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公开(公告)号：CN101127434A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710182107.2
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN102163803B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714745B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910178946.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/168 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。
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公开(公告)号：CN102163803A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101247023A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN101247023B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN101714745A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178946.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/168 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。
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