公开(公告)号：WO2018135914A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/KR2018/000946

申请日：2018-01-22

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 강인만 ,  윤영준 ,  서재화

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788

Abstract: 디램 셀 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 디램 셀 소자는, 절연층이 형성된 기판, 절연층으로 둘러싸인 제1 게이트, 제1 게이트 상에 형성된 제1 게이트 절연막, 제1 게이트 절연막의 상부에 위치하는 메인 바디, 메인 바디의 양측에 각각 형성된 소스 및 드레인, 메인 바디에 형성된 제2 게이트 절연막, 제2 게이트 절연막 상에 형성된 제2 게이트 및 메인 바디와 제1 게이트 절연막 사이에 형성되고, 메인 바디로부터 터널링에 의해 정공을 저장하는 정공저장 바디를 포함한다.

公开(公告)号：KR102045321B1

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：KR1020180044926

申请日：2018-04-18

Applicant: 경북대학교 산학협력단 ,  재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 강인만 ,  서재화 ,  장환수 ,  조민수

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/033

公开(公告)号：KR101899793B1

公开(公告)日：2018-11-05

申请号：KR1020170041029

申请日：2017-03-30

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 강인만 ,  윤영준 ,  서재화

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/786

Abstract: 디램셀 소자및 그제조방법이개시된다. 개시된디램셀 소자는, 절연층이형성된기판, 절연층으로둘러싸인제1 게이트, 제1 게이트상에형성된제1 게이트절연막, 제1 게이트절연막의상부에위치하는메인바디, 메인바디의양측에각각형성된소스및 드레인, 메인바디에형성된제2 게이트절연막, 제2 게이트절연막상에형성된제2 게이트및 메인바디와제1 게이트절연막사이에형성되고, 메인바디로부터터널링에의해정공을저장하는정공저장바디를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150016769A

公开(公告)日：2015-02-13

申请号：KR1020130092634

申请日：2013-08-05

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 강인만 ,  서재화

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7311 ,  H01L29/66931 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7802

Abstract: 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 터널링 전계 효과 트랜지스터는 버퍼층 및 버퍼층 상부에 수직하게 배치된 나노와이어로 이루어진 소스층, 나노와이어의 윗면과 옆면을 둘러싸며 배치된 채널층, 채널층의 윗면의 기설정된 영역에 배치된 드레인층, 버퍼층의 상부에 배치되고, 채널층의 옆면을 둘러싸며 배치된 게이트 절연층, 나노와이어에 대해 직교하는 방향으로 형성되어 게이트 절연층을 둘러싸며 배치된 게이트층을 포함한다.

Abstract translation: 公开了隧道场效应晶体管及其制造方法。 根据本发明的隧道场效应晶体管包括缓冲层，垂直布置在缓冲层的上侧的源极层，由纳米线构成，沟道层被布置成围绕上侧和外侧 所述漏极层布置在所述沟道层的上侧的预定区域上，栅极绝缘层设置在所述缓冲层的上侧并且围绕所述沟道层的侧面，并且 栅极层，其形成在与纳米线正交并且包围栅极绝缘层的方向上。

公开(公告)号：KR101645228B1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：KR1020150004027

申请日：2015-01-12

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이정희 ,  조영우 ,  원철호 ,  서재화 ,  손동혁

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/41 ,  H01L29/51

Abstract: 본발명은나노와이어구조의질화물반도체소자제조방법에관한것으로서, 질화물반도체기판상에수직방향의나노와이어를형성하는단계; 상기나노와이어와상기기판상에제 1 스페이서를증착한후 상기제 1 스페이서상에제 1 PR코팅막을형성하는단계; 상기나노와이어부분이노출되도록상기제 1 PR코팅막을식각하는단계; 상기제 1 PR코팅막을식각한하부에남아있는상기제 1 스페이서를식각하는단계; 상기나노와이어와상기제 1 스페이서상에게이트단자층을형성하는단계; 상기게이트단자층상에제 2 스페이서를증착한후 상기제 2 스페이서상에제 2 PR코팅막을형성하는단계; 상기나노와이어부분이노출되도록상기제 2 PR코팅막을식각하는단계; 상기제 2 PR코팅막을식각한하부에남아있는상기제 2 스페이서및 상기게이트단자층을차례로식각하여상기나노와이어의일부가상부에노출되도록하는단계; 상기기판의상부일측에소스전극을형성하고, 상기나노와이어의상부일측에드레인전극을형성하는단계; 및상기게이트단자층일측에게이트단자를형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020160087009A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：KR1020150004027

申请日：2015-01-12

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이정희 ,  조영우 ,  원철호 ,  서재화 ,  손동혁

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/41 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/413 ,  H01L29/518

