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公开(公告)号：CN1295525C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410076689.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/12004 , G02B6/4214 , G02B6/4298 , G02B27/0172 , G02B2006/12147 , G02B2006/12195 , G02B2027/0118
Abstract: 本发明公开了一种光波导和光信息处理装置。芯层具有光输入区域和光输出区域，所述光输入区域的宽度比所述光输出区域的宽度要宽。光输入区域具有至少一个侧表面形成反射表面。光输入区域具有抛物线形端部。LED设置成与光输入区域的下表面接触。信号光以提高的光输入效率从LED引导进入光输入区域，并且被光输入区域的侧表面高效反射，以获得更高的聚光效率。
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公开(公告)号：CN1278463C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410043091.3
申请日：2004-04-24
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒木田孝博
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/4087
Abstract: 公开一种多波长半导体激光器。多波长半导体激光器具有通过分离区域设置在公共衬底上的第一侧边发射型谐振器结构和第二侧边发射型谐振器结构。第一侧边发射型谐振器结构具有650nm的振荡波长。第二侧边发射型谐振器结构具有780nm的振荡波长。低反射薄膜是由60nm的第一Al2O3薄膜、55nm的TiO2薄膜和140nm的第二Al2O3薄膜组成的三层介电薄膜，其中TiO2薄膜的折射率小于第一Al2O3薄膜的折射率和第二Al2O3薄膜的折射率。
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公开(公告)号：CN1540821A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410043091.3
申请日：2004-04-24
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒木田孝博
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/4087
Abstract: 公开一种多波长半导体激光器。多波长半导体激光器具有通过分离区域设置在公共衬底上的第一侧边发射型谐振器结构和第二侧边发射型谐振器结构。第一侧边发射型谐振器结构具有650nm的振荡波长。第二侧边发射型谐振器结构具有780nm的振荡波长。低反射薄膜是由60nm的第一Al2O3薄膜、55nm的TiO2薄膜和140nm的第二Al2O3薄膜组成的三层介电薄膜，其中TiO2薄膜的折射率小于第一Al2O3薄膜的折射率和第二Al2O3薄膜的折射率。
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公开(公告)号：CN101247023B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN101634734A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910160143.8
申请日：2009-07-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4214 , G02B6/4201 , G02B6/428 , H05K1/0274
Abstract: 本发明涉及光学装置，该光学装置包括：多层结构基板，在该多层结构基板上堆叠多个绝缘层，并且在层之间形成配线图案；凹部，通过切除多层结构基板的一部分暴露层间的配线图案；光学元件，安装在凹部内并电导通到凹部暴露的配线图案；以及光波导构件，形成光学元件的光路，并且沿着多层结构基板的表面引导光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591060A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410076689.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/12004 , G02B6/4214 , G02B6/4298 , G02B27/0172 , G02B2006/12147 , G02B2006/12195 , G02B2027/0118
Abstract: 本发明公开了一种光波导和光信息处理装置。芯层具有光输入区域和光输出区域，所述光输入区域的宽度比所述光输出区域的宽度要宽。光输入区域具有至少一个侧表面形成反射表面。光输入区域具有抛物线形端部。LED设置成与光输入区域的下表面接触。信号光以提高的光输入效率从LED引导进入光输入区域，并且被光输入区域的侧表面高效反射，以获得更高的聚光效率。
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公开(公告)号：CN102163803B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101651287B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910166719.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18327 , H01S5/02461 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S2301/166 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λx的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率Rx与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率Ry之差ΔR(＝Rx-Ry)随着温度从常温增加到高温而增加。
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公开(公告)号：CN102163803A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101247023A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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