티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 형성방법
    1.
    发明授权
    티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 형성방법 失效
    制备纳米TiO2纳米微粒和纳米复合纳米粒子的方法

    公开(公告)号:KR100952040B1

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:KR1020070072801

    申请日:2007-07-20

    Abstract: 본 발명에 따른 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 형성방법은 기판 상에 티타니아 나노와이어층이 형성된 제1기판을 형성하는 단계; 카드뮴 셀레나이드 나노분말을 갖는 카드뮴 셀레나이드 혼합용액을 마련하는 단계; 상기 제1기판의 티타니아 나노와이어층에 상기 카드뮴 셀레나이드 혼합용액을 코팅시켜 제2기판을 형성하는 단계; 상기 제2기판을 열처리하는 단계를 포함한다.
    따라서 본 발명에 따른 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 및 그 형성방법은 티타니아 나노와이어에 카드뮴 셀레나이드 나노분말을 붙여 표면적을 증가시킴으로써 광학적, 광촉매적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
    또한, 본 발명에 따른 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물의 형성방법은 티타니아 나노와이어를 이용하여 용이하게 티타니아/카드뮴 셀레나이드를 합성할 수 있는 효과가 있다.
    또한, 본 발명에 따른 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물의 형성방법은 열처리공정의 온도를 저감시킴으로써 생산원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.

    티타니아 나노와이어 형성방법
    2.
    发明公开
    티타니아 나노와이어 형성방법 失效
    使用TI衬底生长TIO2纳米管的方法

    公开(公告)号:KR1020080071470A

    公开(公告)日:2008-08-04

    申请号:KR1020070040977

    申请日:2007-04-26

    Abstract: A method for growing titania nanowires is provided to improve diameter and density of the nanowires while reducing a production cost because the nanowire formation process is performed at a low temperature of 600-800 °C. A method for growing titania nanowires includes the steps of: (S100) providing a titanium substrate in which a metal catalyst layer is formed on a titanium buffer layer; (S200) moving the titanium substrate to a reaction zone of a deposition apparatus; (S300) keeping the reaction zone at a temperature of 600-800 °C for 2-15 minutes; and (S400) supplying a reactive gas and a titanium source to the reaction zone to form titania nanowires on the titanium substrate.

    Abstract translation: 提供用于生长二氧化钛纳米线的方法以改善纳米线的直径和密度,同时降低生产成本,因为纳米线形成工艺在600-800℃的低温下进行。 一种用于生长二氧化钛纳米线的方法包括以下步骤:(S100)提供在钛缓冲层上形成金属催化剂层的钛基材; (S200)将钛基板移动到沉积装置的反应区域; (S300)将反应区保持在600-800℃的温度2-15分钟; 和(S400)将反应性气体和钛源供应到反应区以在钛基底上形成二氧化钛纳米线。

    망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
    3.
    发明公开
    망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 失效
    用于制造用MN掺杂的CDS量子的方法

    公开(公告)号:KR1020080070101A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:KR1020070007701

    申请日:2007-01-25

    Abstract: A fabrication method of cadmium selenide quantum dots is provided to obtain cadmium selenide doped with manganese suitable for spintronics by inducing diluted magnetic property by making the structure of the cadmium selenide into face centered cubic zinc blended structure. A fabrication method of cadmium selenide quantum dots comprises steps of: (a) preparing a primary solution by dissolving cadmium source and manganese source in paraffin oil solvent with oleic acid surfactant and preparing a secondary solution by dissolving selenium metal in paraffin oil(S110); (b) forming cadmium selenide quantum dots doped with manganese by adding the primary solution to the secondary solution and vice versa(S120); (c) growing the cadmium selenide quantum dots doped with manganese in order to have a certain wavelength of emission region and a band gap(S130); and (d) washing the grown cadmium selenide quantum dots doped with manganese. The volume ratio of the paraffin oil and the oleic acid for the primary solution is 1:10-100:1. The molar ratio of cadmium ion to manganese ion in the primary solution is 100:4 to 100:40. The molar concentration of manganese ion in the primary solution is 10-30mM, and the molar concentration of selenium ion in the secondary solution is 20-60mM. For the preparation of the primary solution, the temperature of 160-180deg.C is maintained until the organic solvents other than paraffin oil and the oleic acid in the solution are sufficiently released. For the preparation of the secondary solution, the temperature is set to 200-240deg.C. Further, the cadmium source is one of CdO and Cd acetate, and the manganese source is Mn acetate.

