公开(公告)号：WO2015034260A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/KR2014/008267

申请日：2014-09-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이철진 ,  신창환 ,  신동훈 ,  윤기남

IPC: H01J31/02

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/304

Abstract: 본 발명은, 수직형 진공 전자 소자, 집적 소자 및 수직형 진공 전자 소자의 제조방법에 대해 개시한다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 진공 전자 소자는, 기판; 상기 기판의 표면 중 소정의 영역이 노출되도록 상기 기판의 표면 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 형성된 절연 물질; 상기 절연 물질 상에 형성된 제 2 전극층; 및 상기 절연 물질 내에 삽입되되, 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 배치되며, 상기 소정의 영역을 에워싸는 일부 면이 노출되는 게이트를 포함하고, 상기 소정의 영역은 상기 게이트의 패턴에 따라 결정된다.

Abstract translation: 公开了垂直真空电子装置，集成装置和垂直真空电子装置的制造方法。 特别地，根据本发明的实施例的垂直真空电子器件包括：衬底; 第一电极层，形成在所述基板的表面上，使得所述基板的表面的预定区域露出; 形成在第一电极层上以包围预定区域的形状的绝缘材料; 形成在绝缘材料上的第二电极层; 以及插入到绝缘材料中并且以包围预定区域的形状并且具有围绕预定区域的一些暴露面的形状的栅极，其中根据栅极的图案确定预定区域。

公开(公告)号：KR101455262B1

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：KR1020130105287

申请日：2013-09-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이철진 ,  신창환 ,  신동훈 ,  윤기남

IPC: H01J31/02

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/304

Abstract: A vertical vacuum electronic device, an integrated device, and a method for manufacturing the vertical vacuum electronic device are disclosed. The vertical vacuum electronic device, according to an embodiment of the present invention, comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the surface of the substrate to expose a predetermined region of the surface of the substrate; an insulating material formed on the first electrode layer while having the same area as the first electrode layer; a second electrode layer formed on the insulating material; and a gate which is inserted into the insulating material, exposes a portion adjacent to the predetermined region, and is arranged to surround the predetermined region. The predetermined region is determined by the pattern of the gate.

Abstract translation: 公开了垂直真空电子装置，集成装置和垂直真空电子装置的制造方法。 根据本发明的实施例的垂直真空电子器件包括：衬底; 形成在所述基板的表面上以暴露所述基板的表面的预定区域的第一电极层; 绝缘材料，形成在第一电极层上，同时具有与第一电极层相同的面积; 形成在所述绝缘材料上的第二电极层; 并且插入到绝缘材料中的栅极暴露与预定区域相邻的部分，并且被布置成围绕预定区域。 预定区域由门的图案确定。