-
公开(公告)号：WO2018088637A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：PCT/KR2017/002258
申请日：2017-03-02
Applicant: 두산중공업 주식회사 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 희토류 산화물이 전열관 표면에 증착되어, 고온의 환경에서도 초발수 표면의 구현이 가능하며, 전열관 표면을 침지(dipping)시켜 코팅하는 방식으로 희토류 산화물을 증착시킴으로 인해, 복잡한 형상에 대한 코팅이 가능하여, 조립된 다수의 전열관을 코팅할 수 있어, 코팅 후 전열관을 조립하는 과정에서 발생하는 손상을 방지할 수 있는 희토류 산화물 기반의 초발수 표면이 구현된 전열관 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明的稀土类氧化物被沉积在高温环境中的传热管的表面上可以在第二防水表面来实现，sikimeuro通过浸渍以覆盖以这样的方式沉积稀土氧化物的传热管表面（浸渍） 本发明提供一种传热管，该传热管具有能够涂布多根组装好的传热管并防止组装涂装后的传热管时产生的损伤的稀有水性氧化物系超疏水表面， 和一种生产它的方法。
-
公开(公告)号：KR1020170086987A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020160006705
申请日：2016-01-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 본발명은초박막배리어및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른초박막배리어는 2층의박막이교대로적층된구조의무기나노라미네이트막을포함하고, 본발명의실시예에따른초박막배리어의제조방법은저주파플라즈마원자층증착장치의챔버내에제1 소스가스를공급하여상기챔버내에탑재된기판상에제1 흡착층을형성하는단계; 상기챔버내에반응가스를공급하고저주파플라즈마를인가하여상기제1 흡착층과반응가스를반응시켜제1 박막을형성하는단계; 상기챔버내에제2 소스가스를공급하여상기제1 박막상에제2 흡착층을형성하는단계; 및상기챔버내에반응가스를공급하고저주파플라즈마를인가하여상기제2 흡착층과반응가스를반응시켜제2 박막을형성하는단계를포함하며, 상기제1 박막및 상기제2 박막은무기나노라미네이트막구조를이루는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种超薄屏障及其制造方法。 在根据本发明的实施例的超薄膜屏障的生产过程包括与所述第二层的薄膜交替无机纳米系列层压薄膜，超薄阻挡在根据本发明的一个实施例的低频等离子体原子层沉积设备的室中的层叠结构 提供第一源气体以在安装在所述室中的衬底上形成第一吸附层; 向反应室中供应反应气体并施加低频等离子体以使第一吸附层与反应气体反应以形成第一薄膜; 向腔室中提供第二源气体以在第一薄膜上形成第二吸附层; 和供给反应气体，并通过低频率等离子体是第二吸附层的反应和反应气体到腔室中，并形成一个第二薄膜，所述第一薄膜和所述第二薄膜是无机纳米叠层薄膜 其特征在于，形成所述结构。
-
公开(公告)号：KR1020160072754A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020150006781
申请日：2015-01-14
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: C08J5/18 , C08J3/20 , C08K3/04 , C08L101/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08J5/18 , C08J3/20 , C08J7/04 , C08K3/04 , C08K2201/011 , C08L101/00 , C08L2201/02
Abstract: 본발명의일 측에따라제조된고분자나노복합체를이용한방열시트는우수한열전도특성을나타내어전자기기내부에서발생되는열을효율적으로외부로방출할수 있다. 이로인해전자기기의수명을연장할수 있으며, 전자기기의효율을향상시킬수 있다. 또한, 본발명의일 측에따른고분자나노복합체를이용한방열시트제조방법은그래핀옥사이드를사용함으로써열전도특성이우수한방열시트를프리스탠딩방열시트로제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用聚合物纳米复合材料的散热片及其制造方法。 使用聚合物纳米复合材料的散热片可以通过显示优异的导热性而有效地将从电子设备内部产生的热量发射到外部。 可延长电子设备的使用寿命，提高电子设备的效率。 此外，使用聚合物纳米复合材料的散热片的制造方法可以通过使用石墨烯氧化物来提供具有优异的导热性能的散热片作为独立散热片。
-
公开(公告)号：KR101560268B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140047432
申请日：2014-04-21