    Abstract translation: 提供硒化镉量子点的制造方法,通过将硒化镉的结构制成面心立方锌混合结构,通过诱导稀释的磁性来获得掺杂适用于自旋电子学的锰的硒化镉。 硒化镉量子点的制造方法包括以下步骤:(a)通过将镉源和锰源与油酸表面活性剂溶解在石蜡油溶剂中制备初级溶液,并通过将硒金属溶解在石蜡油中制备第二溶液(S110); (b)通过向第二溶液中添加初级溶液形成掺杂有锰的硒化镉量子点,反之亦然(S120); (c)生长掺杂有锰的硒化镉量子点以具有一定波长的发射区域和带隙(S130); 和(d)洗涤掺有锰的生长的硒化镉量子点。 一级溶液中石蜡油和油酸的体积比为1:10-100:1。 初级溶液中镉离子与锰离子的摩尔比为100:4至100:40。 初级溶液中锰离子的摩尔浓度为10〜30mM,二次溶液中硒离子的摩尔浓度为20〜60mM。 为了制备初级溶液,保持160-180℃的温度,直到石蜡油以外的有机溶剂和溶液中的油酸充分释放。 为了制备二次溶液,将温度设定为200-240℃。 此外,镉源是CdO和Cd的乙酸盐之一,锰源是Mn乙酸盐。

    p-n접합 계면에 패시베이션층을 구비하는 점 접촉 이종접합 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법
    4.
    发明授权
    p-n접합 계면에 패시베이션층을 구비하는 점 접촉 이종접합 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 失效
    P-N结接口与P-N接头接触面之间的接触不良的异质硅太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR100847741B1

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:KR1020070017618

    申请日:2007-02-21

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/072 H01L31/04

    Abstract: A point-contact heterojunction silicon solar cell having a passivation layer on a p-n junction interface is provided to reduce an interfacial defect by minimizing a contact area between amorphous silicon and crystalline silicon. A passivation layer(305) is formed on an interface between a crystalline silicon wafer(300) of a first type and an amorphous silicon layer(310) of a second type wherein a plurality of voids penetrating the front and back surfaces of the passivation layer are formed in the passivation layer. The crystalline silicon wafer of the first type comes in contact with the amorphous silicon layer of the second type only by the voids. The passivation layer can be selected from SiO2, SiC, SiNx and intrinsic amorphous silicon.

    Abstract translation: 提供了在p-n结界面上具有钝化层的点接触异质结硅太阳能电池,以通过最小化非晶硅和晶体硅之间的接触面积来减少界面缺陷。 在第一类型的晶体硅晶片(300)和第二类型的非晶硅层(310)之间的界面上形成钝化层(305),其中穿过钝化层的前表面和后表面的多个空隙 形成在钝化层中。 第一类型的晶体硅晶片仅通过空隙与第二类型的非晶硅层接触。 钝化层可以选自SiO 2,SiC,SiN x和本征非晶硅。

    광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된광촉매용 티타니아산화층
    5.
    发明公开
    광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된광촉매용 티타니아산화층 失效
    氧化氧化钛层用于光催化剂和氧化层氧化钛的方法,用于其制造的光催化剂

    公开(公告)号:KR1020070114244A

    公开(公告)日:2007-11-30

    申请号:KR1020070051747

    申请日:2007-05-28

    CPC classification number: B01J37/0201 B01J21/063 B01J35/004 C01G23/00

    Abstract: A preparation method of a titanium oxide layer for photocatalyst and a titanium oxide layer for photocatalyst prepared by the preparation method are provided to prepare a titanium oxide layer for photocatalyst having improved photolysis efficiency as a photocatalyst while reducing the production cost by performing a preparation process easily. A preparation method of a titanium oxide layer for photocatalyst comprises the steps of: preparing an aqueous alkaline solution as an electrolyte in an electrolyzer made of metal; dipping a titanium(Ti) metal as an anode into the electrolyte and dipping a stainless steel as a cathode into the electrolyte; and applying a voltage of 320 to 340 V to the anode and the cathode for 10 to 40 minutes to form a titanium oxide layer having a volume ratio of rutile phase to anatase phase of 7 to 11% by volume on a surface of the titanium metal. The electrolyte is an aqueous sodium phosphate(Na2HPO4) solution having a concentration of 20 to 40 g/L. The titanium oxide layer is formed on the surface of the titanium metal by dielectric breakdown.

