公开(公告)号：CN117751304A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280050303.7

申请日：2022-03-03

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 户田淳 ,  中村信男

IPC: G01S7/481 ,  G01C3/06 ,  G01S7/4914 ,  G01S7/4863

Abstract: 本公开的目的是提供紧凑、高分辨率和高灵敏度的传感器装置。根据本发明的传感器装置包括：照射单元(211)，向物体(OBJ)发射激光；光接收单元(电荷生成单元221)，接收来自物体的反射光；以及波导(212)，将由光源(激光光源11)生成的激光引导至照射单元。照射单元(211)和光接收单元(电荷生成单元221)位于外部透镜光学系统(12)的光轴上。

公开(公告)号：CN118103725A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068893.6

申请日：2022-06-09

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 中村信男 ,  户田淳

IPC: G01S7/481 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/894 ,  H01L27/146 ,  H01L31/12

Abstract: [问题]提供一种能够实现更小尺寸的光检测元件和光检测装置。[方案]根据本发明的实施方式的光检测元件具有：光照射单元，向被测量对象照射具有第一方向的测量光，并且照射具有与所述第一方向不同的第二方向的参考光；以及光电转换元件，接收参考光并且执行光电转换。

公开(公告)号：CN114731381A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079786.4

申请日：2020-12-11

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 中村信男 ,  蛯子芳树 ,  远藤表德 ,  河合信宏 ,  古闲史彦 ,  横川创造 ,  寄门雄飞 ,  若林准人

IPC: H04N5/3745

Abstract: 在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。

公开(公告)号：CN117597885A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280046971.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 板垣俊辉 ,  中村信男

IPC: H04L9/32

Abstract: 提高数据的篡改的检测能力。一种散列生成设备包括参考散列信息生成单元和参考散列生成单元。包括在散列生成设备中的参考散列信息生成单元通过根据数据的共通处理来生成多条参考散列信息，所述多条参考散列信息是作为从所述数据生成的散列并且用于所述数据的篡改的确定的参考散列的信息。包括在散列生成设备中的参考散列生成单元基于生成的参考散列信息来生成参考散列。

公开(公告)号：CN114631189A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080075721.2

申请日：2020-12-03

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 寄门雄飞 ,  蛯子芳树 ,  远藤表德 ,  河合信宏 ,  古闲史彦 ,  中村信男 ,  横川创造 ,  若林准人

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/363 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  G01S7/481 ,  G01S17/08

Abstract: 提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。

公开(公告)号：CN114600441A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074143.0

申请日：2020-07-17

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 板垣俊辉 ,  宫本宗 ,  中村信男

IPC: H04N1/32 ,  H04N9/04 ,  H04N9/69 ,  G06T1/00

Abstract: 本发明实现了对将信息嵌入到内容中的电子设备的版权保护和防篡改。该电子设备设置有内容生成单元、第一嵌入处理单元以及第二嵌入处理单元。在该电子设备中，内容生成单元生成内容。在该电子设备中，第一嵌入处理单元将与内容有关的第一嵌入信息嵌入到内容中。第二嵌入处理单元将第二嵌入信息嵌入到内容中。

公开(公告)号：CN114830337A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080086728.4

申请日：2020-12-14

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 寄门雄飞 ,  蛯子芳树 ,  远藤表德 ,  河合信宏 ,  古闲史彦 ,  中村信男 ,  横川创造 ,  若林准人

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H04N5/3745 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/894

Abstract: 提供了一种光接收元件，其包括：半导体基板；光电转换单元(PD)，其设置在半导体基板(200)中，并且将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第一电荷累积单元；第一分配栅极(150a)，其设置在半导体基板的表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第一电荷累积单元；第二电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第二电荷累积单元；和第二分配栅极(150b)，其设置在半导体基板的所述表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第二电荷累积单元，其中，所述第一分配栅极和所述第二分配栅极分别具有嵌入在半导体基板中的一对嵌入栅极部(170a和170b)。