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公开(公告)号：CN107534037B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201580079933.7
申请日：2015-05-13
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/66 , H01L25/10 , H01L21/768
Abstract: 本公开的一些实施例描述一种具有双层电介质结构的多层封装以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，集成电路（IC）封装组件包含与金属层耦合的电介质结构，其中该电介质结构包含第一电介质层和第二电介质层，其中第一电介质层具有小于第二电介质层的厚度的厚度以及大于第二层的介电损耗角正切的介电损耗角正切。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN102668067B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080060049.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H05K1/112 , G06F1/183 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/73203 , H01L2924/01046 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
Abstract: 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括通过热压接合将贴片结构附连到内插器、在安置于所述内插器的顶部表面上的互连结构的阵列周围来形成底部填充、固化所述底部填充、以及然后将管芯附连到所述贴片结构。
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公开(公告)号：CN105374784A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510420878.5
申请日：2015-07-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106
Abstract: 本发明涉及用于无芯封装和具有嵌入式互连桥的封装的双面阻焊层及其制造方法。公开了一种具有双面阻焊层的无芯封装基板。该无芯封装基板具有顶面和与顶面相对的底面，以及包括由至少一个绝缘层、至少一个通孔和至少一个导电层形成的单个堆积结构。该无芯封装基板也包括在底面上的底部多个接触焊盘，以及在顶面上的顶部多个接触焊盘。底部阻焊层处于底面上，以及顶部阻焊层处于顶面上。双面阻焊的概念被延伸至具有在较宽范围内的C4互连间距的具有内部互连桥的封装。
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公开(公告)号：CN102725845B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201080051284.7
申请日：2010-09-20
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/14
Abstract: 一种微电子器件包括其中有第一导电路径(111)的第一衬底(110)和在第一衬底上方且其中具有第二导电路径(121)的第二衬底(120)，其中，第一导电路径和第二导电路径电连接到彼此并形成电感器(130)的电流回路(131)的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347600A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410333254.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施例涉及针对多个管芯的封装组件配置及关联的技术。在一个实施例中，封装组件包含：具有第一侧和被安置成与第一侧相对的第二侧的封装衬底，被安装在第一侧上和通过一个或多个第一管芯级互连与封装衬底电耦合的第一管芯，被安装在第二侧上和通过一个或多个第二管芯级互连与封装衬底电耦合的第二管芯，和被安置在封装衬底的第一侧上并被配置成在第一管芯与封装衬底外部的电器件之间和在第二管芯与外部器件之间路由电信号的封装级互连结构。其他实施例可以被描述和/或要求保护。
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公开(公告)号：CN102668067A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080060049.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H05K1/112 , G06F1/183 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/73203 , H01L2924/01046 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
Abstract: 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括通过热压接合将贴片结构附连到内插器、在安置于所述内插器的顶部表面上的互连结构的阵列周围来形成底部填充、固化所述底部填充、以及然后将管芯附连到所述贴片结构。
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公开(公告)号：CN108292641A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084901.6
申请日：2015-12-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H05K1/185 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L25/16 , H05K1/181 , H05K3/0047 , H05K3/3436 , H05K3/4038 , H05K2201/10015 , H05K2201/1003 , H05K2201/10454 , H05K2201/10515 , H05K2201/10651
Abstract: 实施例一般针对垂直嵌入的无源组件。装置的实施例包括半导体管芯;以及与半导体管芯耦合的封装。该封装包括与半导体管芯连接的一个或多个无源组件，该一个或多个无源组件垂直嵌入封装衬底中，无源组件中的每个包括第一端子和第二端子。第一无源组件嵌入在封装中钻孔的通孔中，第一无源组件的第一端子借助通过封装上的上堆积层的过孔连接到半导体管芯。
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公开(公告)号：CN107534037A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580079933.7
申请日：2015-05-13
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/66 , H01L25/10 , H01L21/768
Abstract: 本公开的一些实施例描述一种具有双层电介质结构的多层封装以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，集成电路（IC）封装组件包含与金属层耦合的电介质结构，其中该电介质结构包含第一电介质层和第二电介质层，其中第一电介质层具有小于第二电介质层的厚度的厚度以及大于第二层的介电损耗角正切的介电损耗角正切。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN102725845A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080051284.7
申请日：2010-09-20
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/14
CPC classification number: H05K1/165 , H01L24/16 , H01L2224/16 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H05K1/0254 , H05K1/0262 , H05K1/116 , H05K2201/09509 , H05K2201/09527 , H05K2201/096 , H05K2201/10378 , H05K2203/1572 , H01L2924/00
Abstract: 一种微电子器件包括其中有第一导电路径(111)的第一衬底(110)和在第一衬底上方且其中具有第二导电路径(121)的第二衬底(120)，其中，第一导电路径和第二导电路径电连接到彼此并形成电感器(130)的电流回路(131)的一部分。
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