    Abstract translation: 提供了通过制备方法制备的用于光催化剂的氧化钛层和用于光催化剂的氧化钛层的制备方法,以制备具有改善的光解效率的光催化剂的氧化钛层作为光催化剂,同时通过简单地进行制备方法降低了生产成本 。 用于光催化剂的氧化钛层的制备方法包括以下步骤:在由金属制成的电解槽中制备作为电解质的碱性水溶液; 将钛(Ti)金属作为阳极浸渍到电解质中,并将不锈钢作为阴极浸渍到电解质中; 并向阳极和阴极施加320〜340V的电压10〜40分钟,以在钛金属的表面形成金红石相与锐钛矿相的体积比为7〜11体积%的氧化钛层 。 电解质是浓度为20〜40g / L的磷酸钠(Na 2 HPO 4)水溶液。 通过介电击穿在钛金属的表面上形成氧化钛层。

    광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된광촉매용 티타니아산화층
    6.
    发明授权
    광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된광촉매용 티타니아산화층 失效
    氧化钛用于光催化剂的氧化层和氧化钛氧化钛的光催化剂制造方法

    公开(公告)号:KR100888677B1

    公开(公告)日:2009-03-13

    申请号:KR1020070051747

    申请日:2007-05-28

    Abstract: 광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된 광촉매용 티타니아산화층이 개시된다.
    본 발명에 따른 광촉매용 티타니아산화층의 제조방법은, 금속재질의 전해조에 전해질로서 알칼리성 수용액을 준비하는 단계; 상기 알칼리성 수용액에 양극으로서 티타늄(Ti)금속을 침지하고, 음극(cathode)으로서 스테인리스스틸을 침지하는 단계; 및 상기 양극과 상기 음극에 전압을 인가하여 상기 티타늄금속 표면상에 아나타제상에 대하여 루타일상의 부피분율이 7 내지 11 부피%인 티타니아산화층을 형성하는 단계;를 포함한다.
    본 발명에 따르면, 제조공정을 용이하게 하여 생산원가를 절감할 수 있으면서 동시에 광촉매로서 향상된 광분해효율을 갖는 광촉매용 티타니아산화층을 제조할 수 있는 효과가 있다.

    티타니아/카드뮴설파이드 이종구조를 갖는 태양전지용 기판제조 방법, 이를 이용한 태양전지 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 태양전지
    7.
    发明授权
    티타니아/카드뮴설파이드 이종구조를 갖는 태양전지용 기판제조 방법, 이를 이용한 태양전지 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 태양전지 失效
    使用涂覆有硫化镉纳米棒用于太阳能电池的二氧化钛纳米线制造衬底的方法,使用该衬底和太阳能电池制造太阳能电池的方法制造方法

    公开(公告)号:KR100998401B1

    公开(公告)日:2010-12-03

    申请号:KR1020080136996

    申请日:2008-12-30

    Inventor: 성윤모 이정철

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 향상된 광 특성을 가지는 태양전지용 기판, 이를 이용한 태양전지 제조 방법 및 태양전지에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 TiO
    2 /CdS 이종구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법은 (a)플로린 도핑된 틴옥사이드(SnO
    2 :F) 유리 기판 상에 CVD 방법으로 530℃의 온도에서 티타니아(TiO
    2 ) 나노와이어를 형성하는 단계; 및 (b)상기 티타니아 나노와이어 표면에 CVD 방법으로 450℃에서 카드뮴 설파이드(CdS) 나노막대를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따른 TiO
    2 /CdS 이종구조가 형성된 기판을 워킹전극으로 하는 태양전지는 표면적이 증대된 티타니아 나노와이어를 형성할 수 있으며, 태양전지 반응에 필요한 전자-정공 이동을 활발하게 할 수 있어서 광학적, 광촉매적 특성이 향상되는 효과가 있다.
    TiO2, CdS, 플로린 도핑된 틴옥사이드, 태양전지

