公开(公告)号：CN102452638A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110334782.9

申请日：2011-10-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 利萨·H·卡林 ,  大卫·W·基尔斯特 ,  刘连军 ,  刘威 ,  鲁本·B·蒙特兹 ,  罗伯特·F·施泰梅尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种制作微机电系统(MEMS)装置的方法。形成MEMS装置(10)的方法包括在衬底(12)上方形成牺牲层(34)。所述方法进一步包括在牺牲层(34)上方形成金属层(42)，以及形成覆于金属层(42)之上的保护层(44)。所述方法进一步包括蚀刻保护层(44)和金属层(42)以形成具有在金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构(56)。所述方法进一步包括蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置的可移动部，其中保护层的保留部在蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置(10)的可移动部期间保护金属层的保留部。