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公开(公告)号：KR1020060073015A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020040111835
申请日：2004-12-24
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/28
Abstract: 이 발명은 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 발명에 따른 산화아연을 이용한 단파장 발광소자는, 베이스기판과; 상기 베이스기판의 상부에 증착된 n형 산화아연층과; 상기 n형 산화아연층의 상부에 위치하고 산화아연을 포함하며 밴드갭이 큰 장벽층과 밴드갭이 작은 우물층과 밴드갭이 큰 장벽층이 순차적으로 증착된 우물구조층과; 상기 우물구조층의 상부에 증착된 p형 산화아연층과; 상기 베이스기판 또는 n형 산화아연층에 형성된 제1금속전극과; 상기 p형 산화아연층에 형성된 제2금속전극을 포함한다.
단파장, 산화아연, 발광소자, 다이오드, 스퍼터-
公开(公告)号：KR1020050047919A
公开(公告)日：2005-05-23
申请号：KR1020030081722
申请日：2003-11-18
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 본 발명은 열적 안정성이 우수하여 고온에서도 소자성능의 저하없이 오믹접촉이 가능하며, 또한 우수한 투광성을 가지는 아연산화물 반도체를 투명오믹전극으로 함으로써 발광다이오드 및 레이저 다이오드 등의 발광소자의 광특성 효율을 월등하게 향상시키는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법에 관한 것으로, 화합물 반도체를 기판에 적층하는 단계; 화합물 반도체 층의 상부에 아연산화물층을 적층하는 단계; 상기 아연 산화물층에 정공 또는 전자공여체를 불순물로 도핑하는 단계; 및 아연 산화물 층에 도핑된 불순물의 활성화가 가능하도록 열처리하는 단계를 포함하는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020070079180A
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020060009693
申请日：2006-02-01
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: A light emitting diode is provided to enhance light extraction efficiency from its lateral surface by forming the plane figure of components thereof with a triangular structure. A light emitting diode includes an n-type chemical compound semiconductor layer, an active layer formed on a predetermined region of the n-type chemical compound semiconductor layer, an n-type electrode(60) formed on an exposed region as a non-active region of the n-type chemical compound semiconductor layer, a p-type chemical compound semiconductor layer formed on the active layer, and a p-type electrode(80) formed on the p-type chemical compound semiconductor layer. A plane figure of a resultant including the components of the light emitting diode has a triangular shape.
Abstract translation: 提供了一种发光二极管，以通过用三角形结构形成其部件的平面图来从其侧表面提高光提取效率。 发光二极管包括n型化合物半导体层，形成在n型化合物半导体层的预定区域上的有源层，形成在非活性的暴露区域上的n型电极（60） n型化合物半导体层的区域，形成在有源层上的p型化合物半导体层和形成在p型化合物半导体层上的p型电极（80）。 包括发光二极管的部件的结果的平面图具有三角形形状。
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公开(公告)号：KR100719915B1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020040111835
申请日：2004-12-24
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/28
Abstract: 이 발명은 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 발명에 따른 산화아연을 이용한 단파장 발광소자는, 베이스기판과; 상기 베이스기판의 상부에 증착된 n형 산화아연층과; 상기 n형 산화아연층의 상부에 위치하고 산화아연을 포함하며 밴드갭이 큰 장벽층과 밴드갭이 작은 우물층과 밴드갭이 큰 장벽층이 순차적으로 증착된 우물구조층과; 상기 우물구조층의 상부에 증착된 p형 산화아연층과; 상기 베이스기판 또는 n형 산화아연층에 형성된 제1금속전극과; 상기 p형 산화아연층에 형성된 제2금속전극을 포함한다.
단파장, 산화아연, 발광소자, 다이오드, 스퍼터-
公开(公告)号：KR100752433B1
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020060006767
申请日：2006-01-23
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도 이내가 되도록 하여 측면에서의 광추출효율을 증대시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 입사각이 임계각보다 큰 빛도 외부로 추출할 수 있으므로 발광 다이오드 측면에서의 광추출효율이 향상되며, 빛이 외부로 빨리 빠져 나오게 되므로 내부에서 빛이 진행하는 동안에 발광 다이오드 내부의 결함 등에 의하여 흡수되는 것을 줄일 수 있으므로 극대화된 광학적 특성을 갖게 된다.
발광 다이오드, 광추출효율, 면각, 입사각, 임계각Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 本发明的装置的特征在于，从由相邻的两个侧表面形成的各个表面角度中选择的至少一个表面角度在90度内，以增加在侧表面处的光提取效率。 根据本发明，由于入射角以提取更大的光小于临界角的所述LED改善侧的光提取效率，光在这样的发光二极管内部的缺陷迅速逸出从内侧向外侧行进的光以外 并且因此可以获得最大化的光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070077299A
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：KR1020060006767
申请日：2006-01-23
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: A light emitting diode is provided to enhance light extraction efficiency at a later portion of the diode by using an acute surface angle of at least one out of adjacent two sides. Surface angles are formed by adjacent two sides(110,120). The surface angle of at least one out of the adjacent two sides is in a range of 90 degree or less. The light emitting diode is made of an inorganic based light emitting diode. The inorganic based light emitting diode contains at least one out of a GaN based semiconductor, a ZnO based semiconductor, a GaAs based semiconductor and a GaP based semiconductor. The cross-section of the light emitting diode is formed like a polygon type structure.
