公开(公告)号：KR100982956B1

公开(公告)日：2010-09-17

申请号：KR1020080047693

申请日：2008-05-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이철진 ,  윤호규 ,  김우년 ,  김웅 ,  박종래 ,  박민 ,  장지영 ,  주진수 ,  이건웅 ,  김규태 ,  이준엽 ,  김현재 ,  박상민 ,  김선국

IPC: H01L29/786

Abstract: CNT(Carbon Nano Tube)를 이용한 가요성 투명 박막 트랜지스터(Flexable and transparent Thin film Transistor)에 관해 기술된다.
가요성 투명 기판 위에 투명 유기물질에 반도체 CNT가 분산되어 있는 CNT 채널 층이 마련된다. 상기 채널의 양측에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 소스와 드레인 전극이 접촉된다. 상기 채널의 위 또는 아래에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 게이트가 위치하고, 상기 채널과 게이트 사이에는 투명 유기 물질에 의한 게이트 절연층이 개재된다.
투명, 가요성, 박막, CNT, 트랜지스터

Abstract translation: （柔性和透明薄膜晶体管）使用碳纳米管（CNT）。

公开(公告)号：KR1020090121677A

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：KR1020080047693

申请日：2008-05-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이철진 ,  윤호규 ,  김우년 ,  김웅 ,  박종래 ,  박민 ,  장지영 ,  주진수 ,  이건웅 ,  김규태 ,  이준엽 ,  김현재 ,  박상민 ,  김선국

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0048 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube thin film transistor is provided to increase an aperture ratio of a pixel by allowing all conductive materials and a semiconductor material to include CNT and having a flexible structure while being transparent. CONSTITUTION: A CNT thin film transistor comprises a channel layer, a source / drain electrode, a gate layer, a gate isolation layer, and a transparency flexible substrate. The channel layer by the semiconductor CNT forms an electrical path associated with the transparent organic material and the organic material. The source / drain electrodes(21, 22) is connected with both side of the channel electrically by the conductivity CNT. The source / drain electrode by the conductivity CNT forms an electrical path associated with the organic material and the transparency organic material. A gate layer by the conductivity CNT corresponds to the channel layer, and a gate layer by the conductivity CNT is connected with both sides of the channel electrically.

Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管薄膜晶体管，通过允许所有导电材料和半导体材料包括CNT并且具有柔性结构同时透明化以增加像素的孔径比。 构成：CNT薄膜晶体管包括沟道层，源极/漏极，栅极层，栅极隔离层和透明柔性基板。 由半导体CNT形成的沟道层形成与透明有机材料和有机材料相关联的电路径。 源极/漏极（21,22）通过导电性CNT电连接于沟道的两侧。 源极/漏极通过导电CNT形成与有机材料和透明有机材料相关联的电路径。 通过导电性CNT的栅极层对应于沟道层，并且通过导电性CNT的栅极层与沟道的两侧电连接。