公开(公告)号：CN101852811B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201010154948.4

申请日：2010-03-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·霍尔茨曼 ,  C·奥尔 ,  H·埃梅里希

IPC: G01P1/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/0054 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  G01D11/245 ,  G01P1/023 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种传感器模块(100)，该传感器模块具有一壳体(110)和一设置在该壳体中的芯片装置(120)，其中，该芯片装置(120)设置在一衬底(130)上并且嵌入到沉积到所述衬底上的密封层(150)中。在此，该芯片装置(120)设置在框架结构(140)的窗口区域(141)中，该框架结构设置在该衬底(130)上并且基本上具有与衬底(130)相同的热膨胀特性。

公开(公告)号：CN102012446A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010274480.2

申请日：2010-09-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： W·海尔维希 ,  V·蒂尔斯 ,  M·霍尔茨曼 ,  K·费德恩 ,  F·埃伯哈特 ,  M·蒙茨 ,  S·吕本纳克

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/20

CPC classification number: G01R33/072 ,  G01R15/207 ,  G01R33/091

Abstract: 一种用于测量导体(11，23，31)中的电流的电流传感器(10；22；30)，具有位于所述导体旁边的两个磁场传感器(13，14；24，25；32，33)，其特征在于，这些磁场传感器是具有两个测量方向(18，17)的至少二维的磁场传感器。由此可以补偿不均匀的干扰场。

公开(公告)号：CN101852811A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010154948.4

申请日：2010-03-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·霍尔茨曼 ,  C·奥尔 ,  H·埃梅里希

IPC: G01P1/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/0054 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  G01D11/245 ,  G01P1/023 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种传感器模块(100)，该传感器模块具有一壳体(110)和一设置在该壳体中的芯片装置(120)，其中，该芯片装置(120)设置在一衬底(130)上并且嵌入到沉积到所述衬底上的密封层(150)中。在此，该芯片装置(120)设置在框架结构(140)的窗口区域(141)中，该框架结构设置在该衬底(130)上并且基本上具有与衬底(130)相同的热膨胀特性。