公开(公告)号：CN1644483A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410103758.4

申请日：2004-10-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村本准一

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。

公开(公告)号：CN1331729C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410103758.4

申请日：2004-10-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村本准一

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。