公开(公告)号：CN102556936A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110443674.5

申请日：2011-12-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.阿伦斯 ,  W.弗里扎 ,  T.格里勒 ,  K.米姆勒 ,  G.齐格

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: H04R23/00 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  G01L9/0042 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。

公开(公告)号：CN102556936B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201110443674.5

申请日：2011-12-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.阿伦斯 ,  W.弗里扎 ,  T.格里勒 ,  K.米姆勒 ,  G.齐格

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: H04R23/00 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  G01L9/0042 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。