公开(公告)号：KR1020110097450A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017297

申请日：2010-02-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 민경훈 ,  김용관 ,  신건철 ,  하정숙

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01G19/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/0669

Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020110096379A

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：KR1020100015799

申请日：2010-02-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 신건철 ,  하정숙

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82B3/0009 ,  G03F7/70475 ,  H01L21/82

Abstract: 본 발명은 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법 및 이를 이용하여 수평 성장된 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판 위에 적층된 서로 다른 종류의 박막을 선택적으로 식각하여 나노선 성장을 위한 촉매를 박막의 패턴층 측면에 선택적으로 증착할 수 있게 함으로써 수평방향으로 나노선을 성장시킬 수 있어 수평 성장된 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 성장억제층을 별도로 사용하지 않더라도 수평방향으로 성장된 나노선을 제조할 수 있어 수평소자의 제작에 필요한 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있고, 이를 다이오드 등 다양한 소자에 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020100098236A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017294

申请日：2009-02-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  신건철 ,  김대일

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82B3/0038 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: PURPOSE: A pattern formation method of a nanowire growing catalyst, a nanowire formation method using thereof, and a nano wire device using a nanowire produced therefrom are provided to pattern the nanowire without a separate patterning process. CONSTITUTION: A pattern formation method of a nanowire growing catalyst comprises the following: forming a nanoparticle monolayer formed with a nanoparticle(220) on a second solvent(210) using a Langmuir-Schaffer method; contacting a polymer stamp(230) formed with a pattern(231) on the surface with the nanoparticle monolayer to absorb the nanoparticle to the pattern; and contacting the absorbed nanoparticle with a substrate(240) to print the nanoparticle to the substrate.

Abstract translation: 目的：提供纳米线生长催化剂的图案形成方法，使用其的纳米线形成方法和使用由其制备的纳米线的纳米线器件，以在不具有单独的图案化工艺的情况下对纳米线进行图案化。 构成：纳米线生长催化剂的图案形成方法包括以下步骤：使用Langmuir-Schaffer法在第二溶剂（210）上形成由纳米颗粒（220）形成的纳米颗粒单层; 使形成有表面上的图案（231）的聚合物印模（230）与纳米颗粒单层接触以将纳米颗粒吸收至图案; 以及将所吸收的纳米颗粒与基底（240）接触以将纳米颗粒印刷到基底上。

公开(公告)号：KR101144287B1

公开(公告)日：2012-05-11

申请号：KR1020110017828

申请日：2011-02-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  신건철

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electric component is provided to simply manufacture a nano wire which floats while maintaining a unique electrical characteristic. CONSTITUTION: An organic or an inorganic thin layer(110) is formed on a substrate(100). A patterned nano wire(120) is expanded to the organic or the inorganic thin layer. A metal(130) is formed in both ends of the nano wire. A photo-resist(140) is formed on the metal. A floating nano wire is formed by etching the organic or the inorganic thin layer by using reaction gas or etchant. The reaction gas or the etchant selectively etches the organic or the inorganic thin layer only. The reaction gas is oxygen plasma gas.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电气部件的方法，以简单地制造浮动的纳米线，同时保持独特的电气特性。 构成：在基板（100）上形成有机或无机薄层（110）。 将图案化的纳米线（120）扩展到有机或无机薄层。 金属（130）形成在纳米线的两端。 在金属上形成光刻胶（140）。 通过使用反应气体或蚀刻剂蚀刻有机或无机薄层来形成浮动的纳米线。 反应气体或蚀刻剂仅选择性地蚀刻有机或无机薄层。 反应气体是氧等离子体气体。

公开(公告)号：KR101081717B1

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：KR1020090017294

申请日：2009-02-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  신건철 ,  김대일

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명에따른나노선성장용촉매패턴형성방법은 (a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로나노입자단분자막을형성하는단계; (b)표면에패턴이형성된고분자스탬프를상기나노입자단분자막에접촉시켜, 상기고분자스탬프의패턴에나노입자를흡착시키는단계; 및 (c)기판에상기고분자스탬프의패턴표면에흡착된나노입자를접촉시켜, 상기나노입자를상기기판에프린팅하는단계를포함하여이루어진다. 이때, 나노입자단분자막은 (a1)제1용매에나노입자가분산된나노입자용액을제조하는단계; (a2)상기제1용매와비혼합성으로상기제1용매보다비중및 끓는점이높은제2용매에상기나노입자용액을포어링(pouring)하여, 상기제2용매상부에상기나노입자용액이혼합되지않은상태로층을형성하도록하는단계; 및 (a3)상기제1용매를제거하여, 상기제2용매상부에상기나노입자로이루어진단분자막을형성하는단계를포함하여이루어진다.

公开(公告)号：KR1020100098237A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017295

申请日：2009-02-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  김대일 ,  신건철 ,  김용관

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C59/022 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/165

Abstract: PURPOSE: A transition method of a nano wire pattern and a transition apparatus for the nano wire pattern are provided to transfer a nano-wire which is manufactured by micro-contact printing on a wafer through a sliding transfer method. CONSTITUTION: A nano particle mono layer is formed through a Langmuir-Schaffer method(S210). A polymer stamp is contacted to the nano particle mono layer so that the nano particle is attached to the pattern of the polymer stamp (S220). The nano particle of the polymers stamp is printed on the second substrate by a micro-contact printing method(S230). The nano wire is grown up on the second substrate(S240).

