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公开(公告)号：CN103871993A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410104152.6
申请日：2010-01-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/022 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
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公开(公告)号：CN114520202A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111320041.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括：布线基板；安装在布线基板上的半导体芯片；布置在半导体芯片上以覆盖整个半导体芯片并且具有比半导体芯片的面积更大面积的散热片；以及覆盖半导体芯片和散热片并固定散热片的盖构件。盖构件具有面对半导体芯片的第一部分、布置在第一部分的外围并且被接合并固定到布线基板上的凸缘部分、以及布置在第一部分和凸缘部分之间的第二部分。在从散热片观察的盖构件的平面图中，散热片通过接合构件被接合/固定到盖构件，该接合构件部分地布置在散热片和盖构件之间。
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公开(公告)号：CN101789392B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010002041.6
申请日：2010-01-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/022 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695264B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201810312732.2
申请日：2018-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/488
Abstract: 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
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公开(公告)号：CN105590872B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510751271.5
申请日：2015-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。
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公开(公告)号：CN108695264A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810312732.2
申请日：2018-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0362 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/1601 , H01L2224/16013 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1713 , H01L2224/73204 , H01L2224/81048 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/04941 , H01L2224/1146 , H01L2224/47 , H01L23/488 , H01L23/13
Abstract: 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
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公开(公告)号：CN103871993B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410104152.6
申请日：2010-01-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/022 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
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公开(公告)号：CN105590872A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510751271.5
申请日：2015-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。
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