公开(公告)号：CN112736009A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011162046.5

申请日：2020-10-27

Applicant: 藤森工业株式会社

Inventor： 铃木佑奈 ,  千嶋宪治 ,  野村直宏

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割带及半导体部件的制造方法。切割带(10)具有切割带主体(15)和保护切割带主体(15)的保护层(16)，切割带主体(15)具有粘着剂层(11)和支撑粘着剂层(11)的第一基材膜(12)，保护层(16)具有第二基材膜(14)和将第二基材膜(14)接合于第一基材膜(12)的粘合剂层(13)。

公开(公告)号：CN103194152B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210545119.8

申请日：2012-12-14

Applicant: 藤森工业株式会社

Inventor： 林益史 ,  千嶋宪治 ,  宫坂洋之

IPC: C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  C09J133/00 ,  B32B7/12 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明提供一种表面保护膜以及贴合其的光学部件、工业制品。所述表面保护膜为即使被粘物密合层的粘合力降低，在制造表面保护膜的工序中，被粘物密合层与作为用于保护其表面的膜的覆盖膜之间也不发生浮起，具有表面平滑的被粘物密合层，从被粘物剥离时能够轻松地剥离，在制造工序中的使用中紧密密合于被粘物保护被粘物的表面保护膜，且在剥离表面保护膜之后的被粘物表面的污染少。表面保护膜10具有在透明基材1的至少一面上层积由硅酮树脂形成的表面平滑的被粘物密合层2得到的被粘物密合膜5，为了保护被粘物密合层2的表面，将在基材4的一面上形成粘合剂层3的覆盖膜6经由粘合剂层3贴合至被粘物密合层2的表面。

公开(公告)号：CN117203297A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280031095.6

申请日：2022-04-26

Applicant: 藤森工业株式会社

Inventor： 铃木佑奈 ,  佃壮一 ,  千嶋宪治

IPC: C09J7/20

Abstract: 该带(10)在基材层(12)的一面具有粘接层(11)，其断裂伸长率为100％以上、弹性模量为2GPa以下，且在230℃×80秒的加热后，具有断裂伸长率为100％以上、弹性模量为2GPa以下。

公开(公告)号：CN103194152A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210545119.8

申请日：2012-12-14

Applicant: 藤森工业株式会社

Inventor： 林益史 ,  千嶋宪治 ,  宫坂洋之

IPC: C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  C09J133/00 ,  B32B7/12 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明提供一种表面保护膜以及贴合其的光学部件、工业制品。所述表面保护膜为即使被粘物密合层的粘合力降低，在制造表面保护膜的工序中，被粘物密合层与作为用于保护其表面的膜的覆盖膜之间也不发生浮起，具有表面平滑的被粘物密合层，从被粘物剥离时能够轻松地剥离，在制造工序中的使用中紧密密合于被粘物保护被粘物的表面保护膜，且在剥离表面保护膜之后的被粘物表面的污染少。表面保护膜10具有在透明基材1的至少一面上层积由硅酮树脂形成的表面平滑的被粘物密合层2得到的被粘物密合膜5，为了保护被粘物密合层2的表面，将在基材4的一面上形成粘合剂层3的覆盖膜6经由粘合剂层3贴合至被粘物密合层2的表面。