公开(公告)号：CN1754245A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200380107967.X

申请日：2003-12-30

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮 ,  安承濬 ,  金大旭

IPC: H01J37/06 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明提供了一种微柱捕获器及捕获器光圈和电子发射源的校准方法。本发明还提供了一种利用所述校准原理的探测系统、探测方法和校准方法。

公开(公告)号：CN101322218B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200680045633.8

申请日：2006-12-05

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮 ,  安承濬 ,  金大旭 ,  金荣喆

IPC: H01J37/147

CPC classification number: H01J37/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明涉及用于在产生电子束的电子柱中改善聚焦的方法。根据本发明的用于控制电子束的聚焦的方法减小了当电子束到达试件时该电子束的光斑大小，从而能够提高分辨率并能够减小半导体光刻处理中的图案的线宽，由此能够改善电子的性能。

公开(公告)号：CN101322218A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045633.8

申请日：2006-12-05

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮 ,  安承濬 ,  金大旭 ,  金荣喆

IPC: H01J37/147

CPC classification number: H01J37/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明涉及用于在产生电子束的电子柱中改善聚焦的方法。根据本发明的用于控制电子束的聚焦的方法减小了当电子束到达试件时该电子束的光斑大小，从而能够提高分辨率并能够减小半导体光刻处理中的图案的线宽，由此能够改善电子的性能。

公开(公告)号：CN100466151C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200380107967.X

申请日：2003-12-30

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮 ,  安承濬 ,  金大旭

IPC: H01J37/06 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明提供了一种微柱捕获器及捕获器光圈和电子发射源的校准方法。本发明还提供了一种利用所述校准原理的探测系统、探测方法和校准方法。

公开(公告)号：CN101103247A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200580031578.2

申请日：2005-09-20

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮 ,  安承濬 ,  金大旭 ,  张元權

IPC: G01B11/27

CPC classification number: G02B27/62 ,  G01B11/272

Abstract: 本发明提供了一种利用激光衍射图校准部件的微孔的方法及利用该方法的系统。提供的方法用于利用激光器校准孔。通过利用所述激光器的光束产生衍射图而垂直校准所述孔。