Abstract translation: 提供了一种发光二极管，以通过使用相邻两侧中的至少一个的锐角表面角来提高二极管的稍后部分的光提取效率。 表面角由相邻的两侧（110,120）形成。 相邻两侧中的至少一个的表面角度在90度以下的范围内。 发光二极管由无机基发光二极管制成。 无机类发光二极管包含GaN基半导体中的至少一种，ZnO类半导体，GaAs类半导体和GaP类半导体。 发光二极管的横截面形成为多边形结构。
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公开(公告)号：KR1020060021201A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040070071
申请日：2004-09-02
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 상부접촉층(34)의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비록 AlGaInN 기반의 발광다이오드이지만 습식식각에 의하여 상부접촉층(34)에 존재하는 표면결함이나 자연산화막 및 오염층이 효과적으로 제거됨과 동시에 부동막도 형성되기 때문에 발광다이오드의 누설전류가 획기적으로 줄어 소자의 수명이 크게 향상되며, 소자의 효율성과 신뢰성 등 전반적인 특성이 크게 향상된다.
AlGaInN, 부동막, 습식식각, 염기성, 산성, 누설전류-
公开(公告)号：KR1020050025210A
公开(公告)日：2005-03-14
申请号：KR1020030062237
申请日：2003-09-05
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L21/28
Abstract: A method of forming an ohmic contact of a P type ZnO semiconductor is provided to reduce ohmic contact resistance by forming a Ni/Ag thin film on the P type ZnO semiconductor. A P type ZnO semiconductor layer(120) is deposited on an aluminium oxide substrate(110). A transition metal film(130) is formed on the P type ZnO semiconductor layer. A noble metal film(140) is deposited on the transition metal film. The P type ZnO semiconductor layer contains one or more selected from a group consisting of Li, Na, K, N, P, As, Sb, Bi, Al, Ga, In, and Sn. The transition metal film contains one or more selected from a group consisting of Ni, Pd, Mn, Re, Co, Rh, Fe, Ru, Cr, Mo, W, V, Nb, Ta, Zn, Cd, and Hg.
Abstract translation: 提供了形成P型ZnO半导体的欧姆接触的方法，以通过在P型ZnO半导体上形成Ni / Ag薄膜来降低欧姆接触电阻。 在氧化铝衬底（110）上沉积P型ZnO半导体层（120）。 在P型ZnO半导体层上形成过渡金属膜（130）。 贵金属膜（140）沉积在过渡金属膜上。 P型ZnO半导体层含有选自Li，Na，K，N，P，As，Sb，Bi，Al，Ga，In和Sn中的一种以上。 过渡金属膜含有选自Ni，Pd，Mn，Re，Co，Rh，Fe，Ru，Cr，Mo，W，V，Nb，Ta，Zn，Cd和Hg中的一种或多种。
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公开(公告)号：KR100787361B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060009693
申请日：2006-02-01
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
Abstract: 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, n형 화합물 반도체층과, n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, n형 화합물 반도체층에 있어서 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 활성층 상에 형성되는 p형 화합물 반도체층과, p형 화합물 반도체상의 소정영역에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지며, 상기 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 각각의 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태를 이루게 함으로써 적어도 하나의 면각은 필수적으로 90도 이내 되므로 빛이 발광 다이오드 내부에 갇히지 않고 외부로 추출되어 발광 다이오드 측면에서의 광추출효율이 향상되게 되며, 제공된 n형 전극과 p형 전극의 형상 및 배치에 의하여 전류 밀집 현상이 방지되어 균일한 발광 및 소자의 신뢰성이 향상된다.
발광 다이오드, 평면도, 삼각형, 면각, 전류 밀집 현상Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 n型化合物半导体层包括n型化合物半导体层，形成在n型化合物半导体层的预定区域上的有源层，形成在n型化合物半导体层的暴露区域中的n型电极， 型化合物半导体层和形成在p型化合物半导体的预定区域上的p型电极，其中构成元件的结果的平面图是三角形的。 根据本发明，该二面角中的至少一个是内本质上是因为90不被陷在二极管在由LED侧光外提取的光发射内导致所得的三角形顶部平面图由单个部件的 通过提供的n型电极和p型电极的形状和排列，提高了提取效率，并且防止了电流致密化现象，从而提高了器件的均匀发光和可靠性。
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