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公开(公告)号：CN101247023B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN101651287A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910166719.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18327 , H01S5/02461 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S2301/166 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λ x 的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率R x 与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率R y 之差ΔR(＝R x -R y )随着温度从常温增加到高温而增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101127434A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710182107.2
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN102163803B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101651287B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910166719.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18327 , H01S5/02461 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S2301/166 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λx的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率Rx与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率Ry之差ΔR(＝Rx-Ry)随着温度从常温增加到高温而增加。
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公开(公告)号：CN102163803A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101247023A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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