半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101983419B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200880128463.9

    申请日:2008-10-30

    CPC classification number: H01L21/565 H01L23/3121 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于:对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5~2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6),使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3),一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头(7)进行按压,一边从电路基板(1)侧进行加热,由此,将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上,同时,将半导体芯片(3)树脂密封后,将剥离膜(4)剥离。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101983419A

    公开(公告)日:2011-03-02

    申请号:CN200880128463.9

    申请日:2008-10-30

    CPC classification number: H01L21/565 H01L23/3121 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于:对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5~2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6),使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3),一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头(7)进行按压,一边从电路基板(1)侧进行加热,由此,将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上,同时,将半导体芯片(3)树脂密封后,将剥离膜(4)剥离。

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