公开(公告)号：KR1020110097450A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017297

申请日：2010-02-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 민경훈 ,  김용관 ,  신건철 ,  하정숙

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01G19/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/0669

Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR101171952B1

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020100017297

申请日：2010-02-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 민경훈 ,  김용관 ,  신건철 ,  하정숙

IPC: B82B3/00

Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.