公开(公告)号：WO2014200190A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/KR2014/004232

申请日：2014-05-12

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주 ,  엄재광 ,  이수희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터는 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 公开了用作显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法。 所公开的氧化物半导体晶体管是用作显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管，包括：基板; 位于所述基板上的第一栅电极; 位于第一栅电极上的源电极和漏电极; 以及位于源电极和漏电极上的第二栅电极，其中第一栅电极和第二栅电极电连接以便施加相同的电压，并且第二栅电极的宽度比第二栅电极之间的宽度窄 源极和漏极。

公开(公告)号：KR101575501B1

公开(公告)日：2015-12-07

申请号：KR1020140082820

申请日：2014-07-03

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주 ,  경적

IPC: G09G3/36 ,  G11C19/00

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2320/043

Abstract: 게이트구동신호를공급하는쉬프트레지스터가제공된다. 개시된쉬프트레지스터는다수의게이트라인에순차적으로게이트구동신호를공급하는다수의쉬프트레지스터에있어서, 상기쉬프트레지스터각각은, 스타트펄스신호에의해온/오프되는제1 트랜지스터로구성되는제1 풀업스위칭부; 상기제1 트랜지스터의소스단이연결되는 P노드와연결되되, 상기제1 풀업스위칭부의출력에응답하여입력되는제1 클럭신호를이용해게이트구동신호를게이트신호출력단에출력하는구동신호출력스위칭부; 상기 P노드를교번적으로방전시키기위하여상기 P노드에드레인단이연결되는제2 트랜지스터및 제7 트랜지스터로구성되는제2 풀다운스위칭부; 상기제2 풀다운스위칭부를구성하는트랜지스터에교번적인전압을인가하는제2 풀업스위칭부및 제3 풀다운스위칭부; 및상기게이트신호출력단을교번적으로방전시키는제1 풀다운스위칭부;를포함하되, 상기구동신호출력스위칭부는, 상기 P노드에일단이연결되는제1 커패시터; 상기 P노드에게이트단이연결되고, 드레인단은제2 클럭신호공급단과연결되며, 소스단이상기제1 커패시터의타단및 게이트신호출력단에연결되는제8 트랜지스터; 및일단이상기 P노드와연결되고, 타단이제1 클럭신호공급단에연결되는제2 커패시터;를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于提供栅极驱动信号的移位寄存器。 多个移位寄存器向多个栅极线顺序地提供栅极驱动信号。 每个移位寄存器包括：第一上拉开关单元，其包括通过起始脉冲信号导通/截止的第一晶体管; 驱动信号输出切换单元，其连接到连接到所述第一晶体管的源极端子的P节点，并且通过使用输入的第一时钟信号将所述栅极驱动信号输出到栅极信号输出端子，所述第一时钟信号被输入以响应于所述第一晶体管的输出 上拉开关单元; 第二下拉开关单元，其包括具有连接到P节点的漏极端子以交替放电P节点的第二至第七晶体管; 第二上拉开关单元和第三下拉开关单元，其向构成第二下拉开关单元的晶体管施加交流电力; 以及交替放电门信号输出端的第一下拉开关单元。 驱动信号输出切换单元包括：第一电容器，其一端连接到P节点; 第八晶体管，其具有连接到P节点的栅极端子，连接到第二时钟信号提供端子的漏极端子和连接到第一电容器和栅极信号输出端子的另一端的源极端子; 以及第二电容器，其一端连接到P节点，另一端连接到第一时钟信号提供端。

公开(公告)号：KR101275710B1

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：KR1020100132137

申请日：2010-12-22

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  강동한 ,  석만주

IPC: H01L29/786

Abstract: 본발명은박막트랜지스터인버터에관한것으로, 듀얼게이트박막트랜지스터(Dual gate TFT)의소스전극에또 다른박막트랜지스터의드레인전극이직렬로연결되고, 상기듀얼게이트박막트랜지스터의게이트전극과소스전극이전기적으로연결된디플리션로드(depletion load) 구조인것을특징으로한다. 상기와같은구성에의하면, 본발명은기존의 n-타입인버터의로드 TFT(load TFT)에상부(top) 게이트전극을형성하여이에전압을인가함으로서발생하는문턱전압편이(Vshift) 현상을이용하여공정및 구조의추가없이디플리션로드(depletion load) 구조를형성하여 CMOS와같은고이득(high gain)을구현할수 있어보다유리한효과가있다.

