-
公开(公告)号：WO2016186317A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/KR2016/003378
申请日：2016-04-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L31/05 , H01L31/02 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/05 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 페로브스카이트 태양 전지 모듈은 제1 셀 영역 및 제2 셀 영역으로 구획된 투명 기판 및 투명 기판 상에 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 형성되고, 투명 전극, 페로브스카이트 물질로 이루어진 흡수층, 흡수층으로부터 정공이 유입되는 금속 전극 및 흡수층 및 금속 전극 사이에 개재되며 정공을 금속 전극으로 전달하는 홀전도층을 각각 구비하는 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 포함하고, 금속 전극은 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 투명 전극에 연결되며, 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 전기적으로 연결시키는 연결부를 포함하고, 홀전도층은 흡수층 및 연결부 사이에 개재되어 흡수층을 연결부로부터 전기적으로 절연시키는 절연부를 포함한다.
Abstract translation: 钙钛矿太阳能电池模块包括：分隔成第一电池区域和第二电池区域的透明衬底; 以及分别形成在透明基板上的第一和第二单元区域上的第一和第二钙钛矿太阳能电池。 第一和第二钙钛矿太阳能电池包括：透明电极; 由钙钛矿材料构成的吸收层; 从吸收层向其中注入空穴的金属电极; 以及插入在所述吸收层和所述金属电极之间的孔导电层，用于将所述孔传送到所述金属电极。 金属电极包括连接到包括在第二钙钛矿太阳能电池中的透明电极的用于电连接第一和第二钙钛矿太阳能电池的连接部分。 孔导电层包括介于吸收层和连接部分之间的用于将吸收层与连接部分电绝缘的绝缘部分。
-
公开(公告)号：KR101852237B1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR1020150068615
申请日：2015-05-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0465 , H01L31/042 , C01G23/04 , H01L31/046
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 페로브스카이트태양전지모듈은제1 셀영역및 제2 셀영역으로구획된투명기판, 투명기판상에제1 및제2 셀영역들각각에형성되고, 투명전극, 페로브스카이트물질로이루어진흡수층및 흡수층으로부터정공이유입되는금속전극을각각구비하는제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들, 제1 페로브스카이트태양전지셀에포함된금속전극및 제2 페로브스카이트태양전지셀에포함된투명전극을상호연결시켜, 제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을전기적으로연결시키는연결부및 연결부과흡수층사이에개재되어흡수층에형성된전자가연결부로이동되는것을억제하는션트억제막을포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020160117770A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045138
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: PN 접합을이루는기판상에형성되는이중막패시베이션구조물은상기기판상에형성되며, 상기기판과의계면결함을억제하는진성비정질실리콘물질로이루어진제1 패시베이션박막및 상기제1 패시베이션박막상에형성되며, 캐리어의재결합을억제하는제2 배시베이션박막을포함한다. 이로써계면트랩밀도가감소되며, 고정전하효과가개선될수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020130069678A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020130050291
申请日：2013-05-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: The method of making a solid battery doped layer by using the solid phase epitaxy skips removal of PSG (PhosphoSilicate Glass) and edge isolation process because in the process of the electro plasticity emitter or all electro fields are made simultaneously. CONSTITUTION: Crystalline structure substrate is ready (S110). Above Crystalline structure substrate gets textured (S120). A amorphous layer of doped with impurities on the all surface of Crystalline structure substrate is evaporated (S130). An anti-reflection coating is evaporated on the surface of amorphous silicon layer that is doped with the above impurities (S140). Metal pastes are printed on the all surface of the above Crystalline structure substrate (S150) (S160). The above results become plastic simultaneously (S170). In the step of the above plasticity, the amorphous layer doped with the above impurities become solid phase according to plasticity, and the emitter or all the electro field is formed by expanding the impurities of above the amorphous layer to Crystalline structure substrate (S170). [Reference numerals] (S110) Prepare crystalline silicon substrate; (S120) Texturing; (S130) Deposit an amorphous silicon layer doped with impurities; (S140) Deposit an antireflection layer; (S150) Print metal paste in the front of a silicon substrate; (S160) Print metal paste in the rear of a silicon substrate; (S170) Simultaneous plasticity
Abstract translation: 目的：通过使用固相外延制作固体电池掺杂层的方法跳过PSG（磷酸硅玻璃）和边缘分离工艺，因为在电塑发射体或所有电场的过程中同时进行。 结构：晶体结构基材准备就绪（S110）。 以上结晶结构基材变质（S120）。 在晶体结构基底的所有表面上掺杂杂质的非晶层被蒸发（S130）。 在掺杂有上述杂质的非晶硅层的表面上蒸发防反射涂层（S140）。 将金属糊印刷在上述结晶结构基板的所有表面上（S150）（S160）。 上述结果同时变为塑性（S170）。 在上述可塑性的步骤中，掺杂有上述杂质的非晶层根据塑性变为固相，并且通过将非晶层之上的杂质膨胀至结晶结构基底而形成发射极或全部电场（S170）。 [参考号]（S110）准备晶体硅基板; （S120）纹理; （S130）沉积掺杂杂质的非晶硅层; （S140）沉积抗反射层; （S150）在硅衬底的前面印刷金属膏; （S160）在硅基板的背面印刷金属糊料; （S170）同时塑性
-
公开(公告)号：KR1020160135408A
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020150068615
申请日：2015-05-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0465 , H01L31/042 , C01G23/04 , H01L31/046
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 페로브스카이트태양전지모듈은제1 셀영역및 제2 셀영역으로구획된투명기판, 투명기판상에제1 및제2 셀영역들각각에형성되고, 투명전극, 페로브스카이트물질로이루어진흡수층및 흡수층으로부터정공이유입되는금속전극을각각구비하는제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들, 제1 페로브스카이트태양전지셀에포함된금속전극및 제2 페로브스카이트태양전지셀에포함된투명전극을상호연결시켜, 제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을전기적으로연결시키는연결부및 연결부과흡수층사이에개재되어흡수층에형성된전자가연결부로이동되는것을억제하는션트억제막을포함한다.
