용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법
    1.
    发明申请
    용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법 审中-公开
    使用通过解决方案形成的电荷产生层的发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016089131A1

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:PCT/KR2015/013148

    申请日:2015-12-03

    CPC classification number: C09K11/06 H01L51/50

    Abstract: 본 발명은 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 음극, 발광층 및 전하 생성층을 포함하는 발광 소자로서, 상기 전하 생성층은 용액공정에 의해 유기 반도체로 이루어진 p형 층 및 산화물 반도체로 이루어진 n형 층이 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자가 제공된다.

    Abstract translation: 本发明提供使用通过溶液法形成的电荷产生层的发光元件及其制造方法。 本发明提供一种发光元件,其包括正极,负极,发光层和电荷产生层,其特征在于,所述电荷产生层具有p型层,所述p型层包含 有机半导体和n型层,其包括通过溶液工艺以逐层结构形成的氧化物半导体。

    용액 공정형 전하 생성 접합을 포함하는 양자점 발광소자 및 그 제조 방법
    2.
    发明授权
    용액 공정형 전하 생성 접합을 포함하는 양자점 발광소자 및 그 제조 방법 有权
    量子点发光装置包括溶液处理型电荷产生结及其制造方法

    公开(公告)号:KR101812896B1

    公开(公告)日:2017-12-27

    申请号:KR1020160123173

    申请日:2016-09-26

    CPC classification number: H01L27/32 H01L51/00 H01L51/50 H01L51/52 H01L51/56

    Abstract: 본발명은전하생성접합층을포함하는양자점발광소자의구조및 그제조방법을개시한다. 본발명의일 실시예에따른음극, p형반도체층및 n형반도체층을포함하는제1 전하생성접합층, 양자점발광층, 정공수송층, p형반도체층및 n형반도체층을포함하는제2 전하생성접합층및 양극을포함하고, 상기제1 전하생성접합층및 제2 전하생성접합층을용액공정으로형성하여전하의생성및 주입을안정화하고, 공정시간을단축시키며, 양자점발광소자의양극또는음극의일함수 (Work-function)에대한문제점을개선할수 있는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明公开了一种包括电荷产生接合层的量子点发光器件的结构及其制造方法。 第二电荷包括第一电荷产生粘接层,所述量子点发光层,空穴传输层,p型半导体层和n型半导体层,其包括根据本发明的一个实施例的负电极,p型半导体层和n型半导体层 一代接合层与所述正电极和所述第一电荷产生粘接层和所述第二由此形成由溶解工艺的电荷产生粘接层,以稳定的产生和电荷的注入,减少处理时间,量子点发光器件的阳极或 有可能改善阴极功函数的问题。

    용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법
    3.
    发明公开
    용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
    通过解决方案形成的发光装置制造的充电发电层及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160066721A

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020140171827

    申请日:2014-12-03

    Abstract: 본발명은용액공정을통해형성된전하생성층을사용한발광소자및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 음극, 발광층및 전하생성층을포함하는발광소자로서, 상기전하생성층은용액공정에의해유기반도체로이루어진 p형층 및산화물반도체로이루어진 n형층이레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로형성되는것을특징으로하는발광소자가제공된다.

    Abstract translation: 公开了使用通过溶液法形成的电荷产生层的发光器件及其制造方法。 根据本发明,提供了包括正极,负极,发光层和电荷产生层的发光器件。 电荷产生层通过溶液法由具有有机半导体的p型层和由氧化物半导体构成的n型层的层状结构形成。 本发明的发光器件可以减少处理时间,并且使用通过不受衬底的半导体特性限制的溶液处理形成的电荷产生层。

    세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자주입·수송층이 구비된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법
    10.
    发明授权
    세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자주입·수송층이 구비된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 有权
    具有与碳酸钙混合的氧化锌电子转移层的量子点发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101437271B1

    公开(公告)日:2014-09-02

    申请号:KR1020130020536

    申请日:2013-02-26

    Inventor: 장진 김효민

    CPC classification number: H01L33/06 H01L33/005 H01L2933/0033 H01L2933/0058

    Abstract: The present invention relates to a technical field of a device including quantum dots and, more specifically, to a quantum-dot light emitting diode including an anode, a cathode, an electron injection/transport layer, a light emitting layer, and a hole transport/injection layer, wherein the electron injection/transport layer is zinc oxide blended with cesium carbonate. The quantum-dot light emitting diode, of the present invention, uses a solution of blended zinc oxide and cesium carbonate for forming the electron transport layer, thereby being manufactured by a simple method of printing at a time, providing an advantage of reducing a process time, and showing an excellent light emitting property when compared with using two layers separately.

    Abstract translation: 本发明涉及包括量子点的装置的技术领域,更具体地说,涉及包括阳极,阴极,电子注入/传输层,发光层和空穴传输的量子点发光二极管 /注入层,其中电子注入/输送层是氧化锌与碳酸铯混合。 本发明的量子点式发光二极管使用混合氧化锌和碳酸铯的溶液来形成电子传输层,从而通过简单的一次印刷方法制造,提供减少工艺的优点 并且与单独使用两层相比显示出优异的发光特性。

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