-
公开(公告)号：KR101479623B1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020080071299
申请日：2008-07-22
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 다중 양자 우물 구조의 활성층을 구비한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 기판상에 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층된 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 복수개의 장벽층과 복수개의 우물층이 교대로 배열된 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조를 가지며, 상기 복수개의 장벽층 중 적어도 1개 층은 p형 도펀트가 도핑된 p형 도핑 장벽층과 상기 p형 GaN층의 적어도 일측에 언도프된 장벽층을 갖는 제1 장벽층을 구비한다.
MQW, 질화물, Mg 도핑, Si 도핑Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光作为缓冲层，n型氮化物半导体层，有源层和氮化物半导体层的p型氮化物半导体发光器件依次堆叠在所述基板上根据具有多量子阱结构的有源层的装置，其中 有源层具有一多量子阱设置在多个势垒层和多个阱层交替（多量子阱），其具有所述多个势垒层型的具有p型掺杂剂掺杂的p型掺杂的阻挡层的至少一层结构 以及在p型GaN层的至少一侧上具有未掺杂的阻挡层的第一阻挡层。
-
公开(公告)号：KR1020060062418A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101247
申请日：2004-12-03
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 전계에 의해 자외선 빛의 발광시 p형 상부 접촉층에서의 자외선 빛의 흡수가 최소화되고 단일 또는 다중양자 우물구조의 전도대에서 p형 상부 접촉층의 억셉터 준위로의 전이되는 손실이 최소화되도록, p형 상부 접촉층 성장공정이 진행됨에 따라 p형 도펀트의 양을 증가시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, p형 질화갈륨 접촉층에서의 광의 흡수를 최소화할 수 있고, 다중양자 우물의 전도대에서 p형 질화갈륨 접촉층내의 억셉터 준위로 전이되는 손실을 최소화함에 따라 고효율의 자외선 발광소자를 제작할 수 있다.
자외선 발광소자, 다중양자 우물구조, p형 상부 접촉층, 도펀트-
公开(公告)号：KR100878979B1
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020070005716
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨을 이용한 발광 다이오드에서 기판의 상부에는 광결정 구조가 구비된다. 광결정 구조는 기판과 질화갈륨층 사이에 형성되어 p형 질화박막의 식각 공정이 없기 때문에 용이한 p형 오믹전극의 형성이 실현된다. 또한, 굴곡된 사파이어에 질화갈륨층을 성장함에 따라 수평 성장을 촉진하고 박막 내의 결함을 최소화하여 광효율의 저하를 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100608929B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040101247
申请日：2004-12-03
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 전계에 의해 자외선 빛의 발광시 p형 상부 접촉층에서의 자외선 빛의 흡수가 최소화되고 단일 또는 다중양자 우물구조의 전도대에서 p형 상부 접촉층의 억셉터 준위로의 전이되는 손실이 최소화되도록, p형 상부 접촉층 성장공정이 진행됨에 따라 p형 도펀트의 양을 증가시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, p형 질화갈륨 접촉층에서의 광의 흡수를 최소화할 수 있고, 다중양자 우물의 전도대에서 p형 질화갈륨 접촉층내의 억셉터 준위로 전이되는 손실을 최소화함에 따라 고효율의 자외선 발광소자를 제작할 수 있다.
자외선 발광소자, 다중양자 우물구조, p형 상부 접촉층, 도펀트-
公开(公告)号：KR100915502B1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：KR1020070005717
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드는 활성층과 n형 질화갈륨 박막 또는 활성층과 n형 AlGaN 클래딩층 사이에 은, 알루미늄 또는 금 등의 금속층으로 이루어진 표면 플라즈몬층을 구비한다. 표면 플라즈몬층을 가지는 발광 다이오드는 금속의 표면 플라즈몬층과 활성층의 사이의 공명 현상에 의해 발광 다이오드의 내부 양자 효율이 크게 개선된다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080114068A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020070063270
申请日：2007-06-26
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/18
CPC classification number: H01L29/22 , H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , Y10S438/903
Abstract: A zinc oxide semiconductor and a method for manufacturing the same are provided to generate and supply a hole required for an optical element and an electronic element by changing the zinc oxide with n-type electrical characteristic or an insulation characteristic to a zinc oxide with a p-type electrical characteristic through a metal catalytic layer and a heat process. The zinc oxide film including the group 1 element or 5 group element is formed on a substrate(S200). A metal catalytic layer is formed on the zinc oxide film(S300). The zinc oxide film is changed to a zinc oxide semiconductor having a p-type electrical characteristic by heat-processing the substrate where the metal catalytic layer is formed(S400).