Abstract: 본발명은나노와이어구조의질화물반도체소자제조방법에관한것으로서, 질화물반도체기판상에수직방향의나노와이어를형성하는단계; 상기나노와이어와상기기판상에제 1 스페이서를증착한후 상기제 1 스페이서상에제 1 PR코팅막을형성하는단계; 상기나노와이어부분이노출되도록상기제 1 PR코팅막을식각하는단계; 상기제 1 PR코팅막을식각한하부에남아있는상기제 1 스페이서를식각하는단계; 상기나노와이어와상기제 1 스페이서상에게이트단자층을형성하는단계; 상기게이트단자층상에제 2 스페이서를증착한후 상기제 2 스페이서상에제 2 PR코팅막을형성하는단계; 상기나노와이어부분이노출되도록상기제 2 PR코팅막을식각하는단계; 상기제 2 PR코팅막을식각한하부에남아있는상기제 2 스페이서및 상기게이트단자층을차례로식각하여상기나노와이어의일부가상부에노출되도록하는단계; 상기기판의상부일측에소스전극을형성하고, 상기나노와이어의상부일측에드레인전극을형성하는단계; 및상기게이트단자층일측에게이트단자를형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有纳米线结构的氮化物半导体器件的方法，能够通过实现常关特性来最小化泄漏电流。 该方法包括以下步骤：在氮化物半导体衬底上形成垂直的纳米线; 在所述纳米线和所述衬底上沉积第一间隔物，以及在所述第一间隔物上形成第一光致抗蚀剂（PR）涂层膜; 蚀刻第一PR涂膜以暴露纳米线部分; 蚀刻保留在第一PR涂层被蚀刻的下部的第一间隔物; 在纳米线和第一间隔物上形成栅极端子层; 在所述栅极端子层上沉积第二间隔物并在所述第二间隔物上形成第二PR涂层膜; 蚀刻第二PR涂膜以暴露纳米线部分; 依次蚀刻第二间隔物和残留在第二PR涂膜被蚀刻的下部的栅极端子层，以暴露上部的纳米线的一部分; 在所述衬底的上部的一侧上形成源电极，并在所述纳米线的上部的一侧上形成漏电极; 以及在栅极端子层的一侧上形成栅极端子。

公开(公告)号：KR1020180087091A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：KR1020170041029

申请日：2017-03-30

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 강인만 ,  윤영준 ,  서재화

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7883

Abstract: 디램셀 소자및 그제조방법이개시된다. 개시된디램셀 소자는, 절연층이형성된기판, 절연층으로둘러싸인제1 게이트, 제1 게이트상에형성된제1 게이트절연막, 제1 게이트절연막의상부에위치하는메인바디, 메인바디의양측에각각형성된소스및 드레인, 메인바디에형성된제2 게이트절연막, 제2 게이트절연막상에형성된제2 게이트및 메인바디와제1 게이트절연막사이에형성되고, 메인바디로부터터널링에의해정공을저장하는정공저장바디를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150146199A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020140076389

申请日：2014-06-23

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이정희 ,  손동혁 ,  서재화 ,  조영우 ,  원철호

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66431 ,  H01L21/823431

Abstract: 질화물반도체소자및 그의제조방법이제공된다. 본 GAA(Gate-all-around) 구조의질화물반도체소자의제조방법은, 기판상에고저항(highly resistive) GaN층을성장시키고, 고저항 GaN층상에제1 질화물층, 제2 질화물층및 제3 질화물층을성장시키며, 성장된제1 질화물층, 제2 질화물층및 제3 질화물층을건식식각하여소스영역, 드레인영역및 소스영역과드레인영역사이를연결하는핀 구조의채널층을형성하고, 알칼리용액을이용하여형성된핀 구조의채널층중 제2 질화물층을습식식각하며, 채널층을감싸는절연층을형성하고, 소스영역및 드레인영역에제1 전극및 제2 전극을형성하고, 절연층을감싸는제3 전극을형성한다.

Abstract translation: 提供一种氮化物半导体器件及其制造方法。 具有栅极全周（GAA）结构的氮化物半导体器件的制造方法包括：在衬底上生长高电阻GaN层; 在高电阻GaN层上生长第一氮化物层，第二氮化物层和第三氮化物层; 干蚀刻生长的第一氮化物层，第二氮化物层和第三氮化物层，以形成用于连接源极区域和漏极区域的源极区域，漏极区域和pin结构沟道层; 湿蚀刻通过使用碱溶液形成的pin结构沟道层的第二氮化物层; 形成包裹所述沟道层的绝缘层; 在源极区域和漏极区域中形成第一电极和第二电极; 以及形成包围绝缘层的第三电极。