-
公开(公告)号：CN101425659B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810135184.7
申请日：2008-08-13
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III-V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III-V族化合物半导体层。
-
公开(公告)号：CN1933262A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153767.3
申请日：2006-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/024 , B82Y20/00 , H01L2224/48463 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/028 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
-
公开(公告)号：CN101814698B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010180241.0
申请日：2006-09-15
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 仓本大
CPC classification number: H01S5/026 , H01L2224/4813 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0262 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种具有简单结构的能够探测激光的激光二极管器件。该激光二极管器件包括通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构，以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中该半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。
-
公开(公告)号：CN101635434B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910159940.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0658 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0652 , H01S5/1064 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够进行自脉动工作，并能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。该激光二极管包括：在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的包括至少一个激光器条的激光器芯片，其中所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度。
-
公开(公告)号：CN101635434A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910159940.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0658 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0652 , H01S5/1064 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够进行自脉动工作，并能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。该激光二极管包括：在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的包括至少一个激光器条的激光器芯片，其中所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976144A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610171904.6
申请日：2006-09-15
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 仓本大
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/026 , H01L2224/4813 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0262 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 提供一种具有简单结构的能够探测激光的激光二极管器件。该激光二极管器件包括通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构，以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中该半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。
-
公开(公告)号：CN101752788B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910254054.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。
-
公开(公告)号：CN101714745A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178946.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/168 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。
-
公开(公告)号：CN100539331C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610153767.3
申请日：2006-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/024 , B82Y20/00 , H01L2224/48463 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/028 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
-
公开(公告)号：CN101425659A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810135184.7
申请日：2008-08-13
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III－V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III－V族化合物半导体的活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III－V族化合物半导体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.038 seconds)