Abstract translation: 目的：提供一种使用双栅极TFT（薄膜晶体管）的耗尽模式的氧化物半导体逆变器，通过在不添加工艺的情况下形成耗尽负载结构并通过使用阈值电压偏移来获得高结构。 构成：在基板（20）上形成栅电极（21）。 栅极绝缘层（22）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层上形成有源层（23）。 在活性层的上部中心形成有蚀刻停止层（24）。 源电极（25）和漏电极（26）形成为在有源层上间隔开。

公开(公告)号：KR101506098B1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020130153421

申请日：2013-12-10

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주 ,  이수희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: NBIS에서 문턱전압의 변화가 없는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터는 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제2 게이트 전극의 일단과 상기 소스 전극 사이의 수직한 거리의 폭 및 상기 제2 게이트 전극의 타단과 상기 드레인 전극 사이의 수직한 거리의 폭 중 적어도 하나는 0.5μm 이상 5μm 이하의 값을 가진다.

Abstract translation: 公开了在NBIS中没有阈值电压的变化的氧化物半导体晶体管及其制造方法。 所公开的氧化物半导体晶体管包括基板，位于基板上的第一栅电极，位于第一栅电极上的源电极和漏极，以及位于源电极上的第二栅极， 漏电极。 源电极和第二栅电极的一端之间的垂直距离的宽度或漏电极与第二栅电极的另一端之间的垂直距离的宽度为0.5um至5μm。

公开(公告)号：KR1020140144566A

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：KR1020130066693

申请日：2013-06-11

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주 ,  엄재광

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터는 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 및 상기 소스 전극/드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 公开了用于显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法。 在用于显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管中，公开的氧化物半导体晶体管包括：基板; 位于所述基板上的第一栅电极; 位于所述第一栅电极上的源极/漏极; 以及位于源极/漏极上的第二栅电极。 第一栅电极和第二栅极电连接。 对第一栅极电极和第二栅极电极施加相同的电压。 第二栅电极的宽度比源电极和漏电极之间的宽度短。

公开(公告)号：KR1020140021405A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020120087910

申请日：2012-08-10

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: Disclosed are an inverter used for a driving circuit of a display device and a load transistor included in the same. The inverter includes a substrate; a gate electrode located on the substrate; a source electrode/drain electrode located on the gate electrode; and a floating electrode located on the source electrode/drain electrode. The gate electrode and the floating electrode are located on the same axis.

Abstract translation: 公开了用于其中包括的显示装置和负载晶体管的驱动电路的逆变器。 逆变器包括基板; 位于所述基板上的栅电极; 位于栅电极上的源电极/漏电极; 以及位于源电极/漏电极上的浮置电极。 栅电极和浮动电极位于同一轴线上。

公开(公告)号：KR1020120070709A

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020100132137

申请日：2010-12-22

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  강동한 ,  석만주

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor inverter using the depletion mode of a dual gate TFT(Thin Film Transistor) is provided to obtain high gains by forming a depletion load structure without the addition of a process and the structure by using a threshold voltage shift. CONSTITUTION: A gate electrode(21) is formed on a substrate(20). A gate insulating layer(22) is formed on the gate electrode. An active layer(23) is formed on the gate insulating layer. An etch stopper(24) is formed on the upper center of the active layer. A source electrode(25) and a drain electrode(26) are formed to be spaced on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用双栅极TFT（薄膜晶体管）的耗尽模式的氧化物半导体逆变器，通过在不添加工艺的情况下形成耗尽负载结构并通过使用阈值电压偏移来获得高结构。 构成：在基板（20）上形成栅电极（21）。 栅极绝缘层（22）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层上形成有源层（23）。 在活性层的上部中心形成有蚀刻停止层（24）。 源电极（25）和漏电极（26）形成为在有源层上间隔开。