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公开(公告)号：CN102656673B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080056932.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83
Abstract: 提供了一种用于使第一晶片（105）与第二晶片（103）电耦合的方法。该方法包括使用接合材料（121）来使第一晶片与第二晶片接合。该方法还包括在第一晶片中在第二晶片的划线区（141或143）内形成开口（201或203）以使第二晶片的导电结构（108或112）的表面露出。该方法还包括形成覆盖于第一晶片及第一晶片内的开口之上的导电层，使得导电层与第二晶片的导电结构（108或112）形成电接触，从而使第一晶片与第二晶片电耦合。
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公开(公告)号：CN102656673A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056932.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83
Abstract: 提供了一种用于使第一晶片（105）与第二晶片（103）电耦合的方法。该方法包括使用接合材料（121）来使第一晶片与第二晶片接合。该方法还包括在第一晶片中在第二晶片的划线区（141或143）内形成开口（201或203）以使第二晶片的导电结构（108或112）的表面露出。该方法还包括形成覆盖于第一晶片及第一晶片内的开口之上的导电层，使得导电层与第二晶片的导电结构（108或112）形成电接触，从而使第一晶片与第二晶片电耦合。
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公开(公告)号：CN101390226B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780006767.3
申请日：2007-01-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 刘连军
CPC classification number: H01H57/00 , H01H2057/006
Abstract: 一种MEMS压电开关(100)，其提供结构紧凑、易于在单个单元中制造、以及没有高温导致的接触材料的形态变化与作为结果而发生的对特性的不利影响的优点。高温导致的形态变化指：当诸如射频线(125，130)和短路条(150)的金属接触暴露到退火压电层所要求的温度或者如果换而使用高温沉积处理而在压电层的高温沉积期间所遇到的温度时，在制造期间发生的变化。
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公开(公告)号：CN103964373B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410032683.9
申请日：2014-01-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B3/0072 , B81B2203/0127 , B81C1/00015
Abstract: 提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。
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公开(公告)号：CN102792432B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013415.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 利萨·H·卡林 , 刘连军 , 亚历克斯·P·帕马塔特 , 保罗·M·维内贝格尔
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B7/007 , H01L21/50 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L24/03 , H01L24/26 , H01L24/83 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/27
Abstract: 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103964373A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410032683.9
申请日：2014-01-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B3/0072 , B81B2203/0127 , B81C1/00015
Abstract: 提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。
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公开(公告)号：CN102762490A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN102113212A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130621.9
申请日：2009-05-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 刘连军 , 乔纳森·K·阿布洛克瓦 , 奥林·L·哈廷 , 李强
IPC: H03H7/42
CPC classification number: H03H7/42 , H01F19/08 , H01F2017/0046 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/1775
Abstract: 一种平衡-不平衡(balun)信号变换器(48)，其包括：不平衡端口(30)；耦合到该不平衡端口的平衡端口(50)，该平衡端口包括第一端子(52)和第二端子(54)；耦合到第一端子的第一电容器(90)；耦合到地和第一电容器的第一电感器(92)；耦合到第二端子的第二电容器(94)；以及耦合到地和第二电容器的第二电感器(96)。该变换器还可以包括耦合到不平衡端口的端子的第三电容器(84)；以及耦合到该第三电容器和第三端子的第三电感器(82)。
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公开(公告)号：CN102762490B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN104555896A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410535365.4
申请日：2014-10-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/0006 , B81C1/00158 , B81C1/00198 , G01C19/5783 , G01L1/142 , G01L1/246 , G01L9/0073 , G01P15/125
Abstract: 本发明涉及具有多刺激感测的MEMS传感器器件及其制作方法。器件包括感测了不同物理刺激的传感器。制作包含形成器件结构以包括传感器并且将帽结构和所述器件结构耦合，以便传感器置于帽结构和器件结构的衬底层之间。制作还包含在衬底层内形成端口，以便一个端口将传感器的感测元件暴露于外部环境，以及另一个端口将传感器暂时暴露于外部环境。密封结构被附着于衬底层，以便一个端口被密封结构密封并且密封结构的外部端口与端口对齐。
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