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公开(公告)号：CN102668067B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080060049.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H05K1/112 , G06F1/183 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/73203 , H01L2924/01046 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
Abstract: 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括通过热压接合将贴片结构附连到内插器、在安置于所述内插器的顶部表面上的互连结构的阵列周围来形成底部填充、固化所述底部填充、以及然后将管芯附连到所述贴片结构。
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公开(公告)号：CN102725845A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080051284.7
申请日：2010-09-20
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/14
CPC classification number: H05K1/165 , H01L24/16 , H01L2224/16 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H05K1/0254 , H05K1/0262 , H05K1/116 , H05K2201/09509 , H05K2201/09527 , H05K2201/096 , H05K2201/10378 , H05K2203/1572 , H01L2924/00
Abstract: 一种微电子器件包括其中有第一导电路径(111)的第一衬底(110)和在第一衬底上方且其中具有第二导电路径(121)的第二衬底(120)，其中，第一导电路径和第二导电路径电连接到彼此并形成电感器(130)的电流回路(131)的一部分。
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公开(公告)号：CN102725845B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201080051284.7
申请日：2010-09-20
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/14
Abstract: 一种微电子器件包括其中有第一导电路径(111)的第一衬底(110)和在第一衬底上方且其中具有第二导电路径(121)的第二衬底(120)，其中，第一导电路径和第二导电路径电连接到彼此并形成电感器(130)的电流回路(131)的一部分。
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公开(公告)号：CN102668067A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080060049.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H05K1/112 , G06F1/183 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/73203 , H01L2924/01046 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
Abstract: 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括通过热压接合将贴片结构附连到内插器、在安置于所述内插器的顶部表面上的互连结构的阵列周围来形成底部填充、固化所述底部填充、以及然后将管芯附连到所述贴片结构。
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