Abstract translation: 钙钛矿的太阳能电池模块是所述第一小区区域和形成在每个第一mitje第二小区区域的透明基板，所述透明基板分割成第二小区区域，透明电极，页叶吸收由市容剂材料的层上 和具有金属电极，其是空穴从吸收剂层引入，每一个mitje第二钙钛矿太阳能电池，包括在太阳能电池单元和第二钙钛矿太阳能电池的第一钙钛矿金属电极 并且，为了防止在吸收层中形成的电子向连接部移动而在连接部与吸收层之间夹设分流抑制膜， 它包括。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101129422B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100110889
申请日：2010-11-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/072
Abstract: PURPOSE: A solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve sunlight light accepting capability by omitting a phosphor silicate glass elimination process and an edge isolation process and expanding a p-n junction area. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate(11) is prepared. An amorphous silicon layer(12) in which impurities are doped is evaporated on the crystalline silicon substrate by using a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. The crystalline silicon substrate in which the amorphous silicon layer is evaporated is annealed. The impurities are diffused to the crystalline silicon substrate by annealing and an emitter(13) is formed. The amorphous silicon layer in which the impurities consecutively get out is changed into a reflection barrier layer(15).
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以通过省略磷硅玻璃消除工艺和边缘隔离工艺并扩大p-n结面积来提高阳光照射能力。 构成：制备晶体硅衬底（11）。 通过使用CVD（化学气相沉积）法在晶体硅衬底上蒸发杂质掺杂的非晶硅层（12）。 将非晶硅层蒸发的晶体硅衬底退火。 通过退火将杂质扩散到晶体硅衬底，形成发射极（13）。 杂质连续排出的非晶硅层变成反射阻挡层（15）。
-
公开(公告)号：KR101300803B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020130050291
申请日：2013-05-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극 소성 공정시 에미터 또는 전면전계 및 후면전계를 동시 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 pn 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR1020130008913A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069601
申请日：2011-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for forming a solar cell doped layer using a solid phase epitaxy is provided to increase p-n junction area by omitting an edge isolation process. CONSTITUTION: An amorphous layer is deposited on a crystal silicon substrate. Impurities are doped in the amorphous layer. A reflection barrier layer(3) is deposited on the impurity doped amorphous layer(2). A metal paste(4) is printed on the reflection barrier layer and the rear surface of the silicon substrate. A thermal process is performed on the resultant.
Abstract translation: 目的：提供一种使用固相外延形成太阳能电池掺杂层的方法，以通过省略边缘隔离工艺来增加p-n结面积。 构成：在晶体硅衬底上沉积非晶层。 杂质掺杂在非晶层中。 反射阻挡层（3）沉积在杂质掺杂非晶层（2）上。 在反射阻挡层和硅衬底的后表面上印刷金属膏（4）。 对所得物进行热处理。
-
公开(公告)号：KR1020120119045A
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020110036778
申请日：2011-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/073 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A cadmium telluride solar cell including a rear side electric field layer and a manufacturing method thereof are provided to arrange a CdS thin film on which a metal is doped in a rear side electric field layer and to block flow of an electronic charge. CONSTITUTION: A transparent conductive oxide film(12) is formed on a glass substrate(11). A light transmitting layer(13) is formed on the transparent conductive oxide film. A light absorbing layer(14) is formed on the light transmitting layer. A CdS(Cadmium Sulfide) layer is formed on the light transmitting layer. A metal is doped on the CdS layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括背面电场层的碲化镉太阳能电池及其制造方法，以配置在背面电场层中掺杂金属的CdS薄膜，阻止电子电荷的流动。 构成：在玻璃基板（11）上形成透明导电氧化膜（12）。 在透明导电氧化膜上形成透光层（13）。 在透光层上形成光吸收层（14）。 在透光层上形成CdS（硫化镉）层。 在CdS层上掺杂金属。
-
公开(公告)号：KR101144254B1
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020100114338
申请日：2010-11-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/05
Abstract: PURPOSE: A solar cell module and a manufacturing method thereof are provided to execute a tabbing process in the low temperature and low pressure condition by forming a hole on an interconnection ribbon interlinking an interval of solar cells. CONSTITUTION: A hole is formed on an interconnection ribbon by using mechanical drilling, laser drilling, or lithography. Diameter of the hole is 0.1 to 1mm. The interconnection ribbon is composed of a copper electrode coated by alloy including lead. The interconnection ribbon is in which the hole is formed is tabbed to a bus bar which is formed on a solar cell. The solar cells are connected by using the interconnection ribbon attached to the bus bar. Tempered glass, an EVA film, the solar cell, the EVA film, and a back sheet are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池组件及其制造方法，通过在连接太阳能电池间隔的互连带上形成孔，在低温低压状态下进行拉片加工。 构成：通过使用机械钻孔，激光钻孔或光刻，在互连带上形成孔。 孔直径为0.1〜1mm。 互连带由由包括铅的合金涂覆的铜电极组成。 其中形成有孔的互连带被标记到形成在太阳能电池上的汇流条上。 太阳能电池通过使用连接到母线的互连带来连接。 依次层叠钢化玻璃，EVA膜，太阳能电池，EVA膜和背板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.019 seconds)
