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公开(公告)号：CN101379600A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004289.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 阿尔卡特朗讯公司
Inventor： M·皮埃什
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/321 , H01J2237/2001 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的主题是一种在非常低的温度下通过高密度氟化气体等离子体各向异性刻蚀硅衬底的方法，其特征在于，所述等离子体由包含了含氟的刻蚀气体、含氧的钝化气体和含氯的反应气体的气体混合物形成，在所述方法中，所述钝化气体的流速和所述反应气体的流速相对于所述刻蚀气体的流速的各自的按体积的比率小于0.15。优选地，所述含氟的刻蚀气体是六氟化硫SF6，所述含氧的钝化气体选自氧气O2、臭氧O3和二氧化硫SO2，且所述含氯的反应气体是四氯化硅SiCl4。
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