公开(公告)号：KR101338642B1

公开(公告)日：2013-12-06

申请号：KR1020120034212

申请日：2012-04-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  탁성주 ,  김찬석 ,  박성은

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 결정질 실리콘 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 제1 타입의 불순물을 내부로 도핑하여, 중심 영역 및 중심 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판을 준비한 후, 결정질 실리콘 기판의 양 표면들에 제1 타입에 대응되는 제2 타입의 불순물을 도핑하여, 결정질 실리콘 기판의 상부 표면에 제1 도핑층 및 제2 도핑층을 형성하고, 결정질 실리콘 기판 상부에, 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 전면 전극을 형성한다. 주변 영역에 마스크의 프레임을 배치하여 결정질 실리콘 기판 하부에 마스크를 이용하여 도전성페이스트를 인쇄하여 금속층 구조물을 형성하고, 주변 영역에 해당하는 결정질 실리콘 기판의 하부 표면에 제1 타입의 불순물을 도핑하여 제3 도핑층을 형성한 후, 금속층 구조물을 열처리하여, 결정질 실리콘 기판의 하부 표면에 후면 전계 효과층 및 후면 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR101666308B1

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020150067550

申请日：2015-05-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이해석 ,  강윤묵 ,  김찬석 ,  김영도 ,  박성은

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0465

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 반도체전극구조물의형성방법에있어서, 반도체베이스상에금속페이스트를이용하여적어도하나의예비전극을형성한후, 상기예비전극및 상기반도체베이스사이에연결된전원을이용하여상기반도체베이스에전자를공급하면서상기예비전극을소성하여, 상기예비전극을전극으로변환시킨다. 이로써상기반도체베이스및 상기전극사이의접촉저항이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR1020130112090A

公开(公告)日：2013-10-14

申请号：KR1020120034212

申请日：2012-04-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  탁성주 ,  김찬석 ,  박성은

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing crystalline silicon solar cells is provided to improve a filling rate by forming a third doping layer in the peripheral region of a substrate. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate formed by a first type impurity doping is prepared (S110). A first doping layer and a second doping layer are formed on the upper surface of the substrate (S120). A front electrode is formed in the upper part of the substrate (S130). A metal layer structure is formed in the lower central region of the substrate (S140). A third doping layer is formed on the lower surface of the substrate (S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Crystalline silicon substrate formed by doping a first type impurity is prepared; (S120) First doping layer and a second doping layer are formed on the upper surface of the substrate by doping a second type impurity; (S130) Front electrode is formed; (S140) Metal layer structure is formed by placing a mask's frames on the edges and printing conductive paste; (S150) Third doping layer is formed by doping the first type impurity on the edges; (S160) Electric field-effect layer and back electrode are formed on the back by performing a heat treatment the metal layer structure

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造晶体硅太阳能电池的方法，以通过在衬底的周边区域中形成第三掺杂层来提高填充率。 构成：制备通过第一种杂质掺杂形成的晶体硅衬底（S110）。 在衬底的上表面上形成第一掺杂层和第二掺杂层（S120）。 在基板的上部形成前电极（S130）。 在基板的下部中央区域形成金属层结构（S140）。 在基板的下表面上形成第三掺杂层（S150）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）制备通过掺杂第一种杂质形成的晶体硅衬底; （S120）通过掺杂第二种杂质在衬底的上表面上形成第一掺杂层和第二掺杂层; （S130）形成正面电极; （S140）通过将掩模框架放置在边缘上并印刷导电浆料形成金属层结构; （S150）通过在边缘上掺杂第一种杂质形成第三掺杂层; （S160）通过进行金属层结构的热处理，在背面形成电场效应层和背面电极