公开(公告)号：KR101101954B1

公开(公告)日：2012-01-02

申请号：KR1020100048268

申请日：2010-05-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 질소 극성 표면에 확산방지층이 형성된 구조를 포함하여 저온 처리 시에도 오믹특성을 유지할 수 있는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 확산방지층이 n-GaN의 Ga이 전극구조체로 확산되는 것을 막는 역할을 하여 저온 처리 시에도 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 질화물 발광다이오드 n형 전극으로서 안정적인 동작을 수행할 수 있게 하는 장점을 가진다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020110128682A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020100048268

申请日：2010-05-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: PURPOSE: A vertical structured group III n-type nitride-based semiconductor device and a light emitting diodes including the same are provided to maintain an ohmic characteristic in a low temperature treatment by including a diffusion preventing layer on the nitrogen polar surface of a semiconductor device. CONSTITUTION: A vertical structured group III n-type nitride-based semiconductor device includes a structure in which a diffusion preventing layer(70) is formed on the nitrogen polar surface of a semiconductor device. The semiconductor device includes a structure with the composition expression of In x Aly Ga(1-x-y) Ns (0

Abstract translation: 目的：提供一种垂直结构III族n型氮化物基半导体器件和包括该半导体器件的发光二极管，以通过在半导体器件的氮极性表面上包括扩散防止层来保持低温处理中的欧姆特性 。 构成：垂直结构化的III族n型氮化物基半导体器件包括在半导体器件的氮极性表面上形成扩散防止层（70）的结构。 半导体器件包括具有In x Aly Ga（1-x-y）Ns（0≤x≤1,0<= y <=1,0.0≤x+ y <= 1）的组成表达式的结构。 扩散防止层由与硼组合的金属化合物构成。 扩散防止层的厚度为5〜200nm。

公开(公告)号：KR101188915B1

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：KR1020100114098

申请日：2010-11-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/32

Abstract: 본 발명에서는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 소자의 n형 질화물계 클래드층에 질화물층이 형성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 레이저 조사에 의해 n형 질화물계 클래드층의 질소가 빠져나오면서 질화물층이 형성되고 n형 질화물계 클래드층에 질소공공(N vacancy)이 형성됨으로써 n형 질화물계 클래드층 표면의 캐리어 농도의 증가로 인한 터널링 현상에 의해 전류이동이 원활해질 뿐만 아니라, 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있는 장점을 가진다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020120052790A

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020100114098

申请日：2010-11-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  전준우 ,  박성한 ,  정세연

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A group III N type nitride based semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain an ohmic property in a thermal process by irradiating an electrode structure with laser to secure a thermal stability. CONSTITUTION: A nitride based active layer(30) is formed on an n type nitride clad layer(20). A p type nitride clad layer(40) is formed on the nitride based active layer. An ohmic contact electrode structure(50) is formed on the p type nitride based clad layer. A support substrate(60) is formed on the ohmic contact electrode structure. An electrode structure(80) is formed on the rear of the n type nitride based clad layer.

Abstract translation: 目的：提供III族N型氮化物基半导体器件及其制造方法，以通过用激光照射电极结构来保持热稳定性来保持热处理中的欧姆特性。 构成：在n型氮化物覆层（20）上形成氮化物基有源层（30）。 在氮化物基活性层上形成p型氮化物覆层（40）。 在p型氮化物基覆盖层上形成欧姆接触电极结构（50）。 支撑衬底（60）形成在欧姆接触电极结构上。 电极结构（80）形成在n型氮化物基覆层的后部。

公开(公告)号：KR1020130119616A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020120042550

申请日：2012-04-24

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 문지형 ,  이상열 ,  송준오 ,  정세연 ,  전준우 ,  성태연

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42

Abstract: A light emitting device includes a first conductivity type semiconductor layer under an active layer, a second conductivity type semiconductor layer arranged on the active layer, a transparent conduction layer arranged on the second conductivity type semiconductor layer, and a current spreading layer arranged between the second conductivity type semiconductor layer and the transparent conduction layer. The current spreading layer includes lines that are separated from each other.

Abstract translation: 发光器件包括有源层下的第一导电类型半导体层，布置在有源层上的第二导电类型半导体层，布置在第二导电类型半导体层上的透明导电层，以及布置在第二导电类型半导体层之间的电流扩散层 导电型半导体层和透明导电层。 电流扩展层包括彼此分离的线。

公开(公告)号：KR101004868B1

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：KR1020080128876

申请日：2008-12-17

Applicant: 삼성엘이디 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 김현수 ,  정세연 ,  홍현기 ,  전준우 ,  성태연 ,  손철수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 p형 질화물 반도체층, 활성층 및 n형 질화물 반도체층을 구비하는 발광적층체; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 페시베이션층; 및 상기 페시베이션층 상에 형성된 n형 오믹 전극;을 포함하며, 상기 페시베이션층은 상기 n형 오믹 전극과 오믹컨택을 이루는 도전성 물질로 이루어진 질화물 반도체 발광소자를 제공함으로써, 열처리 공정을 거치지 않더라도 열적으로 안정하며 전기적 특성이 우수한 n형 오믹 전극을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기와 같은 우수한 열적·전기적 특성을 나타내기 위한 최적화된 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
발광소자, 오믹컨택, 셀레늄, 페시베이션, 표면처리

公开(公告)号：KR1020100070242A

公开(公告)日：2010-06-25

申请号：KR1020080128876

申请日：2008-12-17

Applicant: 삼성엘이디 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 김현수 ,  정세연 ,  홍현기 ,  전준우 ,  성태연 ,  손철수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02

Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting diode and a manufacturing method thereof equipped with an N-type ohmic electrode are provided to improve electrical characteristic by forming the N-type ohmic electrode in electron beam evaporation. CONSTITUTION: An emitting lamination material equips a p-type nitride semiconductor layer and n-type nitride semiconductor layer on a conductive substrate. A passivation layer(260) is formed on the n-type nitride semiconductor layer. An n-type ohmic electrode(270) is formed on the passivation layer. The passivation layer is included of the conductive material accomplishing the n-type ohmic electrode and ohmic contact.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体发光二极管及其配备有N型欧姆电极的制造方法，以通过在电子束蒸发中形成N型欧姆电极来提高电气特性。 构成：发光层压材料配备导电性基板上的p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层。 钝化层（260）形成在n型氮化物半导体层上。 在钝化层上形成n型欧姆电极（270）。 包括实现n型欧姆电极和欧姆接触的导电材料的钝化层。