Abstract translation: 目的：提供纳米线图案的转变方法和纳米线图案的转变装置，以通过滑动转印方法将通过微接触印刷制造的纳米线材转印到晶片上。 构成：通过Langmuir-Schaffer方法形成纳米颗粒单层（S210）。 将聚合物印模与纳米颗粒单层接触，使得纳米颗粒附着到聚合物印模的图案上（S220）。 通过微接触印刷法将聚合物印模的纳米颗粒印刷在第二基板上（S230）。 纳米线在第二基板上生长（S240）。

公开(公告)号：KR100954325B1

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020080008972

申请日：2008-01-29

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 신건철 ,  하정숙

IPC: H01L29/772 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법 및 이에 의해 제조된 전계효과소자를 개시한다. 본 발명은 화학 처리를 통해 카르복실기로 기능화된 탄소나노튜브 수용액을 제공하는 단계, 고분자 기판을 처리하여 상기 고분자 기판의 표면을 아민기로 기능화 하는 단계 및 상기 고분자 기판에 게이트 전극에 해당하는 상기 탄소나노튜브 박막을 형성하기 위해, 상기 탄소나노튜브 수용액에 상기 아민기로 기능화된 고분자 기판을 넣고 미리 설정된 시간 동안 유지시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 간단한 공정으로 원하는 밀도의 탄소나노튜브 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
탄소나노튜브, 전계효과소자, 게이트 전극, 소스, 드레인, 기능화

公开(公告)号：KR101171952B1

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020100017297

申请日：2010-02-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 민경훈 ,  김용관 ,  신건철 ,  하정숙

IPC: B82B3/00

Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR101064380B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：KR1020090017295

申请日：2009-02-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 하정숙 ,  김대일 ,  신건철 ,  김용관

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

Abstract: 슬라이딩 전이 방법을 이용한 나노선 패턴의 전이 방법 및 이를 위한 나노선 패턴 전이 장치에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 나노선 패턴 전이 방법은 (a)제1기판 상에 PMMA 패턴을 형성하는 단계; (b)제2기판에 나노선을 형성하는 단계; 및 (c)상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판을 고정하고, 다른 하나의 기판을 슬라이딩시켜, 제2기판에 형성된 나노선을 제1기판의 PMMA 패턴 상에 전이하는 단계를 포함하여 이루어진다.
한편, 본 발명에 따른 슬라이딩 전이 장치는 상부판 및 하부판이 연직방향의 복수의 지지대로 연결되는 구조를 갖는 하우징; 상기 상부판을 관통하여 형성되며, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 간격을 조절하는 높이 조절부; 상기 높이 조절부 하부에 형성되며, 상기 제2기판이 고정되는 상부 홀더; 상기 하부판 상에 형성되며, xy 좌표에서 이동하는 슬라이딩 스테이지부; 상기 슬라이딩 스테이지부 상에 형성되며, 상기 제1기판이 고정되는 하부 홀더; 및 상기 슬라이딩 스테이지부의 이동을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020090083039A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020080008972

申请日：2008-01-29

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 신건철 ,  하정숙

IPC: H01L29/772 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/413 ,  H01L21/288

Abstract: A method of fabricating transparent gate electrode for field effect transistor using carbon nanotube and a field effect transistor fabricated by the same are provided to form a uniform carbon nanotube thin film by using a chemical treatment using a acid solution. Provided is the carbon nanotube aqueous solution which is functional as the carboxyl group(-COOH) through the chemical treatment. The carbon nanotube is dipped into the mixture of a nitric acid and sulfuric acid for predetermined time by using a sonicator. The volume ratio of the nitric acid and sulfuric acid is 4:1. The polymer substrate(20) is processed and the surface of the membranous polymers substrate is functional as the amine radical. To form the carbon nanotube thin film for a gate electrode on the membranous polymers substrate, the polymer substrate which is functional as the amine radical is put into the carbon nanotube aqueous solution for a predetermined time. The membranous polymers substrate is PES(Polyethylenesulfonate).

Abstract translation: 提供一种制造使用碳纳米管的场效应晶体管的透明栅极和由其制造的场效应晶体管的方法，以通过使用酸溶液的化学处理形成均匀的碳纳米管薄膜。 提供通过化学处理作为羧基（-COOH）起作用的碳纳米管水溶液。 使用超声波器将碳纳米管浸入硝酸和硫酸的混合物中达预定时间。 硝酸和硫酸的体积比为4：1。 处理聚合物基材（20），膜状聚合物基材的表面作为胺基起作用。 为了形成膜聚合物基板上的栅电极用碳纳米管薄膜，将作为胺基的功能的聚合物基材放入碳纳米管水溶液中一段时间​​。 膜聚合物基材是PES（聚乙烯磺酸盐）。