Abstract:
본 발명은 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 음극, 발광층 및 전하 생성층을 포함하는 발광 소자로서, 상기 전하 생성층은 용액공정에 의해 유기 반도체로 이루어진 p형 층 및 산화물 반도체로 이루어진 n형 층이 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자가 제공된다.
Abstract:
The present invention relates to a technical field of a device including quantum dots and, more specifically, to a quantum-dot light emitting diode including an anode, a cathode, an electron injection/transport layer, a light emitting layer, and a hole transport/injection layer, wherein the electron injection/transport layer is zinc oxide blended with cesium carbonate. The quantum-dot light emitting diode, of the present invention, uses a solution of blended zinc oxide and cesium carbonate for forming the electron transport layer, thereby being manufactured by a simple method of printing at a time, providing an advantage of reducing a process time, and showing an excellent light emitting property when compared with using two layers separately.