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公开(公告)号:CN117747385A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311742455.6
申请日:2023-12-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J35/08
Abstract: 本发明涉及同轴虚阴极反射三极管,具体涉及一种多环电场增强型同轴虚阴极反射三极管,解决了现有同轴虚阴极反射三极管的工作阻抗难以降低,或者工作稳定性较低、阴极发射不够均匀的技术问题。本发明在阴极上增设电场增强阵列,使同轴虚阴极反射三极管在工作时具有更高的表面平均电场强度,发射电流得以增大,从而实现了工作阻抗的降低和输出辐射场的增强,提升了三极管工作稳定性,可有效抑制三极管短路问题,对原同轴虚阴极反射三极管的改动较小,可以用较小的代价实现工作性能的提升;电场增强阵列在轴向和角向均匀分布,可进一步提高输出辐射场的稳定性和均匀性。
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公开(公告)号:CN117747384A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311742454.1
申请日:2023-12-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J35/08
Abstract: 本发明涉及同轴反射三极管及其辐射场调制方法,具体涉及一种同轴虚阴极反射三极管阵列及其辐射场调制方法,解决了同轴虚阴极反射三极管阵列输出的辐射场均匀性和辐照面积调制困难、辐射利用率较低的技术问题。本发明提出依据单管的辐射分布特性,将阵列中的三极管排列成同心圆环的形式,通过调节圆环的半径和三极管的数量,即可实现对脉冲硬X射线场的空间调制,从而获得高能注量和高均匀性的辐射场;利用三极管单管向侧前方发出的辐射较强的特点,将外圈三极管向内倾转,通过控制阳极基座底部的内倾角度,从而实现对辐射场的空间调制,获得具有大面积的辐射场,同时也可以提高脉冲硬X射线的利用率。
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公开(公告)号:CN119943629A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202311441213.3
申请日:2023-11-01
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及同轴反射三极管及其装配方法,具体涉及一种串级同轴虚阴极反射三极管阵列及其装配方法,解决了平面型反射三极管的脉冲硬X射线利用效率较低、应用存在局限性、难以实现串联,或者同轴型反射三极管的结构复杂、脉冲硬X射线利用效率较低的技术问题。本发明在同轴型反射三极管的基础上去掉内侧阴极,在工作过程中,穿过阳极箔的电子在阳极内侧形成虚阴极;通过安装在阳极基座上的阳极箔与悬浮电极上的圆孔,以及安装在悬浮电极上的阳极箔和接地阴极上的圆孔构成两级串联的三极管阵列;采用阵列布置可调整辐射场分布,提高脉冲硬X射线的利用效率;通过串联工作,可应用于大型高电压脉冲源,进一步提高脉冲硬X射线的辐射强度。
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