公开(公告)号：WO2016039585A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/KR2015/009586

申请日：2015-09-11

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  김정기 ,  크리스토프 빈센트아비스

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5088 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D11/033 ,  C09D11/037 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  C09K11/06 ,  H01B1/08 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303

Abstract: 본 발명은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用含有镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制备方法。 根据本发明，提供了一种包括阴极，空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和阳极的有机发光二极管，其中空穴注入层是p型 含有Ga的氧化物半导体。