Abstract translation: 提供一种氧化锌半导体及其制造方法，用于通过将具有n型电特性或绝缘特性的氧化锌改为具有p的氧化锌来生成并提供光学元件和电子元件所需的孔 通过金属催化层和热处理的电气特性。 在基板上形成包含1族元素或5族元素的氧化锌膜（S200）。 在氧化锌膜上形成金属催化剂层（S300）。 通过对形成金属催化剂层的基板进行热处理，将氧化锌膜变更为具有p型电特性的氧化锌半导体（S400）。
-
公开(公告)号：KR1020080068244A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005717
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: A light emitting diode using surface plasmon is provided to improve light efficiency by generating resonance through an active layer and the surface plasmon. A light emitting diode using surface plasmon includes a substrate(100), a lower contact layer(400), an active layer(600), a upper contact layer(800), and a metal layer. The lower contact layer is composed of an n-type AlxGayInzN(0
Abstract translation: 提供使用表面等离子体激元的发光二极管，以通过通过有源层和表面等离子体激元产生谐振来提高光效率。 使用表面等离子体激元的发光二极管包括基板（100），下接触层（400），有源层（600），上接触层（800）和金属层。 下接触层由衬底上的n型Al x Ga y In z N（0 <= x，y，z <= 1）构成。 有源层包括由Al x Ga y In z N（0 <= x，y，z <= 1）构成的势垒层和由Al x Ga y In z N（0 <= x，y，z 1）组成的阱层。 上接触层由有源层上的p型AlxGayInzN（0 <= x，y，z <= 1）组成。 金属层形成在有源层的上部或下部。 金属层的表面等离子体激元与活性层的阱层引起共振。
-
公开(公告)号：KR100794121B1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020060032387
申请日：2006-04-10
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층에 형성함으로써 광결정 구조를 가지면서도 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있고 광추출 효율을 증가시킬 수 있고, 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의한 데미지를 입는 것을 방지할 수 있다.
발광 다이오드, 광결정 구조, 광추출 효율Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 本发明中，氮化镓层，和n型下部接触层，阻挡层和构成的阱层的单一或多重量子阱结构和顶部接触层的p型的活性层，n型电极和p型电极的装置 其中氮化镓层或n型下接触层在III-V族氮化物基发光二极管中具有光子晶体结构。 根据本发明，在具有由GaN层或n型下部接触层上形成光子晶体结构的光子晶体结构是p型氮化镓薄膜不转换为n型，可以容易地形成甚至欧姆电极和提取效率 并且可以防止有源层或p型氮化镓薄膜通过干法蚀刻而被损坏。
-
公开(公告)号：KR100752433B1
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020060006767
申请日：2006-01-23
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도 이내가 되도록 하여 측면에서의 광추출효율을 증대시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 입사각이 임계각보다 큰 빛도 외부로 추출할 수 있으므로 발광 다이오드 측면에서의 광추출효율이 향상되며, 빛이 외부로 빨리 빠져 나오게 되므로 내부에서 빛이 진행하는 동안에 발광 다이오드 내부의 결함 등에 의하여 흡수되는 것을 줄일 수 있으므로 극대화된 광학적 특성을 갖게 된다.
발광 다이오드, 광추출효율, 면각, 입사각, 임계각Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 本发明的装置的特征在于，从由相邻的两个侧表面形成的各个表面角度中选择的至少一个表面角度在90度内，以增加在侧表面处的光提取效率。 根据本发明，由于入射角以提取更大的光小于临界角的所述LED改善侧的光提取效率，光在这样的发光二极管内部的缺陷迅速逸出从内侧向外侧行进的光以外 并且因此可以获得最大化的光学特性。
-
公开(公告)号：KR1020070077299A
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：KR1020060006767
申请日：2006-01-23
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: A light emitting diode is provided to enhance light extraction efficiency at a later portion of the diode by using an acute surface angle of at least one out of adjacent two sides. Surface angles are formed by adjacent two sides(110,120). The surface angle of at least one out of the adjacent two sides is in a range of 90 degree or less. The light emitting diode is made of an inorganic based light emitting diode. The inorganic based light emitting diode contains at least one out of a GaN based semiconductor, a ZnO based semiconductor, a GaAs based semiconductor and a GaP based semiconductor. The cross-section of the light emitting diode is formed like a polygon type structure.
Abstract translation: 提供了一种发光二极管，以通过使用相邻两侧中的至少一个的锐角表面角来提高二极管的稍后部分的光提取效率。 表面角由相邻的两侧（110,120）形成。 相邻两侧中的至少一个的表面角度在90度以下的范围内。 发光二极管由无机基发光二极管制成。 无机类发光二极管包含GaN基半导体中的至少一种，ZnO类半导体，GaAs类半导体和GaP类半导体。 发光二极管的横截面形成为多边形结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.035 seconds)
