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公开(公告)号：KR1020100098237A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090017295
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C59/022 , B82Y40/00 , G03F7/165
Abstract: PURPOSE: A transition method of a nano wire pattern and a transition apparatus for the nano wire pattern are provided to transfer a nano-wire which is manufactured by micro-contact printing on a wafer through a sliding transfer method. CONSTITUTION: A nano particle mono layer is formed through a Langmuir-Schaffer method(S210). A polymer stamp is contacted to the nano particle mono layer so that the nano particle is attached to the pattern of the polymer stamp (S220). The nano particle of the polymers stamp is printed on the second substrate by a micro-contact printing method(S230). The nano wire is grown up on the second substrate(S240).
Abstract translation: 目的：提供纳米线图案的转变方法和纳米线图案的转变装置，以通过滑动转印方法将通过微接触印刷制造的纳米线材转印到晶片上。 构成：通过Langmuir-Schaffer方法形成纳米颗粒单层（S210）。 将聚合物印模与纳米颗粒单层接触，使得纳米颗粒附着到聚合物印模的图案上（S220）。 通过微接触印刷法将聚合物印模的纳米颗粒印刷在第二基板上（S230）。 纳米线在第二基板上生长（S240）。
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公开(公告)号：KR1020110097450A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017297
申请日：2010-02-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01G19/02 , G03F7/0002 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L29/0669
Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.
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3.发明授权
公开(公告)号：KR100974623B1
公开(公告)日：2010-08-09
申请号：KR1020070136928
申请日：2007-12-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B05D1/18 , B05D1/202 , B05D1/204 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G31/02 , C01P2004/16 , H01M4/485 , Y10S977/89 , Y10S977/892
Abstract: 본 발명은 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V
2 O
5 nanowire) 용액을 제조하는 단계; b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키고, 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계; c) 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액에 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 분산을 용이하게 하기 위한 분산제를 첨가하는 단계; d) 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액을 유기 용매에 희석시킨 다음, 이를 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액 표면 상에 도포하고 방치하는 단계; e) 상기 랑뮈에-블라제 트러프에 장착된 배리어 (barrier)를 사용하여 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 압력을 조정하는 단계; f) 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 침지 막대 (dipping arm)에 기판을 고정한 다음, 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과 접촉시키는 단계; 및 g) 상기 기판을 상기 침지 막대로부터 분리하는 단계를 포함하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 졸-겔 합성법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 박막을 제조하는 과정에 있어서, 나노선의 정렬도를 획기적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니 라, 사후 세척 공정을 생략할 수 있어서 공정 단순화를 도모할 수 있으며, 제조된 나노선의 길이를 간편하게 재단할 수 있어서, 이를 이용하여 제조된 소자 특성의 재현성 확보 및 소자 특성 향상을 달성할 수 있다. 또한, 제조된 나노선 소자는 우수한 특성 및 재현성을 구비하므로, 전계 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) 및 각종 센서의 제작 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
오산화이바나듐 나노선 박막, 나노선 정렬-
公开(公告)号：KR1020090084304A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010389
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , C01G31/02 , C01P2004/16 , G03F7/0002
Abstract: A nanowire thin film, a manufacturing method thereof and an electric component including the same are provided to facilitate the change or arrangement of the orientation and length of a nanowire. A method for fabricating a nanowire thin film comprises: a first step of pre-treating a stamp(100) so that a nanowire dispersing solution is coated on the stamp; a second step of coating the nanowire dispersing solution on the stamp having a concave part(110) and convex part(120); a third step of blowing a gas into the nanowire dispersing solution in order to arrange the nanowire(140); and a fourth step of contacting the stamp to a substrate so as to print the nanowire arranged on the convex part of the stamp on the substrate. The nanowire dispersing solution is obtained by a sol-gel synthesis method.
Abstract translation: 提供了纳米线薄膜，其制造方法和包括该纳米线薄膜的电气部件，以便于纳米线的取向和长度的改变或布置。 一种制造纳米线薄膜的方法包括：对印模（100）进行预处理以使纳米线分散溶液涂覆在印模上的第一步骤; 将纳米线分散溶液涂布在具有凹部（110）和凸部（120）的印模上的第二工序; 将纳米线分散溶液吹入纳米线（140）的第三步骤; 以及将印模与基板接触以便印刷布置在印模的凸起部分上的纳米线的第四步骤。 纳米线分散溶液通过溶胶 - 凝胶合成法获得。
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公开(公告)号：KR1020090076291A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002156
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00
Abstract: A substrate coating method using the high polymer stamp is provided, which performs the role of the improved barrier by uniformly forming the passivation layer. The silicon master having the first pattern is provided(S100). A high polymer stamp having the first pattern and second pattern is formed(S102). The polymer film dissolved in the chloroform transfers in the second pattern region of the high polymer stamp(S104). The polymer film of the high polymer stamp transfers in the top of the substrate(S106). The thermal process is performed according to use after removing the high polymer stamp from substrate(S108). The PMMA film is removed by using the acetone and supersonic vibration(S110).
