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公开(公告)号：WO2016144091A1
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：PCT/KR2016/002340
申请日：2016-03-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J2201/30403
Abstract: 본 발명은 그래파이트 접착 물질을 이용한 전계 방출 소자의 제조방법에 관한 것이다. 전계 방출 소자의 음극을 형성하기 위한 페이스트(Paste) 제조 방법은, 용매에 전계 방출용 나노 물질 및 그래파이트 접착(Graphite adhesive) 물질을 혼합하여 분산시키는 단계; 나노 물질 및 그래파이트 접착 물질이 혼합된 혼합 용액을 건조시키는 단계; 및 건조된 혼합 물질에 결합제(Binder)를 혼합하여 페이스트를 제작하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨粘合剂材料制造场发射元件的方法。 一种制备用于形成场发射元件的负极的糊料的方法包括以下步骤：将用于场致发射的纳米材料和石墨粘合剂材料混合和分散在溶剂中; 干燥纳米材料和石墨粘合剂材料的混合溶液; 并将粘合剂与干燥的混合物混合以制备糊料。
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公开(公告)号：WO2015034260A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/KR2014/008267
申请日：2014-09-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01J31/02
Abstract: 본 발명은, 수직형 진공 전자 소자, 집적 소자 및 수직형 진공 전자 소자의 제조방법에 대해 개시한다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 진공 전자 소자는, 기판; 상기 기판의 표면 중 소정의 영역이 노출되도록 상기 기판의 표면 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 형성된 절연 물질; 상기 절연 물질 상에 형성된 제 2 전극층; 및 상기 절연 물질 내에 삽입되되, 상기 소정의 영역을 에워싸는 형태로 배치되며, 상기 소정의 영역을 에워싸는 일부 면이 노출되는 게이트를 포함하고, 상기 소정의 영역은 상기 게이트의 패턴에 따라 결정된다.
Abstract translation: 公开了垂直真空电子装置，集成装置和垂直真空电子装置的制造方法。 特别地，根据本发明的实施例的垂直真空电子器件包括：衬底; 第一电极层，形成在所述基板的表面上，使得所述基板的表面的预定区域露出; 形成在第一电极层上以包围预定区域的形状的绝缘材料; 形成在绝缘材料上的第二电极层; 以及插入到绝缘材料中并且以包围预定区域的形状并且具有围绕预定区域的一些暴露面的形状的栅极，其中根据栅极的图案确定预定区域。
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公开(公告)号：KR1020150062064A
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130146616
申请日：2013-11-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은전계방출소자및 전계방출소자제조방법에대해개시한다. 특히, 본발명의일 실시예에따른전계방출소자는기판; 및복수의시트(sheet) 층을가지고상기기판상면에비스듬한각도를가지고배향되거나수직배향된복수의 2차원나노물질을포함하는페이스트(paste)로제작된박막을포함한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了电场发射装置及其制造方法。 特别地，根据本发明的一个实施方式的电场发射装置包括基板和薄膜，该薄膜由包括多个2D纳米颗粒的浆料制成，所述2D纳米颗粒垂直对准或者以 具有多个片层的衬底。
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公开(公告)号：KR101686180B1
公开(公告)日：2016-12-13
申请号：KR1020150020670
申请日：2015-02-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명에서는나노소재박막의에지(Edge) 면을이용하는전자방출원, 전자방출소자, 어레이형전자방출원, 전자방출소자의제조방법, 및어레이형전자방출원의제조방법이제안된다. 본발명의일 실시예에따른전자방출소자는제 1 금속부재, 제 1 금속부재와소정의간격을두고나란하게배치된제 2 금속부재, 및제 1 금속부재에의해둘러싸여고정되고제 2 금속부재를향하여노출된에지(Edge) 면을가지는나노소재박막을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用具有纳米材料的具有高电场发射效率的薄膜的边缘表面的电子发射源，电子发射器件，阵列电子发射源，用于制造电子发射器件的方法和方法 用于制造阵列电子发射源。 根据本发明的实施例，电子发射装置包括：第一金属构件; 第二金属构件，其布置成与所述第一金属构件具有预定距离的平行; 以及具有通过被第一构件包围而固定的纳米材料的薄膜，并且具有朝向第二金属构件露出的边缘表面。
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公开(公告)号：KR1020160098724A
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020150020670
申请日：2015-02-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30423 , H01J2329/0423
Abstract: 본발명에서는나노소재박막의에지(Edge) 면을이용하는전자방출원, 전자방출소자, 어레이형전자방출원, 전자방출소자의제조방법, 및어레이형전자방출원의제조방법이제안된다. 본발명의일 실시예에따른전자방출소자는제 1 금속부재, 제 1 금속부재와소정의간격을두고나란하게배치된제 2 금속부재, 및제 1 금속부재에의해둘러싸여고정되고제 2 금속부재를향하여노출된에지(Edge) 면을가지는나노소재박막을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用具有纳米材料的具有高电场发射效率的薄膜的边缘表面的电子发射源，电子发射器件，阵列电子发射源，用于制造电子发射器件的方法和方法 用于制造阵列电子发射源。 根据本发明的实施例，电子发射装置包括：第一金属构件; 第二金属构件，其布置成与所述第一金属构件具有预定距离的平行; 以及具有通过被第一构件包围而固定的纳米材料的薄膜，并且具有朝向第二金属构件露出的边缘表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120008449A
公开(公告)日：2012-01-30
申请号：KR1020110069740
申请日：2011-07-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor： 이철진 , 코이자이자노바라우산비. , 황두희 , 윤기남
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , C07D241/12