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 플렉서블기판용배리어막 형성방법이제공된다. 상기플렉서블기판용배리어막 형성방법은, 유기화된무기물과고분자물질을포함한혼합용액을준비하고, 플라스틱기판상에상기혼합용액을도포하고, 70℃내지 80℃온도조건하에서상기혼합용액을제1 경화시키고, 상기플라스틱기판에가압하여라미네이팅(laminating) 공정을수행하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供一种形成柔性基板的阻挡层的方法。 用于形成柔性基材的阻挡层的方法可以包括以下步骤：制备含有有机无机物和聚合物材料的混合溶液; 用混合溶液涂覆塑料基材; 在70-80℃下预混硬化混合溶液; 并通过加压塑料基板进行层压。
-
公开(公告)号：KR1020110074052A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020090130898
申请日：2009-12-24
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a barrier film for a plastic substrate using low frequency PEALD equipment is provided to ensure low WVTR transparency of at least 0.004g/m2day since an aluminum oxide film is formed on the top of a plastic film and thus the transparency prevention property of gas is enhanced. CONSTITUTION: A method of manufacturing a barrier film for a plastic substrate using low frequency PEALD equipment comprises next steps. The plastic substrate is guided into plasma atomic-layer deposition device to introduce reaction gas. A source material is introduced into a reaction container and an adsorption layer is formed on the top of the substrate. An aluminum oxide layer is formed on the top by repeating of the step of purging source material and by-product remaining the reaction container, 10~400 times. Low frequency plasma is applied during at least a part of the steps.
Abstract translation: 目的：提供一种使用低频PEALD设备制造用于塑料基板的阻挡膜的方法，以确保至少0.004g / m 2天的低WVTR透明度，因为在塑料膜的顶部上形成氧化铝膜，因此透明度 气体的防止性能得到提高。 构成：使用低频PEALD设备制造用于塑料基板的阻挡膜的方法包括以下步骤。 将塑料基板引导到等离子体原子层沉积装置中以引入反应气体。 将源材料引入反应容器中，并且在基板的顶部上形成吸附层。 通过重复将源材料和残留反应容器的副产物的步骤重复10〜400次，形成氧化铝层。 在至少一部分步骤期间施加低频等离子体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101881659B1
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：KR1020160151124
申请日：2016-11-14
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 두산중공업 주식회사
CPC classification number: F28F19/02 , B05D1/18 , C01F17/0043 , C23C22/00 , F28F13/182 , F28F13/187 , F28F2245/04
Abstract: 본발명은희토류산화물이전열관표면에증착되어, 고온의환경에서도초발수표면의구현이가능하며, 전열관표면을침지(dipping)시켜코팅하는방식으로희토류산화물을증착시킴으로인해, 복잡한형상에대한코팅이가능하여, 조립된다수의전열관을코팅할수 있어, 코팅후 전열관을조립하는과정에서발생하는손상을방지할수 있는희토류산화물기반의초발수표면이구현된전열관및 이의제조방법에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR101741354B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020160006706
申请日：2016-01-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은플렉서블필름의제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른플렉서블필름의제조방법은유리기판상에그래핀층을형성하는단계; 상기그래핀층상에실란계물질이포함된폴리이미드층을형성하는단계; 및상기그래핀층및 상기유리기판으로부터상기폴리이미드층을분리하는단계를포함한다. 본발명의실시예에따르면실란계물질이포함된폴리이미드층과유리기판사이에그래핀층을삽입형성함으로써유리기판으로부터실란계물질이포함된폴리이미드층을용이하게분리할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种制造柔性膜的方法。 根据本发明实施例的制造柔性膜的方法包括：在玻璃基板上形成石墨烯层; 在石墨烯层上形成包含硅烷基材料的聚酰亚胺层; 并将聚酰亚胺层与石墨烯层和玻璃基板分离。 根据本发明的实施例，通过在含有硅烷基材料的聚酰亚胺层和玻璃基板之间插入石墨烯层，可以容易地将包含硅烷基材料的聚酰亚胺层与玻璃基板分离。
