RFID 태그와의 상호 인증을 위한 RFID 리더 및 이를 이용한 상호 인증 방법
    2.
    发明授权
    RFID 태그와의 상호 인증을 위한 RFID 리더 및 이를 이용한 상호 인증 방법 有权
    RFID RFID RFID读写器及其与RFID标签的认证方法

    公开(公告)号:KR101686200B1

    公开(公告)日:2016-12-13

    申请号:KR1020150155943

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 본발명은 RFID 태그와통신을수행하는통신모듈, 상호인증프로그램이저장된메모리및 메모리에저장된프로그램을실행하는프로세서를포함한다. 이때, 프로세서는프로그램의실행에따라, 통신모듈을통하여, 미리정해진범위내의복수의 RFID 태그에상호인증명령을전송하고, 상호인증명령에포함된보안기법식별자에대응하는 RFID 태그와상호인증을수행한이후, 상호인증을수행한 RFID 태그에포함된메모리에기저장된데이터를읽거나, RFID 태그에포함된메모리에새로운데이터를저장하는것 중어느하나이상을수행한다. 그리고 RFID 태그는복수의 RFID 태그그룹중 어느하나에포함되며, 각각서로상이하고주기적으로갱신되는하나이상의보안기법식별자를포함하고, RFID 태그그룹은복수의 RFID 태그및 업데이트보안기법식별자를포함한다.

    수직형 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조방법
    4.
    发明公开
    수직형 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조방법 有权
    垂直有机发光晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130095909A

    公开(公告)日:2013-08-29

    申请号:KR1020120017308

    申请日:2012-02-21

    CPC classification number: H01L51/5296 H01L51/56

    Abstract: PURPOSE: A vertical organic light emitting transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase the rate of an effective light emitting region by forming a plurality of holes having a gap of a nano unit on a source electrode layer. CONSTITUTION: A gate electrode layer (20) is placed on the upper part of a substrate. A first insulating layer (30) is placed on the upper part of the gate electrode. A source electrode layer (40) is placed on the insulating layer and includes a plurality of holes having a gap of a nano unit. A second insulating layer (50) is placed on the upper part of the source electrode layer except for the multiple holes. An organic light emitting layer (60) covers the second insulating layer by filling the plurality of holes.

    Abstract translation: 目的:提供一种垂直有机发光晶体管及其制造方法,以通过在源电极层上形成具有纳米单元间隙的多个孔来提高有效发光区域的速率。 构成:将栅电极层(20)放置在基板的上部。 第一绝缘层(30)放置在栅电极的上部。 源电极层(40)被放置在绝缘层上,并且包括具有纳米单元间隙的多个孔。 除了多个孔之外,第二绝缘层(50)被放置在源电极层的上部。 有机发光层(60)通过填充多个孔来覆盖第二绝缘层。

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