CPC classification number: H01L51/0048 , C07D241/12 , H01L21/02601 , H01L21/8238 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: The n-doping material and the n-doping method of carbon nanotube and elements using the same are provided to secure the stability of long-term n-doping in the air by using tetramethylpyrazine and the derivative compounds of the same as n-doping materials. CONSTITUTION: The n-doping material of carbon nanotube includes a compound selected from a group including tetramethylpyrazine and the derivative compounds of the same. The n-doping method of carbon nanotube n-dopes the carbon nanotube using the n-doping material at room temperature. The n-doped state of the carbon nanotube is adjusted by adjusting the concentration of the compound. A thin film transistor includes a channel layer(50), source/drain electrodes(30, 40) formed on both sides of the channel layer, a gate layer(10) corresponding to the channel layer, and a gate insulating layer(20) formed between the channel layer and the gate layer. The channel layer includes the n-doped carbon nanotube.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管的n掺杂材料和n掺杂方法以及使用其的元素，以通过使用四甲基吡嗪和与其相同的衍生化合物来确保长期n掺杂在空气中的稳定性， 掺杂材料。 构成：碳纳米管的n掺杂材料包括选自包括四甲基吡嗪和其衍生化合物的基团的化合物。 碳纳米管的n掺杂方法在室温下使用n掺杂材料掺杂碳纳米管。 通过调节化合物的浓度来调节碳纳米管的n掺杂状态。 薄膜晶体管包括沟道层（50），形成在沟道层两侧的源极/漏极（30,40），对应于沟道层的栅极层（10）和栅极绝缘层（20） 形成在沟道层和栅极层之间。 沟道层包括n掺杂碳纳米管。
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公开(公告)号：KR101700810B1
公开(公告)日：2017-01-31
申请号：KR1020150033076
申请日：2015-03-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J2201/30403
Abstract: 본발명은그래파이트접착물질을이용한전계방출소자의제조방법에관한것이다. 전계방출소자의음극을형성하기위한페이스트(Paste) 제조방법은, 용매에전계방출용나노물질및 그래파이트접착(Graphite adhesive) 물질을혼합하여분산시키는단계; 나노물질및 그래파이트접착물질이혼합된혼합용액을건조시키는단계; 및건조된혼합물질에결합제(Binder)를혼합하여페이스트를제작하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨粘合剂材料制造场发射元件的方法。 一种制备用于形成场致发射元件的负极的糊料的方法包括以下步骤：将用于场致发射的纳米材料和石墨粘合剂材料混合和分散在溶剂中; 干燥纳米材料和石墨粘合剂材料的混合溶液; 并将粘合剂与干燥的混合物混合以制备糊料。
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公开(公告)号：KR1020160109154A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150033076
申请日：2015-03-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J2201/30403 , B01F11/02 , H01J1/3042 , H01J2201/30449 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/30492
Abstract: 본발명은그래파이트접착물질을이용한전계방출소자의제조방법에관한것이다. 전계방출소자의음극을형성하기위한페이스트(Paste) 제조방법은, 용매에전계방출용나노물질및 그래파이트접착(Graphite adhesive) 물질을혼합하여분산시키는단계; 나노물질및 그래파이트접착물질이혼합된혼합용액을건조시키는단계; 및건조된혼합물질에결합제(Binder)를혼합하여페이스트를제작하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨粘合剂材料制造场致发射显示器的方法。 一种用于形成场发射显示器的负极的糊料的制造方法，包括以下步骤：将场致发射纳米材料和石墨粘合剂材料混合在溶剂中并喷涂; 干燥与纳米材料和石墨粘合剂材料混合的混合溶液; 并将粘合剂与干燥的混合物混合以制造糊料。
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公开(公告)号：KR101564456B1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020130146616
申请日：2013-11-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은전계방출소자및 전계방출소자제조방법에대해개시한다. 특히, 본발명의일 실시예에따른전계방출소자는기판; 및복수의시트(sheet) 층을가지고상기기판상면에비스듬한각도를가지고배향되거나수직배향된복수의 2차원나노물질을포함하는페이스트(paste)로제작된박막을포함한다.
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公开(公告)号：KR101455262B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130105287
申请日：2013-09-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01J31/02
Abstract: A vertical vacuum electronic device, an integrated device, and a method for manufacturing the vertical vacuum electronic device are disclosed. The vertical vacuum electronic device, according to an embodiment of the present invention, comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the surface of the substrate to expose a predetermined region of the surface of the substrate; an insulating material formed on the first electrode layer while having the same area as the first electrode layer; a second electrode layer formed on the insulating material; and a gate which is inserted into the insulating material, exposes a portion adjacent to the predetermined region, and is arranged to surround the predetermined region. The predetermined region is determined by the pattern of the gate.
Abstract translation: 公开了垂直真空电子装置，集成装置和垂直真空电子装置的制造方法。 根据本发明的实施例的垂直真空电子器件包括：衬底; 形成在所述基板的表面上以暴露所述基板的表面的预定区域的第一电极层; 绝缘材料，形成在第一电极层上，同时具有与第一电极层相同的面积; 形成在所述绝缘材料上的第二电极层; 并且插入到绝缘材料中的栅极暴露与预定区域相邻的部分，并且被布置成围绕预定区域。 预定区域由门的图案确定。
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