-
公开(公告)号：KR101622508B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020150007844
申请日：2015-01-16
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본발명의일 측에따라제조된고분자나노복합층을포함하는복합시트는우수한열전도특성을나타내어전자기기내부에서발생되는열을효율적으로외부로방출할수 있다. 이로인해전자기기의수명을연장할수 있으며, 전자기기의효율을향상시킬수 있다. 또한, 본발명의일 측에따라제조된고분자나노복합층을포함하는복합시트는클레이(clay)를포함하여외부로부터의수분이투과되는것을방지할수 있으며, 이로인해전자기기의수명의연장시킬수 있다. 나아가, 본발명의복합시트는그래핀옥사이드와클레이를모두포함하면서도광투과율및 헤이즈(haze) 등의광학적물성도크게저하되지않기때문에투명성이필요한분야에서도다양하게적용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含聚合物纳米复合材料层的复合片及其制造方法。 本发明的方法包括以下步骤：制备粘土溶液和氧化石墨烯溶液; 通过将粘土溶液和氧化石墨烯溶液与聚合物粘合剂混合来产生混合物; 通过向混合物中加入氟基添加剂和消泡剂来生产涂布液; 以及通过将涂布液施加到基底上而形成聚合物纳米复合层。 包含根据本发明的一个方面制备的聚合物纳米复合材料层的复合片材具有优异的导热特性，并且能够有效地排放到电子设备中产生的外部热量。 因此，可以延长电子设备的寿命，并且可以提高电子设备的效率。 此外，包含根据本发明的一个方面制备的聚合物纳米复合材料层的复合片材能够通过含有粘土来防止水分从外部渗透，因此能够延长电子设备的使用寿命。 此外，本发明的复合片材既含有氧化石墨烯和粘土也不受光透射率和雾度等光学性能的显着下降，因此可以以各种方式应用于需要透明性的场。
-
公开(公告)号：KR101720895B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020160007280
申请日：2016-01-20
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: H01L33/02 , H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/00
Abstract: 본발명은나노임프린팅방법을개시한다. 본발명의실시예에따른나노임프린팅방법은기판의표면을플라즈마처리하는단계; 상기플라즈마처리된기판상에폴리이미드및 실란화합물을포함하는접착프라이머층을형성하는단계; 상기접착프라이머층상에폴리이미드를포함하는레지스트층을형성하는단계; 및상기레지스트층을나노임프린트몰드를이용하여나노임프린트층으로형성하는단계를포함한다. 본발명의실시예에따르면기판과레지스트층사이에접착프라이머층을형성함으로써나노임프린트몰드로부터레지스트층을용이하게분리할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种纳米压印方法。 根据本发明实施例的纳米压印方法包括：等离子体处理基板的表面; 在经等离子体处理的基材上形成包含聚酰亚胺和硅烷化合物的粘合底层; 在粘合底层上形成含有聚酰亚胺的抗蚀剂层; 并且使用纳米压印模具将抗蚀剂层形成为纳米压印层。 根据本发明的实施方式，通过在基板和抗蚀剂层之间形成粘合剂底涂层，可以容易地将抗蚀剂层从纳米压印模具分离。
-
公开(公告)号：KR101457157B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130164225
申请日：2013-12-26
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: A method for removing defect in a thin film and a flexible substrate manufactured thereby are provided. The method for removing defect in a thin film comprises forming a seed layer on a substrate; forming an inorganic thin layer on the seed layer; and removing defect generated in a process of forming the inorganic thin layer. Removing the defect is to remove by forming self-assembled monolayers.
Abstract translation: 提供了一种用于去除由此制造的薄膜和柔性基板中的缺陷的方法。 用于去除薄膜中的缺陷的方法包括在基板上形成晶种层; 在种子层上形成无机薄层; 并去除在形成无机薄层的过程中产生的缺陷。 通过形成自组装单层来去除缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
