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公开(公告)号：CN104111345A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410156351.1
申请日：2014-04-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01P15/0888 , B81C99/004 , B81C2201/0132 , G01B5/24 , G01C19/5656 , G01C19/5663 , G01C25/005
Abstract: 本发明涉及估算结构的侧壁歪斜角。装置（36）包括运动放大结构（52）、致动器（54）以及接近所述结构（52）的传感电极（50）。所述致动器（54）在所述结构（52）上引起轴向力（88），其在所述结构（52）一个或多个梁（58、60）内导致了相对大量的面内运动（108）。当梁（58、60）的侧壁（98）展示歪斜角的时候，梁（58、60）的面内运动（108）产生了被连接到梁（58、60）的末端的桨元件（62）的面外运动（110）。由蚀刻工艺产生的歪斜角（28）限定了梁（58、60）的侧壁（98）偏移于或倾斜于其设计取向的度数。元件（62）的面外运动（110）在电极（50）被感测，并被用于确定估算的歪斜角（126）。
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公开(公告)号：CN104108676A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410156341.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： A·A·盖斯伯格
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B7/0048 , B81B2201/0235 , B81C1/00666
Abstract: 本发明涉及带有压力隔离的MEMS器件及制作方法。MEMS器件（20）包括检验质量结构（26）和位于所述检验质量结构（26）的中央开口（32）中的梁(28、30)，其中所述结构和所述梁悬浮在衬底（22）之上。所述梁(28、30)被定向以便所述梁的纵长边缘(34、36)位于彼此旁边。隔离段（38）介于所述梁(28、30)之间以便每一个梁的中间部分（40）被横向地锚定到相邻隔离段（38）。隔离段（38）提供所述梁之间的电隔离。梁(28、30)通过顺从结构(61、65)被锚定到所述衬底（22），其中所述顺从结构将所述梁和底层衬底中的变形隔离。所述顺从结构(61、65)为所述梁(28、30)提供到所述衬底（22）的导电路径(96、98)，其中所述路径彼此电隔离。
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公开(公告)号：CN104108676B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410156341.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： A·A·盖斯伯格
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B7/0048 , B81B2201/0235 , B81C1/00666
Abstract: 本发明涉及带有压力隔离的MEMS器件及制作方法。MEMS器件（20）包括检验质量结构（26）和位于所述检验质量结构（26）的中央开口（32）中的梁(28、30)，其中所述结构和所述梁悬浮在衬底（22）之上。所述梁(28、30)被定向以便所述梁的纵长边缘(34、36)位于彼此旁边。隔离段（38）介于所述梁(28、30)之间以便每一个梁的中间部分（40）被横向地锚定到相邻隔离段（38）。隔离段（38）提供所述梁之间的电隔离。梁(28、30)通过顺从结构(61、65)被锚定到所述衬底（22），其中所述顺从结构将所述梁和底层衬底中的变形隔离。所述顺从结构(61、65)为所述梁(28、30)提供到所述衬底（22）的导电路径(96、98)，其中所述路径彼此电隔离。
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