Abstract translation: 提供了使用高聚合物印模的基板涂布方法，其通过均匀地形成钝化层来发挥改进的屏障的作用。 提供具有第一图案的硅母版（S100）。 形成具有第一图案和第二图案的高聚合物印模（S102）。 溶解在氯仿中的聚合物膜在高分子印模的第二图案区域中转印（S104）。 高分子印模的聚合物膜在基材的顶部转印（S106）。 在从基板除去高聚合物印模之后，根据使用进行热处理（S108）。 通过使用丙酮和超音速振动来除去PMMA膜（S110）。
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Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020090069082A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136928
申请日：2007-12-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B05D1/18 , B05D1/202 , B05D1/204 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G31/02 , C01P2004/16 , H01M4/485 , Y10S977/89 , Y10S977/892
Abstract: A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film with improved alignment is provided to conveniently cut manufactured nano wires in order to secure reproducibility and characteristic of devices. A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film comprises the following steps of: preparing a divanadium pentaoxide nano wire(V2O5 nano-wire) solution; diluting the solution in water and inputting the diluted solution into the Langmuir-Blodgett trough; adding a dispersing agent to the diluted solution; diluting a halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution in an organic solvent and coating the diluted halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution on the surface of the diluted solution prepared in previous step; adjusting the interface pressure of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution by using a barrier in the Langmuir-Blodgett trough; fixing a substrate on a dipping rod of the Langmuir-Blodgett trough and contacting the substrate with the interface of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution; and separating the substrate from the dipping rod.
Abstract translation: 提供了一种制造具有改进的取向的五氧化二钒纳米线薄膜的方法，以方便地切割制造的纳米线，以确保器件的再现性和特性。 制备五氧化二钒纳米线薄膜的方法包括以下步骤：制备五氧化二钒纳米线（V2O5纳米线）溶液; 稀释溶液并将稀释液输入Langmuir-Blodgett槽中; 向稀释溶液中加入分散剂; 在有机溶剂中稀释卤代双十八烷基二甲基铵溶液，并将稀释的卤代二十八烷基二甲基铵溶液涂覆在前一步骤制备的稀释溶液的表面上; 通过在Langmuir-Blodgett槽中使用屏障来调节卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面压力; 将基底固定在Langmuir-Blodgett槽的浸渍杆上，并使基底与卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面接触; 并将基底与浸渍棒分离。
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公开(公告)号：KR100975036B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020080010389
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 나노선 박막, 그 제조 방법, 그 제조장치 및 이를 포함하는 전자소자가 제공된다.
본 발명에 따른 나노선 박막 제조방법은 오목부 및 볼록부를 포함하는 스탬프 상에 나노선 분산 용액을 도포시키는 단계; 상기 스탬프 상의 나노선 용액에 기체를 블로잉하여, 상기 나노선을 정렬시키는 단계; 및 상기 스탬프를 기판에 접촉시켜 상기 스탬프의 볼록부 상에 정렬된 나노선을 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 나노선 박막의 제조방법은 나노선의 배향구조, 나노선의 길이 등을 간단한 설계변경에 따라 달성할 수 있으며, 종래의 기술이 가지는 공정 의 한계를 극복할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 나노선 박막, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 전자 소자는 전기적 특성이 안정적이다는 장점이 있다-
公开(公告)号：KR101171952B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020100017297
申请日：2010-02-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.
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公开(公告)号：KR101064380B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090017295
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 슬라이딩 전이 방법을 이용한 나노선 패턴의 전이 방법 및 이를 위한 나노선 패턴 전이 장치에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 나노선 패턴 전이 방법은 (a)제1기판 상에 PMMA 패턴을 형성하는 단계; (b)제2기판에 나노선을 형성하는 단계; 및 (c)상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판을 고정하고, 다른 하나의 기판을 슬라이딩시켜, 제2기판에 형성된 나노선을 제1기판의 PMMA 패턴 상에 전이하는 단계를 포함하여 이루어진다.
한편, 본 발명에 따른 슬라이딩 전이 장치는 상부판 및 하부판이 연직방향의 복수의 지지대로 연결되는 구조를 갖는 하우징; 상기 상부판을 관통하여 형성되며, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 간격을 조절하는 높이 조절부; 상기 높이 조절부 하부에 형성되며, 상기 제2기판이 고정되는 상부 홀더; 상기 하부판 상에 형성되며, xy 좌표에서 이동하는 슬라이딩 스테이지부; 상기 슬라이딩 스테이지부 상에 형성되며, 상기 제1기판이 고정되는 하부 홀더; 및 상기 슬라이딩 스테이지부의 이동을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100951796B1
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020080002156
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 고분자 도장을 이용한 기판 코팅 방법에 관한 것이다. 본 발명은 제1 패턴을 갖는 실리콘 마스터를 제공하는 단계, 상기 실리콘 마스터를 주형으로 상부측에 상기 제1 패턴과 역방향의 패턴(제2 패턴)을 갖는 고분자 도장을 형성하는 단계, 상기 고분자 도장의 제2 패턴 영역에 클로로포름에 용해되는 고분자 막을 전이시키는 단계 및 미리 설정된 조건 하에서, 미세접촉인쇄를 이용하여 상기 고분자 도장의 고분자 막을 기판 상에 전이시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 간단한 공정으로 기판 상에 고분자 막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
랑뮈어-쉐퍼, 미세접촉인쇄, 고분자, PMMA, 고분자 도장, 패시베이션층
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