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公开(公告)号：CN102452638A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110334782.9
申请日：2011-10-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B2207/07 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种制作微机电系统(MEMS)装置的方法。形成MEMS装置(10)的方法包括在衬底(12)上方形成牺牲层(34)。所述方法进一步包括在牺牲层(34)上方形成金属层(42)，以及形成覆于金属层(42)之上的保护层(44)。所述方法进一步包括蚀刻保护层(44)和金属层(42)以形成具有在金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构(56)。所述方法进一步包括蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置的可移动部，其中保护层的保留部在蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置(10)的可移动部期间保护金属层的保留部。
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公开(公告)号：CN102344112B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110243371.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 维拉·M·贡图鲁 , 希夫查兰·V·卡玛拉朱 , 利萨·H·卡林
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00325 , B81C2203/0118 , B81C2203/0163 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种形成加帽的微机电系统(MEMS)器件的方法。使用器件晶片(10)和帽晶片(18)来形成加帽的微机电系统(MEMS)器件(25)。所述MEMS器件(12)位于器件晶片(10)的前侧(13)上。帽晶片(18)的前侧(15)附着到器件晶片(10)的前侧(13)。在将帽晶片(18)的前侧(15)附着到器件晶片(10)的前侧(13)之后，具有张应力的第一应力层(26)被施加到帽晶片(18)的背侧(17)。在施加第一应力层之后，对第一应力层(26)和帽晶片(18)进行构图以形成通过第一应力层和帽晶片的开口(28)。将导电层(30)施加到帽晶片(18)的背侧(17)，包括通过开口(28)到器件晶片(10)的前侧(13)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792432B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013415.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 利萨·H·卡林 , 刘连军 , 亚历克斯·P·帕马塔特 , 保罗·M·维内贝格尔
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B7/007 , H01L21/50 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L24/03 , H01L24/26 , H01L24/83 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/27
Abstract: 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。
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公开(公告)号：CN102762490A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN102762490B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN102792432A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013415.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 利萨·H·卡林 , 刘连军 , 亚历克斯·P·帕马塔特 , 保罗·M·维内贝格尔
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B7/007 , H01L21/50 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L24/03 , H01L24/26 , H01L24/83 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/27
Abstract: 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。
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公开(公告)号：CN102344112A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110243371.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 维拉·M·贡图鲁 , 希夫查兰·V·卡玛拉朱 , 利萨·H·卡林
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00325 , B81C2203/0118 , B81C2203/0163 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种形成加帽的微机电系统(MEMS)器件的方法。使用器件晶片(10)和帽晶片(18)来形成加帽的微机电系统(MEMS)器件(25)。所述MEMS器件(12)位于器件晶片(10)的前侧(13)上。帽晶片(18)的前侧(15)附着到器件晶片(10)的前侧(13)。在将帽晶片(18)的前侧(15)附着到器件晶片(10)的前侧(13)之后，具有张应力的第一应力层(26)被施加到帽晶片(18)的背侧(17)。在施加第一应力层之后，对第一应力层(26)和帽晶片(18)进行构图以形成通过第一应力层和帽晶片的开口(28)。将导电层(30)施加到帽晶片(18)的背侧(17)，包括通过开口(28)到器件晶片(10)的前侧(13)。
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