Abstract:
본 발명은 그래파이트 접착 물질을 이용한 전계 방출 소자의 제조방법에 관한 것이다. 전계 방출 소자의 음극을 형성하기 위한 페이스트(Paste) 제조 방법은, 용매에 전계 방출용 나노 물질 및 그래파이트 접착(Graphite adhesive) 물질을 혼합하여 분산시키는 단계; 나노 물질 및 그래파이트 접착 물질이 혼합된 혼합 용액을 건조시키는 단계; 및 건조된 혼합 물질에 결합제(Binder)를 혼합하여 페이스트를 제작하는 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은, 수직형 진공 전자 소자, 집적 소자 및 수직형 진공 전자 소자의 제조방법에 대해 개시한다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 진공 전자 소자는, 기판; 상기 기판의 표면 중 소정의 영역이 노출되도록 상기 기판의 표면 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 형성된 절연 물질; 상기 절연 물질 상에 형성된 제 2 전극층; 및 상기 절연 물질 내에 삽입되되, 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 배치되며, 상기 소정의 영역을 에워싸는 일부 면이 노출되는 게이트를 포함하고, 상기 소정의 영역은 상기 게이트의 패턴에 따라 결정된다.
Abstract:
PURPOSE: The n-doping material and the n-doping method of carbon nanotube and elements using the same are provided to secure the stability of long-term n-doping in the air by using tetramethylpyrazine and the derivative compounds of the same as n-doping materials. CONSTITUTION: The n-doping material of carbon nanotube includes a compound selected from a group including tetramethylpyrazine and the derivative compounds of the same. The n-doping method of carbon nanotube n-dopes the carbon nanotube using the n-doping material at room temperature. The n-doped state of the carbon nanotube is adjusted by adjusting the concentration of the compound. A thin film transistor includes a channel layer(50), source/drain electrodes(30, 40) formed on both sides of the channel layer, a gate layer(10) corresponding to the channel layer, and a gate insulating layer(20) formed between the channel layer and the gate layer. The channel layer includes the n-doped carbon nanotube.
Abstract:
A vertical vacuum electronic device, an integrated device, and a method for manufacturing the vertical vacuum electronic device are disclosed. The vertical vacuum electronic device, according to an embodiment of the present invention, comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the surface of the substrate to expose a predetermined region of the surface of the substrate; an insulating material formed on the first electrode layer while having the same area as the first electrode layer; a second electrode layer formed on the insulating material; and a gate which is inserted into the insulating material, exposes a portion adjacent to the predetermined region, and is arranged to surround the predetermined region. The predetermined region is determined by the pattern of the gate.