公开(公告)号：CN101752788B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200910254054.X

申请日：2009-12-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤本强 ,  大桥希美 ,  仓本大 ,  仲山英次

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。

公开(公告)号：CN101752788A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910254054.X

申请日：2009-12-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤本强 ,  大桥希美 ,  仓本大 ,  仲山英次

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。