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公开(公告)号：KR1020170006142A
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020150096638
申请日：2015-07-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C12N15/85 , A01K67/027
Abstract: 본발명은도파민수용체 D2형유전자적중마우스및 그제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는도파민수용체 D2형유전자를세포혹은조직특이적으로제거시킨조건적유전자제거(conditional knockout) 형질전환마우스에관한것이다. 본발명에따른조건적유전자제거(conditional knockout) 형질전환마우스는뇌의특정부위의 D2R 결핍에따른도파민성신경정신, 신경내분비등의특정질환연구및 시상하부렙틴수용체발현세포에서의 D2R 결여에따른에너지대사조절등의연구에유용하다.
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公开(公告)号：KR101127999B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100091041
申请日：2010-09-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A silicon heterojunction solar cell manufacturing method using an ion shower method is provided to minimize plasma damage by forming an emitter and a rear electric field using an ion shower doping device. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate is prepared(S310). An amorphous buffer layer is formed on the front of the crystalline silicon substrate(S320). An emitter is formed on the front of the crystalline silicon substrate by using an ion shower method(S330). A rear electric field is formed on the rear of the crystalline silicon substrate by using the ion shower method(S340). The crystalline silicon substrate with the emitter and the rear electric field is thermally processed(S350).
Abstract translation: 目的：提供使用离子喷淋法的硅异质结太阳能电池制造方法，以通过使用离子喷淋掺杂装置形成发射体和后部电场来最小化等离子体损伤。 构成：制备晶体硅衬底（S310）。 在晶体硅衬底的前面形成非晶缓冲层（S320）。 通过使用离子淋浴法在晶体硅衬底的前面形成发射体（S330）。 通过使用离子淋洗法在晶体硅衬底的后部形成后方电场（S340）。 具有发射极和后电场的晶体硅衬底被热处理（S350）。
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公开(公告)号：KR1020130008918A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069607
申请日：2011-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/05
Abstract: PURPOSE: A mixed type solar cell module is provided to prevent the lateral contact of an inter-connector ribbon and a hardening phenomenon and to improve the efficiency of electricity generation. CONSTITUTION: An inter-connector ribbon(5) connects solar cells. A p-type silicon solar cell and an n-type silicon solar cell are connected to the solar cells. The n-type silicon solar cell is laminated on the p-type silicon solar cell. The p-type silicon solar cell is laminated on the n-type silicon solar cell. The inter-connector ribbon connects the front electrode of the p-type silicon solar cell to the front electrode of the n-type silicon solar cell.
Abstract translation: 目的：提供一种混合型太阳能电池模块，以防止连接器间带的横向接触和硬化现象，并提高发电效率。 构成：连接器之间的连接带（5）连接太阳能电池。 p型硅太阳能电池和n型硅太阳能电池连接到太阳能电池。 n型硅太阳能电池层压在p型硅太阳能电池上。 p型硅太阳能电池层压在n型硅太阳能电池上。 连接器间带将p型硅太阳能电池的前电极连接到n型硅太阳能电池的前电极。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101650658B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150096896
申请日：2015-07-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 저온분사방식을이용한태양전지전극의형성방법에있어서, 도전성분말과글라스프릿이혼합된혼합물을준비한다. 상기준비된혼합물을캐리어가스를이용하여실리콘기판을향하여분사한다. 이후, 상기분사되는혼합물을가속하여상기실리콘기판상에전극을형성한다.
Abstract translation: 在通过使用低温喷射法形成太阳能电池电极的方法中，制备混合有导电粉末和玻璃料的混合物，通过使用载气将制备的混合物喷射到硅基板上，并将喷射混合物 被加速以在硅衬底上形成电极。 因此，该方法可以缩短制造太阳能电池的时间。
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公开(公告)号：KR101902534B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020180093179
申请日：2018-08-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G16H50/30 , A61B5/14532 , G01N2800/304
Abstract: 본발명은포도당을이용한주요우울증환자의자살가능성예측을위한정보제공방법에관한것이다. 본발명에따르면혈액내 포도당농도를측정하는것은주요우울증을포함한정신질환의신속한진단방법으로써정신질환환자의자살가능성에대한객관적인데이터분석에매우유용하다.
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公开(公告)号：KR101760088B1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020150096638
申请日：2015-07-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C12N15/85 , A01K67/027
Abstract: 본발명은도파민수용체 D2형유전자적중마우스및 그제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는도파민수용체 D2형유전자를세포혹은조직특이적으로제거시킨조건적유전자제거(conditional knockout) 형질전환마우스에관한것이다. 본발명에따른조건적유전자제거(conditional knockout) 형질전환마우스는뇌의특정부위의 D2R 결핍에따른도파민성신경정신, 신경내분비등의특정질환연구및 시상하부렙틴수용체발현세포에서의 D2R 결여에따른에너지대사조절등의연구에유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多巴胺受体D2型基因靶向小鼠及其制造的方法，更具体地涉及在细胞或条件性基因去除（条件性敲除）的转基因小鼠中取出组织特异性多巴胺受体D2型基因。 条件性基因按照根据D2R转基因小鼠缺乏在某些疾病的研究和下丘脑瘦蛋白受体表达细胞，例如多巴胺能神经精神，本发明（条件性敲除）中除去，神经内分泌根据D2R缺乏大脑的特定区域的 能量代谢调节等。
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公开(公告)号：KR1020120029136A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091041
申请日：2010-09-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/04
Abstract: 본 발명에서는 (a) 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 비정질 버퍼층을 형성하는 단계; (c) 상기 비정질 버퍼층이 형성된 상기 결정질 실리콘 기판 전면에 이온샤워법을 이용하여 도핑가스를 도핑하여 에미터를 형성하는 단계; (d) 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 이온샤워법을 이용하여 도핑가스를 도핑하여 후면전계를 형성하는 단계; 및 (e) 열처리하는 단계를 포함하는 이종접합 태양전지 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르면, 이종접합 태양전지 제조 중 생기는 결정질 실리콘 기판의 결함 및 결정질 실리콘 기판과 비정질 실리콘 층과의 계면 결함을 줄일 수 있고, 이온샤워 도핑 장치를 이용하여 에미터 및 후면전계를 형성하여 플라즈마 데미지를 최소화하며 대면적의 기판에 혼합가스를 낮은 깊이로 균일하게 도핑할 수 있어 고효율의 이종접합 태양전지를 제조할 수 있다.
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