公开(公告)号：CN104333838B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201410349209.9

申请日：2014-07-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  M.纳瓦茨

IPC: H04R31/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/053 ,  H01L21/30604 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种微机电系统器件。MEMS器件包括振膜，振膜包括第一多个指状物。对置电极布置包括第二多个指状物，第二多个指状物按照与振膜的第一多个指状物相间错开的关系放置。偏转器被配置为使振膜偏转，使得第一和第二多个指状物在除了指状物的表面的最大重叠之外的位置中位移。

公开(公告)号：CN104333838A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410349209.9

申请日：2014-07-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  M.纳瓦茨

IPC: H04R31/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/053 ,  H01L21/30604 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种微机电系统器件。MEMS器件包括振膜，振膜包括第一多个指状物。对置电极布置包括第二多个指状物，第二多个指状物按照与振膜的第一多个指状物相间错开的关系放置。偏转器被配置为使振膜偏转，使得第一和第二多个指状物在除了指状物的表面的最大重叠之外的位置中位移。