公开(公告)号：KR101461120B1

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：KR1020130052152

申请日：2013-05-08

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 정성호 ,  인정환 ,  김찬규 ,  이석희 ,  이학재

IPC: G01N21/71

CPC classification number: G01N21/718 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  G01J3/443 ,  G01N21/63 ,  H01J37/32935

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS 박막의 정량분석 방법은, 성분 조성이 다른 복수의 CIGS 박막에 레이저를 조사하여 분광선을 얻는 단계, 상기 분석 대상 원소의 분광선들 중 제1 분광선과 제2 분광선을 선택하고 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도의 상관 관계 플롯을 얻는 단계, 상기 상관 관계 플롯을 곡선 근사한 결과를 이용하여 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도를 보정하는 단계, 상기 제1 분광선의 보정된 강도와 상기 제2 분광선의 보정된 강도를 이용하여 선형 검량 곡선을 얻는 단계, 및 분석 대상인 시료를 LIBS 분석하여 상기 선형 검량 곡선과 대비하는 단계를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及一种CIGS薄膜的定量分析方法，其包括：通过将激光辐射到具有彼此不同元素组成的多个CIGS薄膜而获得光谱线的步骤; 在要分析的元素的谱线中选择第一谱线和第二谱线的步骤，以及获得第一谱线的测量强度和第二谱线的测量强度的相关图; 使用相关图的曲线近似结果补偿第一光谱线的测量强度和第二光谱线的测量强度的步骤; 使用第一光谱线的补偿强度和第二光谱线的补偿强度来获得线性校准曲线的步骤; 以及对待分析样品进行LIBS分析的步骤，并将分析结果与线性校准曲线进行比较。

公开(公告)号：KR1020140130840A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：KR1020130049310

申请日：2013-05-02

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 정성호 ,  김찬규 ,  이석희 ,  인정환 ,  이학재

IPC: G01N21/71

CPC classification number: G01J3/443 ,  G01N21/718 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명의 제1 실시예에 따른 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법은, CIGS 박막에 레이저 빔을 조사하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마로부터 발생하는 분광선을 얻는 단계, 상기 CIGS 박막의 특정 원소의 분광선들 중 특성이 유사한 분광선들을 선택하는 단계, 및 상기 선택된 분광선들의 강도를 합한 값을 이용하여 성분 조성을 측정하는 단계를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，根据CIGS薄膜的深度定量分析物质的方法包括：通过将激光束照射到CIGS薄膜并获得从等离子体产生的光谱线来产生等离子体的步骤; 在CIGS薄膜的特定元素的谱线中选择具有相似特征的谱线的步骤; 以及使用增加所选谱线强度的值来测量物质组成的步骤。