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公开(公告)号:CN109195320A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201811267780.0
申请日:2018-10-29
Applicant: 苏州全波通信技术股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 一种基于石墨烯的半导体优化导热方法及结构,通过将单张石墨烯薄片折叠后设置于半导体热源和金属散热器之间且分别与之面接触从而实现优化散热。本发明能充分发挥石墨烯高达1500-1700w/mk的热导率以及热扩散率高等优点,能够迅速降低热点(热量积聚点)温度,实现半导体电路的散热。
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公开(公告)号:CN209659701U
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201821758834.9
申请日:2018-10-29
Applicant: 苏州全波通信技术股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 一种基于石墨烯的半导体优化导热结构,包括:带有单张石墨烯薄片的金属散热器,其中:单张石墨烯薄片分别与金属散热器以及设置于半导体上的导热板面接触;单张石墨烯薄片为单层结构、双层对折结构或多层对折结构。本实用新型通过将单张石墨烯薄片折叠后设置于半导体热源和金属散热器之间且分别与之面接触从而实现优化散热。本实用新型能充分发挥石墨烯高达1500-1700w/mk的热导率以及热扩散率高等优点,能够迅速降低热点(热量积聚点)温度,实现半导体电路的散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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