公开(公告)号：CN104952865A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510090042.3

申请日：2015-02-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·R·蔡斯 ,  M·J·马努沙罗 ,  M·K·罗伊

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18162 ,  H05K1/183 ,  H05K1/186 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了电子封装和将第一管芯连接到另一个管芯以形成电子封装的方法。一些实施例涉及电子封装。所述电子封装包括包含多个堆积层的衬底。第一管芯嵌入在所述堆积层中的位于所述衬底的一侧上的层中。第二管芯在所述衬底的相反侧上的空腔内结合到所述衬底。所述第一管芯和所述第二管芯可以电连接到所述多个堆积层内的导体。其它实施例涉及将第一管芯连接到第二管芯以形成电子封装的方法。所述方法包括将第一管芯附接到内核并且在所述内核上制备衬底。所述方法还包括在所述堆积层中的位于所述衬底的相反侧上的另一层中创建空腔并且在所述空腔内将第二管芯附接到所述衬底。

公开(公告)号：CN103872010A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310757157.4

申请日：2013-12-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  M·J·马努沙罗 ,  H·R·蔡斯

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01F17/0013 ,  H01F2017/0066

Abstract: 本发明涉及形成在衬底中的电感器。具体而言，一种方法和器件，包括在第一电介质层上形成第一导体作为线圈的局部匝。在覆盖所述第一电介质层和所述第一导体的第二电介质层上形成第二导体，所述第二导体形成所述线圈的局部匝；垂直互连将所述第一导体和第二导体耦合，以形成所述线圈的第一整匝。所述互连耦合可以通过嵌入一些可选的磁性材料到衬底中进行加强。

公开(公告)号：CN103872026A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310659460.0

申请日：2013-12-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L21/02 ,  G06F1/1658 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中，装置包括安装在封装基底上的IC，以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。

公开(公告)号：CN103871906A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310757420.X

申请日：2013-12-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  M·J·马努沙罗

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/4647 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/185 ,  H05K3/108 ,  H05K3/465 ,  H05K2203/0733 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/5386 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开大体涉及一种电子芯片封装，该封装可包括管芯和大体上包围该管芯的堆积层。电互连可电耦合到管芯，并且至少部分穿过堆积层。可采用电互连中的第一个将光发射器电耦合到管芯，且将该光发射器构造为从电子芯片封装的第一主表面发射光。可采用电互连中的第二个将焊接凸点电耦合到管芯，且将该焊接凸点定位在电子芯片封装中的不同于第一主表面的第二主表面上。

公开(公告)号：CN102770957A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064633.9

申请日：2010-11-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  I·A·萨拉马 ,  C·K·古鲁默西 ,  R·L·赞克曼

IPC: H01L23/485 ,  H05K3/46 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了形成具有在聚合物块中的模穿孔的集成电路芯片封装的方法以及这种封装。例如，第一互连层可以形成在模制聚合物块上，其中所述第一互连层包括穿过第一聚合物层且到达所述块的第一互连。随后，至少一个第二互连层可以形成在所述第一互连层上，其中所述第二互连层包括穿过第二聚合物层且到达所述第一互连层的所述第一互连的第二互连。随后，可以形成穿过所述块、进入所述第一互连层中且到达所述第一互连的模穿孔。所述模穿孔可以填充有焊料以形成接触所述第一互连并在所述块上延伸的凸块。还描述并要求了其它实施例。

公开(公告)号：CN103620766B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280031403.1

申请日：2012-06-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/4857 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15312 ,  H05K3/007 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4682 ,  H05K2203/0769 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种无芯针栅阵列（PGA）基板包括在不需要使用焊料的情况下集成到PGA基板的PGA引脚。制造无芯PGA基板的工艺通过在PGA引脚上形成构建层来集成PGA引脚，以使通孔直接接触于PGA引脚的引脚头。

公开(公告)号：CN103404245B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201180059570.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  I·A·萨拉马 ,  Y·李

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/045 ,  H01L23/055

CPC classification number: H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件基板，包括作为层叠芯部的前侧区段和后侧区段，所述层叠芯部设置在第一芯部的前侧表面和后侧表面上。所述第一芯部具有圆柱形的镀覆通孔，该镀覆通孔被镀覆了金属且填充有空芯材料。所述前侧区段和所述后侧区段具有激光钻的锥形过孔，所述锥形过孔填充有导电材料且被耦合至所述镀覆通孔。所述后侧区段包含与所述前侧区段连通的整体的电感器线圈。所述第一芯部和层叠芯部形成具有整体的电感器线圈的、混合芯部半导体器件基板。

公开(公告)号：CN104952865B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510090042.3

申请日：2015-02-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·R·蔡斯 ,  M·J·马努沙罗 ,  M·K·罗伊

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明描述了电子封装和将第一管芯连接到另一个管芯以形成电子封装的方法。一些实施例涉及电子封装。所述电子封装包括包含多个堆积层的衬底。第一管芯嵌入在所述堆积层中的位于所述衬底的一侧上的层中。第二管芯在所述衬底的相反侧上的空腔内结合到所述衬底。所述第一管芯和所述第二管芯可以电连接到所述多个堆积层内的导体。其它实施例涉及将第一管芯连接到第二管芯以形成电子封装的方法。所述方法包括将第一管芯附接到内核并且在所述内核上制备衬底。所述方法还包括在所述堆积层中的位于所述衬底的相反侧上的另一层中创建空腔并且在所述空腔内将第二管芯附接到所述衬底。

公开(公告)号：CN102770957B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201080064633.9

申请日：2010-11-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  I·A·萨拉马 ,  C·K·古鲁默西 ,  R·L·赞克曼

IPC: H01L23/485 ,  H05K3/46 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了形成具有在聚合物块中的模穿孔的集成电路芯片封装的方法以及这种封装。例如，第一互连层可以形成在模制聚合物块上，其中所述第一互连层包括穿过第一聚合物层且到达所述块的第一互连。随后，至少一个第二互连层可以形成在所述第一互连层上，其中所述第二互连层包括穿过第二聚合物层且到达所述第一互连层的所述第一互连的第二互连。随后，可以形成穿过所述块、进入所述第一互连层中且到达所述第一互连的模穿孔。所述模穿孔可以填充有焊料以形成接触所述第一互连并在所述块上延伸的凸块。还描述并要求了其它实施例。

公开(公告)号：CN104037161A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310757213.4

申请日：2013-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  S·M·洛茨 ,  任纬伦

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/2064 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/141 ,  H05K1/142 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/048 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了采用有机桥来允许多芯片互相连接的实施例。在一些实施例中，有机封装衬底具有嵌入式有机桥。有机桥可具有允许管芯的附件通过有机桥而互相连接的互连结构。在一些实施例中，有机桥包括金属布线层、金属焊盘层以及交错的有机聚合物介电层，但没有衬底层。仅有几层的实施例可被嵌入到有机封装衬底的顶层或者顶部的几层中。还描述了制造的方法。