    카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판의 제조 방법
    8.
    发明公开
    카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판의 제조 방법 无效
    用CDS / MEH-PPV混合结构制造太阳能电池基板的方法

    公开(公告)号:KR1020100089413A

    公开(公告)日:2010-08-12

    申请号:KR1020090008641

    申请日:2009-02-03

    Inventor: 성윤모 이정철

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/04 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a solar cell substrate with an CDS/MEH-PPV hybrid structure is provided to improve optical and optical catalyst property by controlling recombination of a electron-hole pair. CONSTITUTION: A CdS nano-wire is added on a glass substrate. A MEH-PPV complex polymer is coated in the CdS nano-wire. A gold front electrode is formed on the MEH-PPV complex polymer. The MEH-PPV complex polymer is heat-treated under 100-140°C for 8~12 minutes. The glass substrate is a tin oxide glass substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造具有CDS / MEH-PPV混合结构的太阳能电池基板的方法,以通过控制电子 - 空穴对的复合来提高光学和光学催化剂性能。 构成:将CdS纳米线添加到玻璃基板上。 将一种MEH-PPV复合聚合物涂覆在CdS纳米线中。 在MEH-PPV复合聚合物上形成金前电极。 将MEH-PPV复合聚合物在100-140℃下热处理8〜12分钟。 玻璃基板是氧化锡玻璃基板。

    카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법 및 이를이용하여 형성한 혈당 센서
    9.
    发明授权
    카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법 및 이를이용하여 형성한 혈당 센서 失效
    制造CdSe / ZnS量子点的方法和使用它的葡萄糖传感器

    公开(公告)号:KR100973931B1

    公开(公告)日:2010-08-03

    申请号:KR1020080019278

    申请日:2008-02-29

    Abstract: 본 발명은 산화아연 카드뮴셀레나이드/황화아연 제조 방법 및 이를 이용하여 형성한 혈당 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 먼저 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 합성하고, 클로로폼(chloroform)에 분산되어 있는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 바이오 물질 검출에 응용하기 위해 극성 용매에 분산될 수 있는 리간드로 표면을 치환 시키고, 포도당 산화효소를 고정화 시키고 여기에 포도당을 떨어뜨려 그에 따른 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점의 발광이 증가하는 것으로 혈당치를 측정함으로써, 혈당 수치를 용이하게 측정할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

    티타니아 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 티타니아 나노와이어
    10.
    发明授权
    티타니아 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 티타니아 나노와이어 失效
    制备二氧化钛纳米线的方法和由其制备的二氧化钛纳米线

    公开(公告)号:KR100954838B1

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:KR1020060099325

    申请日:2006-10-12

    Abstract: 본 발명은 티타니아 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 티타니아 나노와이어에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판 표면에 티타늄 완충층과 금속촉매층을 순차적으로 증착시키는 단계; 티타늄 분말을 알루미나 보트에 담고 상기 알루미나 보트의 상부에 상기 기판 표면을 대향 배치한 후, 상기 기판이 배치된 알루미나 보트를 튜브에 삽입하는 단계; 상기 튜브를 화학기상증착장치의 가열로 내부의 중앙까지 장입하는 단계; 상기 가열로 내부를 승온시키면서 불활성가스를 유입시키는 단계; 상기 가열로 내부의 승온을 중단하고, 상기 가열로 내부에 산소가스를 유입시키는 단계; 및 상기 산소가스의 유입을 중단하고, 상기 가열로 내부를 냉각시키는 단계를 포함하는 티타니아 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 티타니아 나노와이어에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면 생산원가를 절감하면서도 티타니아 나노와이어의 수율 증대 및 신속한 성장 속도를 실현할 수 있고, 결정학적 구조 및 광학적 특성이 향상된 티타니아 나노와이어를 제공할 수 있다는 효과가 있다.

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