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公开(公告)号：WO2016039585A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/KR2015/009586
申请日：2015-09-11
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 장진 , 김정기 , 크리스토프 빈센트아비스
CPC classification number: H01L51/5088 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/38 , C09D11/52 , C09K11/06 , H01B1/08 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 본 발명은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用含有镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制备方法。 根据本发明，提供了一种包括阴极，空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和阳极的有机发光二极管，其中空穴注入层是p型 含有Ga的氧化物半导体。
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公开(公告)号：WO2016089131A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/KR2015/013148
申请日：2015-12-03
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 음극, 발광층 및 전하 생성층을 포함하는 발광 소자로서, 상기 전하 생성층은 용액공정에 의해 유기 반도체로 이루어진 p형 층 및 산화물 반도체로 이루어진 n형 층이 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자가 제공된다.
Abstract translation: 本发明提供使用通过溶液法形成的电荷产生层的发光元件及其制造方法。 本发明提供一种发光元件，其包括正极，负极，发光层和电荷产生层，其特征在于，所述电荷产生层具有p型层，所述p型层包含 有机半导体和n型层，其包括通过溶液工艺以逐层结构形成的氧化物半导体。
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公开(公告)号：KR101705406B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020140120365
申请日：2014-09-11
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 장진 , 김정기 , 크리스토프빈센트아비스
CPC classification number: H01L51/5088 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/38 , C09D11/52 , C09K11/06 , H01B1/08 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 본발명은, 갈륨을포함하는 p형산화물반도체를이용한유기발광다이오드및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층및 음극을포함하는유기발광다이오드에있어서, 상기정공주입층은 Ga이포함된 p형산화물반도체인것을특징으로하는유기발광다이오드가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用含有镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制备方法。 根据本发明，提供了一种包括阴极，空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和阳极的有机发光二极管，其中空穴注入层是p型 含有Ga的氧化物半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160066721A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140171827
申请日：2014-12-03
Applicant: 경희대학교 산학협력단
CPC classification number: C09K11/06 , H01L51/50 , C09K11/04 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , Y10S428/917
Abstract: 본발명은용액공정을통해형성된전하생성층을사용한발광소자및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 음극, 발광층및 전하생성층을포함하는발광소자로서, 상기전하생성층은용액공정에의해유기반도체로이루어진 p형층 및산화물반도체로이루어진 n형층이레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로형성되는것을특징으로하는발광소자가제공된다.
Abstract translation: 公开了使用通过溶液法形成的电荷产生层的发光器件及其制造方法。 根据本发明，提供了包括正极，负极，发光层和电荷产生层的发光器件。 电荷产生层通过溶液法由具有有机半导体的p型层和由氧化物半导体构成的n型层的层状结构形成。 本发明的发光器件可以减少处理时间，并且使用通过不受衬底的半导体特性限制的溶液处理形成的电荷产生层。
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公开(公告)号：KR101772437B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020140171827
申请日：2014-12-03
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은용액공정을통해형성된전하생성층을사용한발광소자및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 음극, 발광층및 전하생성층을포함하는발광소자로서, 상기전하생성층은용액공정에의해유기반도체로이루어진 p형층 및산화물반도체로이루어진 n형층이레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로형성되는것을특징으로하는발광소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR102044601B1
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：KR1020170012783
申请日：2017-01-26
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 장진 , 김정기 , 크리스토프빈센트아비스
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公开(公告)号：KR1020170015426A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020170012783
申请日：2017-01-26
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 장진 , 김정기 , 크리스토프빈센트아비스
CPC classification number: H01L51/50 , C07D307/78 , C07F13/00 , C09K11/06 , H01L51/52 , H01L51/56 , H05B33/14
Abstract: 본발명은, 갈륨을포함하는 p형산화물반도체를이용한유기발광다이오드및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층및 음극을포함하는유기발광다이오드에있어서, 상기정공주입층은 Ga이포함된 p형산화물반도체인것을특징으로하는유기발광다이오드가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160030767A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020140120365
申请日：2014-09-11
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 장진 , 김정기 , 크리스토프빈센트아비스
CPC classification number: H01L51/5088 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/38 , C09D11/52 , C09K11/06 , H01B1/08 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/303 , C07D307/78 , C07F13/00 , H01L51/50 , H01L51/52 , H05B33/14
Abstract: 본발명은, 갈륨을포함하는 p형산화물반도체를이용한유기발광다이오드및 이의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층및 음극을포함하는유기발광다이오드에있어서, 상기정공주입층은 Ga이포함된 p형산화물반도체인것을특징으로하는유기발광다이오드가제공된다.
Abstract translation: 在本发明中公开了使用包含镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。 根据本发明，提供了包括正极，空穴注入层，空穴转移层，发光层，电子转移层和负极的有机发光二极管，其中空穴注入层是 包括镓（Ga）的p型氧化物半导体。
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