1)的开口部(7ac)，就可使开口部(7ac)难于成为裂痕的起点，由此可以抑制裂痕的出现，从而提高POP(1)的可靠性。
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