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公开(公告)号：CN118425559B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410888184.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN117490671B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311828569.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开了一种微机电三轴陀螺仪与电子设备，微机电三轴陀螺仪包括：衬底；驱动组件，其包括间隔设置且振动方向相反的第一驱动框架和第二驱动框架；连接于第一驱动框架和第二驱动框架之间的第一检测组件和第二检测组件；第三检测组件，其包括对称地设置在驱动组件的外周的第一检测部和第二检测部；第一检测部和第二检测部分别与第一驱动框架和第二驱动框架连接；连接组件，连接组件分别与第一检测部和第二检测部连接。本发明使第一检测部和第二检测部具有相同的振动频率，提高检测精度。
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公开(公告)号：CN117509529A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
Abstract: 本发明的实施例公开了一种惯性传感器结构与惯性传感器，其中惯性传感器结构包括：衬底；器件结构，其设置在衬底的一侧，器件结构包括第一可动质量块、第二可动质量块；第一可动质量块和第二可动质量块关于一中心点180°旋转对称；一对限位梁，第一可动质量块和第二可动质量块的几何中心确定第一直线，一对限位梁分别设置在第一可动质量块和第二可动质量块关于第一直线的两侧，限位梁对子梁分别与一可动质量块中质量较大的质量单元以及另一可动质量块中质量较小的质量单元连接。根据本发明，限位梁使两个可动质量块翻转运动同频，并对可动质量块起到限位作用以避免器件结构与其它结构粘连失效，提高产品的精确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114994363B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210853100.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/08 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种MEMS惯性传感结构及其制作方法。本发明在感测质量块的两侧分别设置第一检测电极层和第二检测电极层，从而当可动质量块发生位移时，位于所述固定轴同一侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块之间形成的电容容值的变化量的绝对值相同或位于所述固定轴不同侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块形成的电容容值的变化量相同。另一方面，与所述第二检测电极层同层设置有对称的止挡结构，以保证感测质量块在运动过程中不会超过MEMS惯性传感结构的量程范围，并且止挡结构上具有多级止挡的凸起部，随着感测质量块的运动幅度增大，提供更大的反向力。
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公开(公告)号：CN114720721A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210265692.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种电容式加速度传感器，包括衬底、锚定部、质量块和扭转部。所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118619195B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411109804.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。
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公开(公告)号：CN117647662B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410122000.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹性梁以及耦合梁；感测结构通过弹性梁与锚点连接，感测结构关于感测轴方向的一侧设有弹性方向与感测轴方向垂直的耦合梁；耦合梁连接活动质量块和感测结构；感测结构包括至少一个用于响应感测轴方向上的加速度的电容；两组惯性单元的彼此的感测轴方向相互垂直。本发明避免非感测轴方向的干扰模态影响活动质量块使其发生面内的扭转，提高测量结果的准确性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN116909092B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311148659.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G03F1/80 , G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，包括：形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体，形成覆盖环形开口部、固定部和第一止挡结构的氧化层，提供器件结构层，将器件结构层与顶盖体之间通过氧化层键合，刻蚀器件结构层以形成器件结构，器件结构上形成有第一镂空结构，顶盖体的第一止挡结构与器件结构的第一镂空结构通过所述氧化层连接固定，通过第一镂空结构处对覆盖于第一止挡结构的端面的氧化层进行刻蚀，以在第一止挡结构与可动质量块之间形成间隙，从而完美的实现了通过硅氧键合也能够在顶盖体面向器件结构的一侧制作第一止挡结构，并且该第一止挡结构的存在不会影响到可动质量块的正常活动。
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公开(公告)号：CN116907466A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311182057.3
申请日：2023-09-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本申请提供一种微机电三轴陀螺仪和电子设备；包括衬底、第一检测组件、第二检测组件、第三检测组件和驱动框架，第一检测组件和第二检测组件位于衬底的同侧且间隔设置；第一检测组件包括第一质量块，第二检测组件包括第二质量块；驱动框架包括间隔设置的第一驱动框架和第二驱动框架；第一检测组件和第二检测组件位于第一驱动框架和第二驱动框架之间；第三检测组件包括第一检测部和第二检测部，第一检测部位于第一驱动框架内，第二检测部位于第二驱动框架内；第一质量块、第二质量块、第一检测部和第二检测部相互独立。即三个检测轴的质量相互独立，彼此不直接连接，因此本申请提供的一种微机电三轴陀螺仪和电子设备，可降低各检测组件之间的干扰。
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公开(公告)号：CN116577525B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310864666.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01C21/16
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器，包括：包括衬底和器件结构，所述器件结构位于所述衬底的一侧之上，所述器件结构包括可动质量块以及用于固定所述可动质量块的中心锚点，所述可动质量块包括第一质量单元和第二质量单元，所述第一质量单元的质量与所述第二质量单元的质量不等，旨在通过在邻近第一质量单元的一侧或者在邻近第二质量单元的一侧布置有静电力驱动结构，通过向所述静电力驱动结构施加电压产生静电力，使发生粘连的质量单元复位并正常工作。采用本发明提供的技术方案能够避免惯性传感器在遇到大冲击时发生粘连的问题。
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