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公开(公告)号：CN101188346B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710306136.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN101188346A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710306136.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN101179179A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710186339.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0756 , H01L33/0095 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种能够精确检测解理位置的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。在与第一基板面对的第二基板的侧上形成的绝缘层上，第二发光器件具有分别与第一发光器件的各p侧电极相对布置且电连接到第一发光器件的p侧电极的带状对向电极、分别电连接到各对向电极的连接垫、电连接到p侧电极的连接垫、和布置有位于解理面S3或解理面S4的平面内的一个端部的标记。
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公开(公告)号：CN101752788B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910254054.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。
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公开(公告)号：CN101714745A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178946.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/168 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101425659A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810135184.7
申请日：2008-08-13
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III－V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III－V族化合物半导体的活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1770577A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层和接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面。
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公开(公告)号：CN101895062B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201010235391.7
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/40 , G11B7/1275 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN101714745B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910178946.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/168 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。
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公开(公告)号：CN101752788A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910254054.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。
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